Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Неразрушающий контроль. В 2 частях. Ч.2. Неразрушающий контроль в управлении качеством с применением мехатронных систем. Учебное пособие

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
07.09.2026
Размер:
2 Мб
Скачать
☆
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральное государственное бюджетное образовательное
учреждение высшего образования
«Тамбовский государственный технический университет»
К. П. ЛАТЫШЕНКО, А. А. ЧУРИКОВ, С. В. ПОНОМАРЕВ,
НЕРАЗРУШАЮЩИЙ КОНТРОЛЬ
В двух частях
Часть 2. НЕРАЗРУШАЮЩИЙ КОНТРОЛЬ
В УПРАВЛЕНИИ КАЧЕСТВОМ
С ПРИМЕНЕНИЕМ МЕХАТРОННЫХ СИСТЕМ
Утверждено Учёным советом университета в качестве учебного пособия для студентов бакалавриата направлений 27.03.02 «Управление качеством»,
15.03.06 «Мехатроника и робототехника» и студентов магистратуры направления 15.04.06 «Мехатроника и робототехника»
Учебное электронное издание
комплексного распространения
Тамбов
Издательство ФГБОУ ВО «ТГТУ»
2017
1
УДК 536.2(075.8) ББК ж102.3я73+Á32я73
Н54
Рецензенты:
Доктор технических наук,
заведующий лабораторией № 10 ФГБНУ «ВНИИТиН»
А. И. Петрашев
Доктор технических наук, профессор ФГБОУ ВО «ТГТУ»
П. С. Беляев
Кандидат технических наук, ведущий математик АО «ТНИИР «Эфир»
С. Н. Мочалин
Н54
ISBN 978-5-8265-1679-9 (ч. 2) ISBN 978-5-8265-1553-2 (общ.)
2
Неразрушающий контроль [Электронный ресурс] : учебное пособие для студентов бакалавриата направлений 27.03.02 «Управление качест­вом», 15.03.06 «Мехатроника и робототехника» и студентов магистратуры направления 15.04.06 «Мехатроника и робототехника» : в 2 ч. Ч. 2. Нераз­рушающий контроль в управлении качеством с применением мехатронных систем / К. П. Латышенко, А. А. Чуриков, С. В. Пономарев, Г. В. Мозгова, Н. А. Конышева. – Тамбов : Изд-во ФГБО
У ВО «ТГТУ», 2017. – 1 элек­трон. опт. диск (CD-ROM). – Системные требования : ПК не ниже класса Pentium II ; CD-ROM-дисковод ; 26,0 Mb RAM ; Windows 95/98/XP ; мышь. – Загл. с экрана.
ISBN 978-5-8265-1553-2.
Ч. 2: Неразрушающий контроль в управлении качеством с примене-
нием мехатронных систем. – 2017. – 100 экз.
ISBN 978-5-8265-1679-9
Описаны виды и методы контроля качества и испытаний промышленной про­дукции, приведены физические основы методов неразрушающего контроля, схемы устройств и методы измерений. Изложены основные разделы дисциплин «Методы и средства измерений, испытаний и контроля», «Информационно-сенсорные системы и устройства в мехатронике и робототехнике», «Информационные системы в меха­тронике», «Неразрушающий контроль» в соответствии с требован ных государственных образовательных стандартов.
Предназначено для студентов бакалавриата направлений 27.03.02 «Управле­ние качеством», 15.03.06 «Мехатроника и робототехника» и студентов магистрату­ры направления 15.04.06 «Мехатроника и робототехника».
УДК 536.2(075.8)
Все права на размножение и распространение в любой форме остаются за разработчиком.
Нелегальное копирование и использование данного продукта запрещено.
© Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Тамбовский государственный технический университет» (ФГБОУ ВО «ТГТУ»), 2017
ББК ж102.3я73+Á32я73
иями Федера
ль-

ВВЕДЕНИЕ

В предлагаемой Вашему вниманию второй части учебного пособия приведены сведения об электрических, вихретоковых, радиоволновых, оптических и радиационных методах и средствах неразрушающего кон­троля (НК) и испытаний.
В первой главе «Электрические методы и средства контроля» рас­смотрены теоретические и практические основы: электроёмкостного, электропотенциального, термоэлектрического, электроискрового, трибо­электрического и электрографического методов и средств нер го конт
роля.
