Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Наноматериалы и сверхкритические флюидные нанотехнологии в нефтедобыче и нефтепереработке. Учебно-методическое пособие

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
07.09.2026
Размер:
2 Мб
Скачать
☆
21
при которой возникают частицы новой фазы, определяемая отклонени­ем давления P от равновесного давления фазового перехода P0.
Образование зародышей в процессе кристаллизации происходит из смеси мономеров, димеров, тримеров и других структурных еди­ниц, присутствующих в растворе, вследствие встречи и коагуляции молекул растворенного вещества. Гомогенное первичное образование зародышей происходит спонтанно в объеме маточного раствора. Что­бы быть устойчивыми в растворе, эти олигомеры должны преодолеть тенденцию к растворению и сориентироваться в нужном направлении. Тогда говорят о зародышах кристаллов.
Начиная с жидкой или газообразной фазы, кристаллизация ведет к образованию частиц твердого тела. Это сложное явление, которое может быть разделено на четыре отдельные, но связанные фазы, кото­рые показаны на рис. 1.11.
Рис. 1.11. Изменение количества и размеров частиц (a), концентрации
растворенного вещества (б) в ходе осаждения
Во время первого этапа (I), который можно назвать затравкой, среда обогащается растворенным веществом до насыщения системы. Второй этап (II) соответствует фазе образования зародышей, во время которой появляются кристаллы. В ходе третьего этапа (III) наблюдают рост кристаллов. И, наконец, последняя фаза (IV) соответствует даль­нейшей эволюции кристаллов.
22
Образование зародышей кристаллов (этап II) определяется из­менением свободной энергии Гиббса, которая является суммой двух антагонистических сил, потому что надо создать поверхность и объем. Действительно, зародыш склонен уменьшать свою энергию поверхно­сти, тогда как раствор приносит энергию образования объема смеще­нием перенасыщения. Если считать, что формирующийся зародыш яв­ляется шаром с радиусом r, то применяют следующее уравнение:
 


 , (1.2)
где γgl – межфазное натяжение между зародышем и жидкостью; Vm – объем молекулы в зародыше; ∆Gs и ∆Gv соответствуют энергии поверхности и объема.
В ненасыщенном и насыщенном паре работа образования моле­кулярного комплекса ∆G постоянно возрастает с увеличением размера кластера. В пересыщенном паре, т.е. при S > 1, часть комплексов дос­тигает критического размера g*, когда испарение одной молекулы приводит к уменьшению размера ассоциата и обычно к последующему испарению кластера. Присоединение одной молекулы к кластеру уве­личивает его размер. Равновесное давление пара над ним понижается, и кластер начинает самопроизвольно расти. Это сопровождается уменьшением потенциала Гиббса. Как только зародыш преодолеет свой критический размер, он будет расти до тех пор, пока среда будет пересыщенной. Общий механизм роста в растворе можно разделить на два этапа: перенос вещества раствора к поверхности кристалла, за ко­торым следует внедрение этого вещества в грани кристалла.
Механизм первичного образования зародышей становится гете­рогенного типа, если зародыш образуется на опоре либо на подложке, действующих как катализатор образования зародышей.
В этом случае надо рассматривать три типа межфазной энергии: между зародышем и жидкостью γgl, между подложкой и жидкостью γsl, между зародышем и подложкой γgs. Они связаны между собой соот­ношением Янга:
 , (1.3)
где α ‒ угол контакта зародыша с подложкой.
Если снова предположим, что формирующийся зародыш – это шар с радиусом r, свободная энтальпия критической активации гете-
23
рогенного первичного образования зародышей ∆Ge
crit
, являющаяся
функцией угла контакта α, примет для r
crit
следующий вид:




, (1.4)
где 
󰇛
󰇜󰇛
󰇜
.
Когда ≤ 1, свободная энергия активации ∆Ge в большинстве случаев меньше свободной энергии активации гомогенного первично-
го образования зародышей. Понять это легко, потому что при том, что образование зародыша кристалла происходит на ранее существовав­шей опоре, количество требующихся для его образования молекул ме­нее важно.
Описание кинетики образования зародыша новой фазы было предложено Фольмером и Вебером и получило аналитическое выра­жение для скорости нуклеации:

