Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Аналоговая и цифровая схемотехника. Средства измерения. Учебное пособие

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
07.09.2026
Размер:
2 Мб
Скачать
21
полном облучении составляет, в общем случае, 100…200 Ом, а в полной темно­те это сопротивление составляет порядка МОм.
Фотогенерирующие преобразователи. Солнечные элементы представ- ляют собой фотоэлектрические преобразователи, которые превращают погло­щаемую электромагнитную энергию в электрическую. Изменение интенсивно­сти излучения преобразуется в изменение выходного напряжения (рис. 2.9). Они используют эффект генерации пар носителей в зоне обыкновенного или вырожденного p-n перехода.
фотоэлектрический
слой
электромагнитное
излучение
прозрачный
электрод
электрод
изменение
напряжения
Рис. 2.9. Солнечный элемент
Конструкция преобразователя включает в себя слои фоточувствительного высокоомного материала, размещенного между двумя проводящими электро­дами. Один из электродов выполнен из прозрачного материала, через который проходит излучение и попадает на фоточувствительный материал. При полном освещении один элемент вырабатывает выходное напряжение между электро­дами около 0,5 В.
Фотоумножители
9
. Фотоумножители — это приборы, использующие
свойство лавинообразной вторичной эмиссии электронов под действием уско­ряющего электрического поля. Они обладают очень высокими значениями ко­эффициентов чувствительности. Применяются для регистрации слабых оптиче­ских излучений.
+
электроны
электромагнитное
излучение
Рис. 2.10. Фотоумножители
9
URL: https://myrepititor.ru/sau/non-electric-conversation/fotoumnozhiteli (дата обращения: 11.08.2025).
22
Фототранзисторы
10
. Фототранзисторы представляют собой полупро-
водниковые приборы, управление которыми производится по оптическому ка­налу. Фототранзистор отличается от обычного полупроводникового триода тем, что он выполняется в прозрачном корпусе, который пропускает световое излу­чение. Свет, падающий на переход коллектор-база фототранзистора (p-n пере­ход с отрицательным смещением), вызывает в базе фототок, который усилива­ется с коэффициентом усиления транзистора, что приводит к весьма большому току эмиттера.
Ток эмиттера фототранзистора определяется из следующего соотношения:
IЭ = (1 + hФ) IФ, (2.5)
где hФ — коэффициент усиления транзистора по постоянному току;
фототок базы.
2.7. РЕЗИСТИВНЫЕ ДАТЧИКИ11
Большим классом измерительных преобразователей являются резистив­ные преобразователи, принцип действия которых основан на преобразовании значения измеряемой величины в изменение сопротивления. Это преобразова­ние может быть вызвано различными эффектами в преобразующем элементе, например, нагреванием или охлаждением, механическим напряжением, воздей­ствием светового потока (как в фотопроводящих преобразователях), увлажне­нием, осушением, механическим перемещением контактной щетки реостата.
Выделяют три вида резистивных датчиков:
потенциометрические датчики;
тензодатчики;
термосопротивления.
Потенциометрические датчики12. Одним из вариантов резистивного преобразователя является потенциометрический преобразователь, в котором изменение измеряемой величины преобразуется в изменение отношения напряжений вследствие изменения положения контактной щетки на резистив­ном материале (рис. 2.11). Определенный механический элемент преобразует изменение измеряемой величины в перемещение щетки.
10
URL: https://myrepititor.ru/sau/non-electric-conversation/fototranzistory (дата обращения: 11.08.2025).
11
URL: https://lk.dvgups.ru/public/upload/img_tpls/aaf6a0dfb9ac47fc476dc20d25a94213/images/Petrova_Jakovleva_
UP_8537F.pdf (дата обращения: 11.08.2025).
12
URL: https://myrepititor.ru/sau/non-electric-conversation/potenciometricheskie-datchiki (дата обращения:
11.08.2025).
23
Потенциометр, изображенный на рис. 2.11, можно представить в виде эк­вивалентной электрической схемы, представленной на рис. 2.12. Его выходное напряжение определяется выражением
IЭ = (1 + hФ) IФ. (2.6)
x
U
U
R
резистивный
элемент
Рис. 2.11. Потенциометрический датчик
R1
R2
U
U
R
Рис. 2.12. Эквивалентная схема потенциометрического датчика
Когда прикладываемое на вход прибора напряжение является постоян­ным и измеряемое значение определяется положением щетки потенциометра, выходное напряжение является функцией измеряемой величины. Некоторые преобразователи имеют непроволочные сопротивления, такие, как металлоке­рамическая подложка или проводящая пластиковая пленка. Встречаются по­тенциометры, в которых полный диапазон изменения положений щетки равен 270°, в то время как другие конструкции имеют диапазон в 10 или даже 20 пол­ных оборотов (3 600о или 7 200°).
Тензодатчики и термосопротивления13. Поскольку сопротивление про- водника определяется соотношением
R =
S
L
, (2.7)
13
URL: https://myrepititor.ru/sau/non-electric-conversation/tenzodatchiki-i-termosoprotivleniya (дата обра-
щения: 11.08.2025).