Во второй главе «Вихретоковые методы и средства контроля» приве­дены теоретические и практические аспекты принципа действия: источ­ников электромагнитного поля в виде одной или двух индуктивных кату­шек и их взаимодействия с объектами контроля; вихретоковых дефекто­скопов на основе абсолютных или дифференциально-трасформаторных преобразователей (ВТП); проходных, погружных и экр накладных ВТ
П с круглой катушкой; накладных локальных ВТП; схем приборов, реализующих амплитудный, амплитудно-частотный и авто­генераторный способы выделения информации; вихретоковых толщино­меров, структуроскопов и металлоискателей; импедансный метод, приме­няемый для выявления дефектов типа непроклея, расслоения и аномалии плотности композиционных и сотовых материалов; ударный метод, исполь­зуемый для э
кспресс-кон
троля больших площадей сотовых материалов.
В третьей главе «Радиоволновые методы и средства контроля» рас­смотрены теоретические основы принципа действия и работы методов и средств неразрушающего контроля, базирующихся на регистрации изме­нения параметров электромагнитных колебаний с частотами от несколь­ких герц и до 3⋅10
12
Гц (радиоволн) в процессе их взаимодействия с объ-
ектом контроля, в том числе: радиоволновый контроль по прошедшему излучению, резонансный метод радиволнового контроля, амплитудно­фазовый метод измерения толщины, импедансный метод СВЧ, частотный фазовый метод, поляризационный метод дефектоскопии, метод поверхно­стных волн, радарные уровнемеры, принцип действия и технические характеристики отечественных георадаров.
азрушающе-
анных ВТП;
3
В четвёртой главе «Оптические методы контроля» приведены теоре­тические и практические аспекты применения оптического излучения (в видимой, инфракрасной и ультрафиолетовой частях спектра) для реше­ния задач НК показателей качества веществ, материалов и изделий.
В пятой главе «Радиационные методы и средства контроля» обсуж­даются принципы действия методов и средств неразрушающего контроля, основанных на рег
страции альфа-частиц, бета-частиц, гамма-излучения
и и медленных нейтронов после взаимодействия радиоактивного излучения с объектом контроля. Рассмотрены радиографический метод, электро­рентгенографический метод, метод нейтронной радиографии, метод ра­диационной интроскопии, радиометрический метод радиационного НК, рентгеновские и радиоактивные измерители толщины материалов, элек­тронные микроскопы, рентгенофлуоресцентный метод анализа, метод ядерного магнитного р
езонанса (ЯМР),
метод компьютерной томографии.
Учебное пособие будет полезно студентам бакалавриата, магистра­туры, аспирантам, инженерам и специалистам промышленных предпри­ятий, а также сотрудникам научно-исследовательских учреждений, спе­циализирующимся в областях проектирования, разработки, практического применения и исследования методов и средств, предназначенных для не­разрушающего контроля (и испытаний) показателей качества материалов, образцов и изделий.
4
Глава 1. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ
И СРЕДСТВА КОНТРОЛЯ
Электрические методы НК основаны на регистрации электрических
полей и электрических параметров ОК.
Электрическое поле – частная форма проявления (наряду с магнит­ным полем) электромагнитного поля, определяющего действие на элек­трический заряд со стороны поля силы, не зависящей от скорости движе­ния заряда.
По своим электрическим свойствам все вещества разделяют на про-
–14
рики.
S, молекулы или
2
6
–12
…10
См/м) (Сименс, E. Siemens – немец-
…108 См/м) и
водники, п
олупроводники и диэлект
В проводниках электрические заряды могут перемещаться под дей­ствием электрического поля.
В отличие от проводников вещества, плохо проводящие электриче­ский ток, называют диэлектриками (англ. dielectric, от греч. δια – через, сквозь и англ. electric – электрический). Термин «диэлектрик» был введён Фарадеем (M. Faraday – английский физик, 1791 – 1867) для обозначения веществ, в которые проникает электрическое поле. Под действием элек-
ого то
трическ
ка в диэлектриках происходит упругое смещение разно-
имённых зарядов, т.е. поляризация.