󰇛
 
󰇜
, (1.5)
где К – кинетический множитель, характеризующий частоту столкно­вений пара с поверхностью зародыша; А – работа, затраченная на об­разование критического зародыша.
На скорость образования зародышей влияют те же параметры, что влияют и на свободную энтальпию, а именно рост S и T либо сни­жение γgl способствуют образованию зародышей (при прочих равных условиях).
Любой процесс, где препараты построены из составляющих их единиц (полимеры, макромолекулы, молекулы, атомы) синтетическим путем, к которому относятся сверхкритические методы получения ча­стиц, значительно зависит от изменения во время осаждения степени перенасыщения (S). От степени перенасыщения зависят зародышеоб­разование и кристаллический рост на каждом этапе образования ча­стиц. Например, в процессе осаждения, где быстро достигается высо­кий уровень перенасыщения (рис. 1.12, кривая А), прослеживается вы­сокая однородность профиля перенасыщения по всему раствору. Яв­ление зародышеобразования в таком случае будет доминировать над кристаллическим ростом. Следовательно, будут образовываться чрез-
24
вычайно маленькие монодисперсные частицы. В процессе осаждения кривой B, изображенной на рис. 1.12 с профилем S, растворенное ве­щество лишено примесей. Кристаллизация является доминирующим процессом над процессом зародышеобразования, что приводит к большим сформированным кристаллам с широким распределением размеров частиц.
Рис. 1.12. Качественный профиль перенасыщения
В процессах, включающих в себя осаждение из обычных жид­ких растворителей, перенасыщение достигается изменением темпера­туры или состава системы (например, добавкой антирастворителей, солей). При использовании таких процессов осаждения возникают трудности для прямого получения микро- и наночастиц, так как изме­нение температуры и состава в жидких средах проходит медленно, а для достижения величиной S больших значений требуются эффектив­ные активные системы. Использование сверхкритических флюидов позволяет преодолеть эти недостатки.
Рост кристаллов. Как только зародыш преодолеет свой крити­ческий размер, он будет расти (см. рис. 1.11, этап III), пока среда будет пересыщенной. Общий механизм роста в растворе можно разделить на два этапа: перенос вещества раствора к поверхности кристалла, за ко­торым следует внедрение этого вещества в грани кристалла. К сожа­лению, нет простого и общего способа выражения скорости роста кри-
25
сталла Jc, ибо она зависит от сложного сочетания таких факторов, как температура, пересыщение, размер элементарной ячейки кристалличе­ской решетки и др. Тем не менее можно записать общее феноменоло­гическое уравнение типа
󰇛
󰇜
, (1.6)
где K – общий коэффициент обмена; n – общий кинетический поря­док роста; ∆C – полное пересыщение, определяемое как C-Cs.
Данное уравнение может интегрировать разные механизмы, действующие на кинетику роста, и объяснить его кинетику.
Развитие кристаллов. Этот этап – один из важнейших, так как он определяет конечные характеристики образующегося твердого ве­щества. На этой стадии частицы не обязательно пребывают в состоя­нии термодинамического равновесия. Следовательно, кристаллы мож­но развить фазовым переходом, агломерацией или созреванием.
Агломерация. Агломерация – важное явление при осаждении, потому что она прямо влияет на распределение частиц по разме­рам. Она происходит в результате объединения первичных частиц, связанных между собой кристаллическими мостиками, и ее можно разделить на три последовательных этапа: слипание, ассоциация и укрепление.
Созревание. Даже если рост частиц не завершен полностью, со- зревание может начаться и длиться в течение очень долгих периодов. Если это явление происходит при постоянной температуре, говорят о созревании Освальда.
Согласно рис. 1.11, как только заканчивается рост, концентра­ция достигает величин, близких к величинам растворимости. В этой стадии кристаллы часто бывают разных размеров, так как они образо­вались в разные моменты. Для того чтобы быть устойчивой в растворе, частица с критическим радиусом r
crit
должна иметь критическую кон-
центрацию Cs
crit
выше общей концентрации насыщения. Поэтому
можно предвидеть поведение кристаллов в зависимости от их радиу­сов r: если r > r
crit
, частица будет расти, так как для нее это соответ-
ствует пересыщенному раствору; и, напротив, если r < r
crit
, частица
растворится. Тогда происходит явление растворения/перекристал­лизации. Малые кристаллы, обреченные на исчезновение, растворятся на благо больших, которые извлекут это вещество для роста. В теории этот процесс продолжается, пока кристаллы не станут одинакового размера.
26
Из рис. 1.11 можно заметить, что структурные, морфологиче­ские и размерные характеристики тесно зависят от II–IV этапов (обра­зование зародыша, рост и созревание) процесса образования частиц. Но не так легко контролировать размер частиц, так как этапы образо­вания зародыша и роста трудно разделимы. На протяжении многих лет существует большой интерес к разработке приемов, позволяющих контролировать размеры и морфологию частиц.
1.7. Математическое моделирование процессов
зародышеобразования и роста частиц в процессах
расширения сверхкритических растворов в микронных
каналах и свободной струе
В результате перенасыщения сверхкритического раствора в пределах канала расширения и в свободной струе рост и образование частиц происходят за счет двух явлений. Первое – это образование критических зародышей, которые способны к дальнейшему росту, второе – конденсация одиночных молекул на поверхностях критиче­ских зародышей и на поверхностях растущих частиц. Подразумевает­ся, что процессы зародышеобразования и конденсации частиц сфери­ческих форм протекают равномерно в каждой точке расширяющегося потока.
Скорость образования критических зародышей рассчитывается по уравнению



