Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
0127925_F69C1_bilety_na_ekzamen_po_fizike_2010 / Шпоры оптика3.doc
Скачиваний:
85
Добавлен:
18.03.2015
Размер:
193.54 Кб
Скачать

6.3. Элементы квантовой статистики

1) Понятие о квантовой статистике.

Осн. Задачей кв. статистики является изучение поведения системы из большого кол-ва частиц, подчин-ся закону кв. механики. Кв. стат-ка осн-ся на принципе не различимости тождественных частиц. Для описания системы из N частиц в кв. стат-ке исп-ся 6N мерное пространство – фазовое пространство. В этом пространстве для описания системы используется 6N переменных. 6N=3Nq+3Np, где Nq – пространственные координаты, Nр –значения импульсов. Каждому м.к. состоянию системы в этом пространстве соотв. точка. Выделим в этом пространстве элем. фазовый объём: dqdp=dq1…dqNdp1…dpN. dW= f(q,p)dqdp – вероятность т.ч. точка фазов. пространства попадает в элемент фазов. объёма dqdp (вероятность реализации какого-то состояния м.к. системы). W=f(q,p)dqdp, f(q,p) – функция распределения. Она должна подчиняться условию нормировки f(q,p)dqdp=1. С пом. f можно определять сред. значение физ. величин описывающих состояния системы: <L(q,p)>= L(q,p)f(q,p)dqdp.

2) Распределение Ферми-Дирака.

При Т=0 К в каждом из энерг. состояний энергия которых Еi < EF(0) – энергия Ферми, электроны располагаются по одному на каждом уровне или по 2 с антипараллельными спинами. (РИС36). Общее число N заполненных уровней = N/2, <ni> - средние числа заполнения, EF – значение энергии Ферми – макс. значение кинет. энергии поступат. движения электрона на верхнем заполненном уровне. При Т0 f(E)=1/(exp[(Ei-EF)/kT]+1) (1) <ni>=2/(exp[(Ei-EF)/kT]+1) (2). Если рассматривать частный случай при Т=0 К и Еi< EF  f(E)=1. При Еi> EF  f(E)=0. Распределение 1 и 2 лежат в основе статистики Ферми-Дирака. Частицы подчиняющиеся этим распределениям называются фермионами. К ним относятся все частицы с полуцелыми спинами, т.е. ms=±1/2. Совокупность электронов в металлах и п/п-ах можно рассм. как электронный газ. Разл. вырожденный и невырожденный электронные газы и для них используются разл. распределения. Если температура такова, что kT<<EF – вырожденный газ –распределение Ферми-Дирака. Если kT>>EF – то невырожденный газ – распределение Максвелла-Больцмана. В металлах значению EF соотв. температура Ферми ТF104 К. Для электронного газа в металлах исп. Распред. Ферми-Дирака, т.к. ТF>>Tпл.. В п/п n106-1020 (n-концентрация), а в металлах n1028. Но ЕF~n2/3 EF и соотв. ТF значит меньше kT. Состояние электронного газа в п/п невырожденное и описывается распределением Максвелла-Больцмана.

6.4 Электропроводность металлов.

  1. Классическая теория электропроводности.

Носителями тока являются электроны. В металлах электроны образуют электронный газ, поведение которого сходно с поведением идеального газа. По МКТ <U>=(8kT)/me1,15•1015 м/с. – скорость хаотичного теплового движения электронов. j=n|e|<V> - плотность тока, n≈1028 м-3; j=107 A/м2. Получим <V>=1,5•10-4 м/с – средняя скорость движения заряда.

Пусть в проводнике существует электрическое поле с напряженностью Е=const. Тогда на заряды будет действовать кулоновская сила и а=Fкл/m=|e|E/m. В конце свободного пробега электрон имеет скорость Vmax=а<t>=|e|E<t>/m.

<V>=(Vmax+0)/2=|e|E<t>/2m – средняя скорость электрона.

<t>=<l>/(<U>+<Vд>)=<l>/<U>; j=n|e|<V>=n|e|2E<l>/2m<U>; j=E – закон Ома в диф форме. = n|e|2<l>/2m<U> - удельная проводимость.

  1. Зависимость от температуры. <l> очень мало, <U>~√T, т е ~T-1/2 следовательно R~√T, но опыт показывает, что R~T.

  2. При попытке привести расчетное зн-ние  в соответствие с экспериментальным необходимо помнить, что <l> должно быть порядка размеров кристаллической решетки, что неразумно, т к в этом случае e свободно проходит сквозь всю решетку.

  1. Квантовая теория электропроводимости.

Эта теория основывается на квантовой механике и распределении Ферми-Дирака. =ne2<lF>/m<UF>. <UF> - средняя скорость движения е, обладающего энергией Ферми, <lF> - средняя длина свободного пробега этого е. Результаты расчетов полностью соответствуют эксперименту. EF(0) очень слабо зависит от Т следовательно <UF>=const. А <lF>~T-1, следовательно ~ T-1 и R~T. Механизм электропроводности: движение е рассматривается как волновой процесс. В случае идеальной кристаллической решетки электрические волны огибают узлы и металл не оказываект току сопротивление. В реальных решетках эл волны испытывают рассеивание на неоднородностях решетки, что и объясняет сопротивление.

3.Сверхпроводимость.

При определенных температурах T=Tкр в-во переходит в сверхпроводящее состояние без сопротивления (R=0) (Рис37). Возникает ток, который не прекращается при отключении магнитного поля. Св-ва сверхпроводников: 1) Tкр = 0,14 К для Ir и для Nb Tкр=9,42 К. 2) В 1986 создали матераиал для которого Tкр>30 К. Сейчас Tкр≈-180°С. 3) стр-ра решетки, мех и оптические св-ва в сверхпроводяем состоянии не изменяются. Сильно изменяются магнитные и тепловые св-ва, следовательно магнитные поля и сильный ток могут вывести в-во из сверхпроводящего состояния.

Опыт Мейснера: сверхпроводник выталкивает магнитное поле и внутри сверхпроводника В=0 (Рис38) |Bi|=|B0|. Магнит будет зависать в воздухе. По теории сверхпроводимости утверждается, что е при низких температурах подвержены притяжению и образуют куперовские пары из е с противоположно напр спинами. Бозоны в основном состоянии могут накапливаться в большом кол-ве и их трудно перевести в возбужденное состояние. Поэтому ток сверхпроводимости обусловлен дв-нием куперовских пар. На квантово-механическом языке притяжение между е объясняется как результат обмена между этими фотонами. Е приближаются на расстояние 10-4 см. При низких температурах преобладает притяжение, а при T> Tкр преобладает отталкивание и сверхпроводимость исчезает.

Соседние файлы в папке 0127925_F69C1_bilety_na_ekzamen_po_fizike_2010