Механизмы поляризации диэлектриков зависят от характера химиче­ской связи. Например, в ионных кристаллах (NaCl и др.) поляризация яв­ляется результатом сдвига ионов (от греч. ιον – идущий) друг относи­тельно друга (ионная поляризация) и деформации электронных оболочек
х ионов (электронная поляризация).
отдельн
ы
В кристаллах с ковалентной связью (например, алмаз) поляризация обусловлена главным образом смещением электронов, осуществляющих химическую связь.
В полярных диэлектриках, например твёрдый H радикалы представляют собой диполи. Диполь (от греч. δι – приставка, означающая дважды, двойной и πολοσ – полюс) – совокупность двух рав­ных по абсолютной величине разноимённых точечных зарядов, находя­щихся на некотором расстоянии друг от друга. Такая ориентационная по­ляризация типична для многих жидкостей и газов.
Промежуточное положение между проводниками и диэлектриками за-
упроводники. Полупроводники – обширный класс веществ, харак-
нимают по
л теризующийся значениями удельной электрической проводимости (УЭП) χ, промежуточными между проводимостью металлов (χ = 10 хороших диэлектриков (χ = 10 кий электротехник и промышленник, 1816 – 1892).
5
Различают следующие методы (ГОСТ 2535–82) электрического НК: – термоэлектрический, регистрирующий величину термоЭДС, воз-
никающую при контакте нагретого образца известного материала с ОК;
– трибоэлектрический, основанный на регистрации величины элек-
трических зарядов, возникающих в ОК при трении разнородных материалов;
– электропотенциальный, регистрирующий распределение потен-
циалов по поверхности ОК;
– электроёмкостный, основанный на регистрации ёмкости участка ОК;
еский
– электростатич
порошковый, основанный на регистрации
электрических полей рассеяния с использованием в качестве индикатора неэлектризованного порошка;
– электропараметрический, при котором регистрируют электриче-
ские характеристики ОК;
– электроискровой, основанный на регистрации возникновения электрического пробоя и(или) изменений его параметров в окружающей ОК среде или на его участке;
– рекомбинационного излучения, основанный на регистрации реком-
ионного излучения р-п-переходов в полупроводниковых изделиях;
ц
бина
– экзоэлектронной эмиссии, основанный на регистрации экзоэлек­тронов, эмитированных поверхностью контролируемого объекта при при­ложении к нему внешнего стимулирующего воздействия;
– контактной разности потенциалов, основанный на регистрации контактной разности потенциалов на участках ОК, через который пропус­кается электрический ток.
р
Кроме того, известен метод визуализации и фотог
афирования
в электромагнитных полях высокой напряжённости.
В электрических методах НК изделие помещают в постоянное или переменное электрическое поле, создаваемое между электродами, контак­тирующими с электропроводящим ОК (электропотенциальный метод), либо между обкладками электрического конденсатора, диэлектриком ко­торого служит изделие (электроёмкостный метод). Электрическое поле в ОК может создаваться также путём электр
изации изделия тр
ением (три­боэлектрический метод). Фиксируя тем или иным способом параметры электрического поля в ОК, либо параметры электрических цепей, вклю­чающих весь объект или его часть, можно судить о свойствах или состоя­нии изделия. Для регистрации параметров этого поля используют топо­графию электрического поля, например изменения эквипотенциальных
й электрический параметр, как раз-
поверхностей или линий, либо так
о ность потенциалов между точками, находящимися на фиксированном рас­стоянии друг от друга.
В качестве регистрируемых при контроле электрических параметров ОК применяют: электрическое сопротивление R, электрический ток I, электрическую ёмкость С, относительную диэлектрическую проница­емость (ДП) ε
6
, тангенс угла диэлектрических потерь tgδ, термоЭДС Е.
r
Для контроля конкретных объектов выбирают один параметр или их совокупность, коррелированных с контролируемыми параметрами объек­та. Например, ДП ε
связана с соотношением компонентов гетерогенных
r
(от греч. ηετερογενεσ – разнородный) сред, что позволяет определять ко­эффициент армирования (укрепления) композиционного материала (КМ).