24
где удельное сопротивление материала;
L длина проводника; S площадь сечения проводника, сопротивление может изменяться при
любом колебании измеряемой величины, которая влияет на один или несколько входящих в это выражение аргументов.
Приведенная зависимость используется в тензодатчиках. Тензодатчики представляют собой тонкопленочный резистор, при механическом воздействии на который меняется величина его активного сопротивления за счет изменения сечения или длины резистивного слоя. Тензорезисторы используются при из­мерениях момента, веса и в других измерениях, связанных с изменением меха­нической напряженности конструкций.
L
резистивный
элемент
S
изменение
сопротивления
Рис. 2.13. Тензодатчик
Сопротивление иногда также изменяется при колебании температуры (термосопротивления). Для металла это изменение имеет линейную зависи­мость:
R = R0  (1 +   to), (2.8)
где R0 — сопротивление при исходной температуре;
to изменение температуры; температурный коэффициент сопротивления (ТКС).
В качестве материалов для изготовления металлических терморезисторов наиболее часто используются медь и платина. Типичными номиналами сопро­тивлений датчиков при 0 оС являются 50 и 100 Ом. Учитывая, что ТКС меди и платины близки, можно считать, что 50-омные датчики изменяют свое сопро­тивление примерно на 0,2 Ом/оС, а 100-омные — на 0,4 Ом/оС. Эта зависимость
25
может быть использована для определения сопротивления датчика при интере­сующей температуре.
При использовании в качестве материала, из которого изготовлен термо­резистор, полупроводника, за счет увеличения подвижности носителей с повы­шением температуры ТКС будет иметь отрицательное значение. В общем слу­чае зависимость сопротивления полупроводниковых терморезисторов от тем­пературы нелинейна, поэтому они, чаще всего, используются в приборах компарирующего типа.
В
Рис. 2.14
На рис. 2.14 представлены графики зависимости сопротивления от темпе­ратуры при различных значениях ТКС.
2.8. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДАТЧИКИ14
В качестве простейшего полупроводникового датчика обычно использу­ется p-n переход, конструктивно исполненный в виде полупроводникового дио­да. При этом p-n переход может использоваться в качестве детектора различ­ных воздействий окружающей среды: температуры, оптического или жесткого излучения и т. д.
В режиме прямого смещения p-n перехода прямое падение напряжения при фиксированном протекающем токе снижается линейно с коэффициентом пропорциональности примерно 2 мВ/оС.
В режиме обратного включения зависимость обратного тока от темпера­туры нелинейна, поэтому в таком режиме p-n переход используется в приборах компарирующего типа.
14
URL: https://myrepititor.ru/sau/non-electric-conversation/poluprovodnikovye-datchiki (дата обращения:
11.08.2025).
26
Датчиками оптического инфракрасного и ультрафиолетового диапазона p-n переход является в составе фотодиода, датчиком жесткого излучения в режиме обратного включения при лавинном пробое.
2.9. ДАТЧИКИ ХОЛЛА
15
Датчики Холла используют свойство воздействия магнитного поля на направленно движущиеся заряженные частицы. Когда проводник с протекаю­щим по нему током помещается в магнитное поле так, что направление тока оказывается перпендикулярным магнитным силовым линиям, образуется попе­речное электрическое поле, напряженность которого пропорциональна произ­ведению плотности магнитного потока на силу электрического тока. Этот эф­фект возникает в проводниках, однако наиболее существенен он в полупровод­никах, где известен под названием эффекта Холла. На рис. 2.15 показана полупроводниковая пластина, к которой приложено магнитное поле с индукци­ей B, перпендикулярное протекающему через нее току I, и возникающее при этом электрическое поле с напряженностью E. Отношение между магнитной индукцией, током и напряженностью электрического поля определяется следу­ющим образом:
E = K B I, (2.9)
где K коэффициент пропорциональности; зависит от геометрии проводника.
I
B
E
Рис. 2.15. Датчик Холла
Эффект Холла используется во многих типах преобразователей, предна­значенных для измерения магнитного поля, а также в бесконтактных переклю­чающих приборах.
15
URL: https://lektsiopedia.org/lek-13463.html?ysclid=me6pfqw13m117093765 (дата обращения: 11.08.2025).
27
2.10. СЧЕТЧИКИ ГЕЙГЕРА16
Счетчики Гейгера используются в качестве детекторов интенсивности ионизирующих излучений. Конструктивно они представляют собой газонапол­ненный цилиндр, внутри которого расположена осевая проволока, являющаяся одним из электродов. Другим электродом служит боковая поверхность цилин­дра, представляющая собой трубку. На электроды подается внешнее напряже­ние, которое создает в газе напряженность электрического поля, близкую к критической. При попадании в объем газа кванта ионизирующего излучения происходит лавинообразный разряд между электродами. Информацией об ин­тенсивности потока ионизирующего излучения может служить либо частота разрядов, либо суммарный ток, протекающий в цепи счетчика.
