2.3.7Мультиплексор

В качестве мультиплексора будем использовать микросхему ADG413BR, фирмы Analog Devices. Это четырёхканальный мультиплексор отличительными особенностями которого являются:

• Диапазон напряжений переключаемых каналов ±15В.

• Низкое входное сопротивление (<35Ом).

• Ультранизкое потребление.

• Быстрое время переключения.

• TTL/CMOS совместимость.

Основные характеристики микросхемы ADG413BR приведены в Таблица 2 .15. Расположение выводов изображено на Рис. 2 .10. Описания выводов приведены в Таблица 2 .16.

Таблица 2.15

Основные характеристики микросхемы ADG413BR

Параметр	Значение	Единица измер.
Диапазон переключаемых сигналов	±15	В
Входное сопротивление	35	Ом, максимум
Время включения	110	нс
Время выключения	100	нс
Задержка	25	нс
Количество входных каналов	4

Рис. 2.10 Микросхема ADG413BR, вид сверху

Таблица 2.16

Описание выводов микросхемы ADG413BR

Pin	Мнемоника	Обозначение
1	IN1	Управление каналом 1
2	D1	Выход 1
3	S1	Вход 1
4	VSS	Отрицательное питание
5	GND	Общий
6	S4	Вход 4
7	D4	Выход 4
8	IN4	Управление каналом 4
9	IN3	Управление каналом 3
10	D3	Выход 3
11	S3	Вход 3
12	VL	Логическое питание
13	VDD	Положительное питание
14	S2	Вход 2
15	D2	Выход 2
16	IN2	Управление каналом 2

2.3.8Схема сброса

Для реализации схемы сброса понадобятся полевые транзисторы. В качестве полевых транзисторов будем использовать микросхему IRF7105, фирмы International Rectifier. Микросхема представляет собой два полевых транзистора.

Рис. 2.11 Микросхема IRF7105, вид сверху

2.3.9Плис

В результате анализа структурной схемы было предложено использовать ПЛИС фирмы Altera, семейства MAX (Multiple Array matriX) 7000. Микросхемы этой серии обеспечивают:

• Задержку распространения сигнала от любого входа до выхода СБИС не более 5 нс;

• Устойчивую работу на частотах до 151 МГц;

• Возможность регулирования скорости переключения выходных буферов;

• Возможность использования четырех режимов работы выходных буферов: вход, выход, двунаправленный, открытый коллектор;

• Возможность задания режима пониженного энергопотребления (Turbo-off) как для всей СБИС в целом, так и для цепей распространения отдельных сигналов;

• Возможность программирования и репрограммирования после распайки на плате;

• Возможность задания режима секретности разработки (Design Security);

• Работу с пониженным (3.3 В) напряжением питания.

Для модуля инерционного сенсора будем использовать микросхему EPM7160STI100-10

Таблица 2.17

Основные характеристики микросхемы EPM7160STI100-10

Параметр	Значение
Количество макроячеек	160
Корпус	TQFP
Количество выводов	104
Количество выводов ввода/вывода	84
Напряжение питания	5 В
Задержка распространения сигнала	10 нс
Количество используемых гейтов	3200
Количество логических блоков	10

Рис. 2.12 Функциональная схема ПЛИС серии MAX7000 фирмы Altera

Рис. 2.13 Микросхема EPM7160STI100-10, вид сверху.