󰇛
󰇜

󰇫

󰇡
󰇛
󰇜


󰇢


󰇬 (1.7)
где
2
S
– молярный объем вещества в твердой фазе (
2
S
= m2 /
3
L;
L – число Авогадро;
3
– плотность вещества в конденсированном со-
стоянии); m2 – молярная масса субстанции; y2 – реальная мольная доля растворенного метилпарабена, ибупрофена во флюидной фазе; N2 – концентрация растворенного во флюидной фазе метилпарабена и
ибупрофена; S – перенасыщение (
eq
yyS
22
/=
); y
2
eq
– равновесная моль-
ная доля растворенного метилпарабена и ибупрофена во флюидной фазе; K – коэффициент кристаллизации;  – поверхностное натяжение
на границе флюид–фармацевтическая субстанция; k – постоянная Больцмана.
27
Уравнение для расчета конденсации одиночной молекулы на g-мерной сферической частице имеет вид
󰇛󰇜󰇛
󰇜
󰇡 

󰇛󰇜
󰇢󰇡


󰇢
  (1.8)
где N
2
eq
(g) – равновесная концентрация на поверхности сфериче-
ской g-мерной частицы; g – количество молекул в частице;
Λ – параметр функции конденсации, характеризующий кинетику роста частиц.
Коэффициент диффузии D растворенного вещества в сверхкри­тическом растворителе рассчитывается из уравнения
  





(1.9)
где единица измерения D (м
2с–1
); M (г моль–1) – молярный вес раство-
рителя;  (см
–3
моль
–1
) – молярный объем твердого растворенного ве-
щества;
(кгм–1с
–1
) – вязкость чистого растворителя.
Число Кнудсена рассчитывается из уравнения

(1.10)
где – средний путь свободного пробега молекул, который определя-
ется по уравнению

 
󰇡


󰇢
(1.11)
где  ‒ плотность сверхкритического диоксида углерода; m1 – моляр­ная масса сверхкритического CO2.
Размер критических ядер
рассчитывается по уравнению