Электроёмкостный метод базируется на зависимости электриче­ской ёмкости и(или) тангенса угла диэлектрических потерь первичного измерительного преобразования (ПИП) в виде электрического конденса­тора от информативного параметра ОК. Если ОК выполнен из диэлектри­ка (пластик, бумага, комп
озит и т
.д.), то электрическое поле в нём созда­ётся электроёмкостным преобразователем (конденсатором), обкладки которого подключают к генератору переменного напряжения. Если же ОК электропроводящий, например металлический, или содержит диэлектри­ческие слои на электропроводящей основе, то одной из обкладок электро­ёмкостного преобразователя может служить само изделие либо его элек­тропров
о
дящая основа. Возможно также размещение электропроводящего
ОК между обкладками конденсатора.
Информативными параметрами электроёмкостного ПИП являются электрическая ёмкость С и тангенс угла диэлектрических потерь tgδ. С ними коррелируют различные характеристики ОК: относительная ДП ε
r
размеры и форма, плотность, состав, влажность, степень полимеризации и старения полимерных материалов, наличие и размеры нарушений сплош­ности (пустот, включений), прочность, предел пластичности, внутренние механические напряжения и т.д.
Степень корреляции информативных параметров емкостного ПИП С и tgδ с перечисленными параметрами ОК всегда различна. Так, ёмкость С сильно зависит от ε
, но в то же время значения С зависят от геометриче-
r
ских параметров, влажности, состояния поверхности, степени полимери­зации и др. Очевидно, что ёмкость ПИП зависит и от неинформативных параметров: состава и состояния ОС, например от давления, температуры и влажности воздуха. Значение тангенса угла диэлектрических потерь в значительной мере определяется составом и влажностью объ
кта, сте-
е пенью полимеризации его материала. Поскольку выходные параметры ПИП С и tgδ зависят от многих параметров ОК, необходимо принимать меры для выделения информации об измеряемых параметрах.
В зависимости от расположения ОК и электродов ПИП их можно разделить на накладные и проходные. Электроды накладных датчиков расположены с одной стороны изделия, а элект
род
ы проходных охваты­вают его с разных сторон. Накладные преобразователи используют чаще для контроля объектов с плоскими поверхностями, а проходные – для
,
7
контроля линейно протяжённых объектов (проволока, пряжа, волокна).
−
Обычно их выполняют в виде погружаемых в контролируемую среду электродов либо в виде сосудов, заполняемых контролируемой средой. Такие преобразователи используют для измерения состава, влажности, дисперсности сыпучих материалов.
ДП и тангенс угла диэлектрических потерь материала ОК вычисляют
по формулам:
СС
12
1
=ε
м
r
= (tgδп2 – tgδп1)
tgδ
м
+
С
; (1)
0
⎛ ⎜
⎝
⎞
1
, (2)
−
1
⎟
ε
⎠
м
r
где С0 – начальная ёмкость ПИП (без ОК); С1, С2 – ёмкости ПИП без ОК и с ним (с учётом влияния паразитных ёмкостей); tgδ диэлектрических потерь без ОК и с ним; ε
– ДП материала изделия.
rм
, tgδп2 – тангенс угла
п1
Для измерения размеров диэлектрических, полупроводниковых и
проводящих объектов применяют накладные и проходные ПИП.
Толщину диэлектрических линейно протяжённых объектов измеряют бесконтактным способом с помощью двух электродов, между которыми существует зазор h, куда вводят ОК. Тогда, зная параметры преобразова­теля S (площадь электродов) и h, а также ε ренной ёмкости С можно определить толщину изделия
T
где
ε – ДП вакуума.
0
ε
ε=
r
C
Здесь учтено, что толщина воздушного слоя T
материала изделия, по изме-
r
−
ChS
0
, (3)
)ε1(
−
0
= h – T.
в
Аналогично можно определить толщину диэлектрика и в случае электродов с цилиндрической поверхностью, используя формулы для ёмкости цилиндрического конденсатора с двухслойным диэлектриком.
Электроёмкостные ПИП для измерения размеров находят примене­ние для измерения диаметра тонкой (до нескольких микрометров) прово­локи, текстильных нитей и волокон, толщины диэлектрических, полупро­водниковых и проводящих пластин, лент, плёно
к. Во многих случа
ях они
успешно конкурируют с оптическими и вихретоковыми приборами.
Контролируя непрерывно значения параметров ε
и tgδ, можно сле-
r
дить за кинетикой (от греч. κινεσισ – движение) химических процессов, кристаллизацией, полимеризацией (отверждением), старением, вулкани­зацией и др.
