- •1. Коллоидная химия. Свойства коллоидных систем. Признаки объектов коллоидной химии.
- •2. Классификация коллоидных систем.
- •5.Очистка коллоидных систем: диализ, ультрафильтрация.
- •7. Поверхностное натяжение. Зависимость поверхностного натяжение от различных факторов. Методы измерения поверхностного натяжения.
- •12. Изотермы адсорбции и поверхностного натяжения растворов пав. Уравнение Шишковского.
- •14. Представления о полимолеку-
- •15. Получение, классификация твердых пористых адсорбентов.
- •16. Понятия о капиллярных явлениях. Теория капиллярной конденсации.
- •20. Избирательное смачивание. Способы определения краевого угла смачивания. Инверсия смачиваемости поверхности.
- •22. Седиментация суспензий и седиментационный анализ дисперсных систем.
- •26. Реологические свойства структурированных жидкообразных и твердообразных систем. Вязкость агрегативно устойчивых дисперсных систем.
- •27 Агрегативная устойчивость дисп сист.Факторы агрег устойчив:
- •30Электрокинетич потенциал.Влияние разл факторов на вел электрокин потенциала.
- •31. Коагуляция дисперсных систем. Факторы, влияющие на электролитную коагуляцию дисперсных систем. Быстрая и медленная коагуляция.
- •39. Пены. Методы получения. Устойчивость и разрушение пен. Практическое значение пен.
- •19Адгезия.Когезия.Смачивание,Краевые углы смачивания и работа адгезии.
26. Реологические свойства структурированных жидкообразных и твердообразных систем. Вязкость агрегативно устойчивых дисперсных систем.
Реологические свойства структурированных жидкообразных выражаются графиком(тема 4.3.2),а также тиксотропией-самопроизвольным восстановлением стурктуры после разрушения и реолексией- восстановлением структуры после низких нагрузок(смотри график в той же теме!)
Реологические свойства структурированных твердообразных систем: твердые системы делятся на бенгамовские и небенгамовские системы
Бенгамовские
N<1, псевдопластич. Твердобраз.тело
N>1 дилант. Твердобраз тело
Смотри графики 2 штуки тема 4.3.3!!! У твердых тел увеличение напряжения сдвига разрушает тело
Вязкость агрегативно устойчивых дисперсных систем характеризуется ур-ем Эйнштейна: η=η0(1+dфи0), условия применимости ур-я Эйнштейна:
1.Сферич форма частиц
2. Разбавл. И устойч. Дисп система
3.Ламинарный характер течения
И Тут еще 2 графика! Конец Темы 4.3.1
Наличие адсорбционных слоев и ДЭС, взаимодействие частиц дисперсной фазы и их несимметричность-это условия неприменимости ур-я Эйнштейна
27 Агрегативная устойчивость дисп сист.Факторы агрег устойчив:
1ТД факторы(уменьш ):а)электростатический(ДЭС) связан с образ ДЭС (уменьш ) и возникновением потенц барьера отталкивания.б)адсорб-сольватный - уменьш из-за взаимод частиц с растворителем. Пов-ть частиц лиофильна по своей природе или из-за адсорбции стабилиз неэлектролитов.Для эмульсий-порошки.
в)энтропийный-большую роль играет в высокодисперсных сист SU
2Кинетич факторы (Vкоагуляции):а)структурно-меж-возник при адсорбции ПАВ и ВМС на пов-ти частиц, что приводит к образ слоев,облад высокими структ-мех св-вами.Длинноцепочечные ПАВ.б)гидродинамическийфактор-за счет увеличения вязкости среды.
28 Ионный фактор стбилиз ДС.Теория ДЛФО. При сближ одноименных заряженных частиц золей их диф слои перекрыв. Это взаимодейств протек в тонкой прослойке дисперсн среды. Устойчивость лиофобных золей определ особыми св-ми этих слоев. Утончение этого слоя заканчивается либо его разрывом либо достиж некоторой равновесной толщины,которая далее не уменишается. Утончение тонкого слоя происходит путем вытекания из него жидк. Когда жидк слой стан тонким,св-ва жидкости в нем начинают сильно отлич от св-в жидк в V.В слое возник доп давление-расклинивающее. Положит расклинив давление препятств сближ частиц,а отриц-наоборот. Расклин давл- параметр, учитыв как силу притяж, так и силу отталкивания между частицами дисперс фазы.1Электростатич силы взаимод: а)силы оттралкивания
,Еотт Z,Cпротивоинов; 0, . б)Ванд-Вальдовские притяж,Е(h), Eкин=кТ. Состояние колл сист зав-т от баланса энергии притяж и Еотт. Преоблад Еотт приводит к устойчивости сист, преоблад Епритяж вызывает коагуляцию. Частицы дисперс фазы облад опред Екин, зав-т от Т, ха счет котор они могут сближаться. Екин=кТ. В зав-ти от соотнош Ебар и глубины потенц минимумов возможны след сост-иядисп сист,а именно:1 Ебар>>кТ, Емин2<<кТ- неглубокийcистем агрегативно устойчивая.2 Еб~Емин2кТброун движ может сблизить частицы до таких размеров, что они попадут в первичн потенц мин, возможна коагуляция.3 при умеренно глуб вторичн мин Емин2>>кТ, Еб ~5-10кТвозник дальнее взаимод ,образ флуокулы, возможно структурообраз.
29. Электрокинетические свойства дисперсных систем. Механизм образования ДЭС. Строение ДЭС. Примеры образования ДЭС. Электрокинетические явления. Прямые: - электрофорез(перемещение дисперсной фазы под действием внешн.электрич.поля) – электроосмос (перенос дисп.среды через неподвижн.капиляр –пористую перегородку под действием внешн.электрич поля). Обратные – потениальное оседание,потенциальное течение.Явл. основаны на ДЭС на границе ТВ. И жидк.фаз. Механизм образования. Возникает из-за пространственного разделения зарядов, которые могут возникать разными путями.1)поверхностная ионизация(переход ионов из одной фазы в другую)2)ионизация молекул в-ва ТВ. Фазы за счет диссоциации поверхностных функциональных групп 3)адсорбция ионов (молекул)а)не входящих в кристалл.решетку: органич ионн;с большой адсорбционной способностью б)избирательная ад-ция по правилу Панета-Фаенса 4)поляризация поверхности за счет внешн Эл.поля.Строение. На поверхности частиц дисперсной фазы врзникае заряд из-за ад-ции потенциал. – определ ионов, или поверхн.ионизации цепи.Величина и знак полного термодин потенциала φ0 на поверхности частицы зависит от колва и знака адс-ныхх ионов, этот потенциал притяг противоположно заряж ионы раствора, часть из них сразу примыкает к заряж.поверхности, частично ослабляя ее заряд -> адсорбционный слой.Его можно считать плоск. Конденсатором, в котором потенц смягчается линейно.Др.часть противоионов под действ теплового движения распространяется в глубь фазы,обазуя диф.слой.Ионы там распред.неравномерно-потенц.смягчается по экспоненте.За толщ. Диф. Слоя принято считать расстояниена кот потенциал φ0 уменьшится в е раз.