I
U
Рис. 2.16. Счетчик Гейгера
2.11. ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ17
Термоэлектрические преобразователи при своей работе используют эф­фект Зеебека, который заключается в том, что при создании контура из разно­родных металлов (например, платина и платинородий) в нем возникает ЭДС, зависящая от разности температур между холодным и горячим спаями.
Термоэлектрический преобразователь больше известен под названием термопары, в которой зонд состоит из двух спаев. Один из них размещается в точке, где производится измерение температуры, а второй — в точке опорной температуры (рис. 2.17). Разность потенциалов U1 – U2 образуется между двумя спаями (известна как контактная разность потенциалов), зависит от темпера­туры спаев и измеряется вольтметром. Таким образом, показания вольтметра отображают разность температур между спаями.
На практике не так просто достигнуть необходимой точности темпера­турных измерений с помощью термопар, как это может показаться из приве­денных выше рассуждений, поскольку соединение вольтметра с термоэлектри-
16
URL: https://lektsiopedia.org/lek-13463.html?ysclid=me6pfqw13m117093765 (дата обращения: 11.08.2025).
17
URL: https://lektsiopedia.org/lek-13464.html?ysclid=me6ppxcjmw984127258 (дата обращения: 11.08.2025).
28
ческой схемой само по себе образует новый спай в схеме. Кроме того, объект, температура которого измеряется, может находиться на некотором расстоянии от вольтметра, что затрудняет процесс формирования стабильной опорной тем­пературы.
U
2
U
1
спай при
опорной
температуре
спай при
неизвестной температуре
V
Pt, Ro
Pt
Рис. 2.17. Термопара
Для достижения максимальной точности применяются специальные таб­лицы наиболее распространенных типов термопар, в которых разность темпе­ратур (обычно по отношению к опорной температуре 0 °С) сопоставляется со значениями генерируемой ЭДС.
29
3. ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ НАПРЯЖЕНИЯ В ТОК (ПНТ)18
При передаче по линии связи аналоговой информации об измеряемой ве­личине наибольшее распространение получили токовые сигналы, так как зна­чение протекающего тока одинаково во всех точках контура и, соответственно, на передаваемую информацию не оказывает влияние сопротивление линии свя­зи. Это условие выполняется, если линия связи не имеет токов утечки.
Нормализованными токовыми сигналами являются значения токов:
0…5 мА, 0…10 мА, –5…5 мА, –10…10 мА, 4…20 мА.
Последний стандарт позволяет передавать информацию об измеряемой величине непосредственно по шинам питания измерительного преобразователя и, поэтому, в настоящее время получил наибольшее распространение.
3.1. ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ НАПРЯЖЕНИЯ В ТОК ДЛЯ НЕЗАЗЕМЛЕННОЙ НАГРУЗКИ19
Преобразователь напряжения в ток для незаземленной нагрузки может
быть представлен следующей схемой:
Операционный усилитель DA будем считать идеальным:
коэффициент усиления по напряжению KU → ;
входное сопротивление усилителя RВХ → ;
выходное сопротивление усилителя R
ВЫХ
0;
U+ = U–;
I
ВХ
+
= I
ВХ
= 0.
Линия передачи используется в качестве обратной связи. Запишем уравнения для узла данной схемы:
R0
UU
ВХ
= IОС + I
ВХ
, (3.1)
поскольку U+ = U– = 0 и I
ВХ
= 0,
IОС =
R0
U
ВХ
. (3.2)
18
URL: https://tech-school.info/voltage-to-current-converters/ (дата обращения: 11.08.2025).
19
URL: https://myrepititor.ru/sau/voltage-to-current/preobrazovateli-napryazheniya-v-tok-dlya-nezazemlennoy-nagruzki
(дата обращения: 11.08.2025).
30
DA
R
Н
R
L
R1
R0
U
ВХ
RL I
ОС
Рис. 3.1. ПНТ для незаземленной нагрузки
Недостатки такой схемы преобразователя:
1. Схема может быть использована только для незаземленных линий
связи (приемник и источник имеют гальваническое разделение).
2. Должно выполняться условие:
|U
ВЫХ ОУ
| < U
ВЫХm
. (3.3)
учитывая, что
U
ВЫХ ОУ
=
R0
U
ВХ
(2RL + RН), (3.4)
получим следующее условие преобразования напряжения в ток:
2 RL + RH <
ВХ
mВЫХ
U
R0U
, (3.5)
где U
ВЫХ m
— максимальное выходное напряжение усилителя.
3.2. СХЕМА С УВЕЛИЧЕНИЕМ ВЫХОДНОГО ТОКА20
Схема ПНТ с увеличением выходного тока представлена на рис. 3.2. Опе­рационный усилитель DA будем считать идеальным. Запишем уравнения для данной схемы:
U+ = UВХ, (3.6)
20
URL: https://tech-school.info/voltage-to-current-converters/ (дата обращения: 11.08.2025); URL: https://
lektsiopedia.org/lek-13466.html (дата обращения: 11.08.2025).
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]