8
Плотность материала обусловлена его макроструктурой, которая зависит от числа поляризуемых частиц в единице объёма, также связана с его диэлектрическими параметрами. Радиопрозрачность как показатель изменения амплитуды и фазы радиоволны, проходящей через слой мате­риала, зависит от его состава, структуры и толщины. При этом tgδ опре­деляет затухание волны, ε раметра. По измеренным ε
– фазовый сдвиг, а толщина влияет на оба па-
r
композита можно определить характеристики
r
состава и структуры, например коэффициент армирования и диэлектриче­ские параметры компонентов, используя формулы для вычисления сред­него значения ДП гетерогенных систем.
Электроёмкостные ПИП широко применяют для измерения влажно­сти различных материалов по значениям ε
, поскольку ДП воды εr и боль-
r
шинства пластмасс, композитов, текстиля, зерна, угля и других материа­лов различная. Для свободной (гигроскопической) воды ε названных материалов ε
не превышает 10.
r
≈ 80, а для
r
ПИП электроёмкостных влагомеров имеют различную конструкцию, определяемую состоянием контролируемого материала (твёрдый, сыпу­чий). Диапазон влажности также зависит от возможных значений ε
для
r
конкретных материалов (рис. 1, 2). Так, влажность зерна можно опреде­лить в диапазоне 8…35%, бумаги и текстиля – 5…30%, угля – 5…20%, а диапазон измерений универсальных влагомеров составляет 0…80%. Погрешность измерения равна 0,3…2,0%.
Электропотенциальный метод основан на регистрации распреде­ления электрического потенциала по поверхности ОК. Распределение по­тенциала определяется свойствами ОК, проводящего электрический ток, который создаётся внешним источником. Метод используют главным об-
м для дефектоскопии электропроводящих объектов, в частности, для
о
раз измерения глубины трещин.
На рисунке 3 показаны электрические поля в электропроводящей пластине при отсутствии и наличии в ней трещины. С помощью электро­дов 1 и 2, называемых токовыми и установленных по разные стороны трещины, глубину которой необходимо измерить, к пластине по электрически
й ток.
дводят
Рис. 1. Электроёмкостный
влагомер
Рис. 2. Контроль влажности
электроёмкостным влагомером
9
V
0 Vд
1 3 4 2 1 3 4 2
а) б)
Рис. 3. Картины поля в электропроводящем ОК:
а – без трещины; б – при наличии трещины
Вектор плотности тока J в пластине определяется вектором напря-
жённости электрического поля Е и совпадает с ним по направлению:
J = χE. На этом рисунке показаны линии равных значений плотности тока (сплошные) и линии равных значений электрического потенциала (штри-
ховые), называемые эквипотенциалями, которые взаимно ортогональны.
Из сопоставления картин поля рис. 3, а, б следует, что тр
в пр
оводящей среде, ориентированная поперёк изолиний тока, вызывает
искажение изолиний плотности тока и эквипотенциалей.
Это можно обнаружить, измеряя разность потенциалов между двумя точками на поверхности, с помощью потенциальных электродов 3 и 4, рас­стояние между которыми фиксировано. Очевидно, что степень искажения эквипотенциалей зависит от глубины трещины h, по циалов U между потенциальными электродами определяется значением h.
Разность потенциалов U зависит также от ширины трещины, тока ис­точника, УЭП χ материала и геометрических параметров ОК. Влияние ширины трещины проявляется при отношении её ширины к глубине, большем 0,1. На практике это отношение обычно меньше 0,1, поэтому влиянием изменения ширины тр
Электропотенциальные измерители глубины трещин позволяют измерять глубину трещин от 0,1 до 120,0 мм с погрешностью 10…20%. Они просты в устройстве и эксплуатации, имеют малые габариты, массу (2…5 кг) и стоимость (рис. 4). Эти приборы почти вне конкуренции, поскольку возможности УЗ-дефектоскопов в измерении глубины трещин ограничены, а радиационные дефектоскопы сложнее и требуют би ческой за
щиты.
На рисунке 5 показан электропотенциальный толщиномер на пере­менном токе с диапазоном измерений 0,2…100,0 мм.
10
ещины мо
этому разн
жно пренебречь.
ещина
ость потен-
ологи-
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]