󰇩


󰇪
 

(1.12)
Радиус критических ядер находится по уравнению
 󰇣


󰇤
 

(1.13)
28
В процессе расчета динамики роста частиц струя потока сверх­критического раствора разбивается на элементарные объемы, в преде­лах которых остаются постоянными такие параметры, как температу­ра, давление, скорость и плотность. В каждом элементарном объеме из-за перенасыщения одновременно образуются новые частицы, и су­ществующие частицы вследствие конденсации начинают расти. При переходе к следующему элементарному объему образуются новые фракции частиц с одинаковыми размерами. Если принять j порядко­вым номером элементарных объемов, i – порядковым номером фрак­ции частиц, в таком случае можно записать уравнение динамики обра­зования новых частиц:
󰇛
󰇜



(1.14)
󰇛
󰇜


(1.15)
где Tj – температура в объеме j; N
ij
– количество частиц; 

– время
прохождения элементарного объема j; Pj – давление в объеме j;

– j-й объем. Через количество молекул, осаждаемых за счет кон-
денсации, можно определить рост частиц в пределах элементарного объема:

󰇛
󰇜
. (1.16)
Комбинируя уравнения (1.6) и (1.7), можем записать уравнение зависимости диаметра частиц от содержащихся в нем молекул:
󰇛
󰇜



(1.17)
В случае, когда j принимает максимальное значение, итоговое распределение частиц по размерам рассчитывается из уравнения


и  (1.18)
Средний размер частиц определяется следующим образом:


(1.19)
29
Для моделирования зародышеобразования и роста частиц во всем интервале расширяющегося потока необходимо знать поля тем­пературы, давления, плотности и скорости. Для этого в данной работе поток сверхкритического раствора в расширительном устройстве по­стоянного сечения (рис. 1.13) рассматривается двухмерным, осесим­метричным, стационарным, вязким и сжимаемым. Расчеты ведутся в областях канала расширения (1–2)аи свободной струи (2–3).
Рис. 1.13. Упрощенная схема расширительного устройства:
1–2 – канал расширения; 2–3 – свободная струя
Для описания гидродинамики процесса расширения из резервуара бесконечного объема через микронный канал с постоянным сечением при учете трения можно применить систему дифференциальных урав­нений сохранения массы, сохранения импульса, сохранения энергии и уравнения состояния. Так как раствор сверхкритический, СО2–ибу- профен является разбавленным, то для гидродинамических расчетов ис­пользуется уравнение состояния для чистого диоксида углерода.
Для случая двухмерного (2D) осесимметричного потока уравне­ние сохранения массы в цилиндрических системах координат запи­шется в виде

󰇛

󰇜

󰇛

󰇜


(1.20)
где х – осевая координата;  – плотность; r – радиальная координата;
 – осевая скорость и
– радиальная скорость.
Уравнение сохранения импульса в общем виде записывается в виде

   󰇛
󰇜
  
(1.21)
где р – статическое давление;
– плотность;  – тензор напряжений;
 и
являются силой тяжести тела и внешней силой, зависящей от условий задачи.
30
Для двумерного осесимметричного потока радиальные и осевые уравнения сохранения импульса имеют вид


󰇛

󰇜


󰇛

󰇜

 





 
󰇛

󰇜



󰇣 󰇡




󰇢󰇤 (1.22)


󰇛

󰇜


󰇛

󰇜

 


 








󰇣 


 
󰇛
󰇜󰇤  

󰇛
󰇜 
(1.23)
где
  




(1.24)
В уравнениях (1.23) и (1.24) величина
– радиальная скорость;
 – осевая скорость;  – молекулярная вязкость.
Закон сохранения энергии в цилиндрических системах коорди­нат записывается в виде

󰇛󰇜
  󰇡󰇍 
󰇢
 

. (1.25)
Для нашего случая уравнение энергии решается в следующей форме:
 󰇡󰇍 
󰇢
   󰇛  
󰇜
(1.26)
где  
где E – полная энергия; k – молекулярный коэффициент теплопровод-
ности;  – молекулярный коэффициент вязкости.
В уравнениях (1.21)–(1.26) используются молекулярные коэф­фициенты переноса, так как течение в канале L/D < 10 рассматривает-
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]