Материалы электронной техники. Полупроводники. Проводниковые материалы. Магнитные материалы. Учебное пособие
.pdf
Министерство образования и науки Российской Федерации НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
А.Д. БЯЛИК, Р.П. ДИКАРЕВА, Т.С. РОМАНОВА
МАТЕРИАЛЫ
ЭЛЕКТРОННОЙ
ТЕХНИКИ
ПОЛУПРОВОДНИКИ ПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ МАГНИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Утверждено Редакционно-издательским советом университета в качестве учебного пособия
НОВОСИБИРСК
2017
1
УДК 621.382(075.8) Б 994
Рецензенты:
канд. физ.-мат. наук, доцент А.В. Каменская канд. техн. наук, доцент И.С. Савиных
Бялик А.Д.
Б 994 Материалы электронной техники. Полупроводники. Проводниковые материалы. Магнитные материалы : учебное пособие / А.Д. Бялик, Р.П. Дикарева, Т.С. Романова. – Новосибирск :
Изд-во НГТУ, 2017. – 99 с. ISBN 978-5-7782-3222-8
Работа подготовлена на кафедре полупроводниковых приборов и микроэлектроники для студентов II курса факультета РЭФ направлений подготовки 11.03.04 – Электроника
инаноэлектроника, 28.03.01 – Нанотехнологии
имикросистемная техника
|
УДК 621.382(075.8) |
ISBN 978-5-7782-3222-8 |
Бялик А.Д., Дикарева Р.П., |
|
Романова Т.С., 2017 |
|
Новосибирский государственный |
|
технический университет, 2017 |
2
СПИСОК ОСНОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
A – работа выхода
C – электрическая емкость с – скорость света в вакууме
D– коэффициент диффузии d – длина, расстояние
E– напряженность электрического поля, энергия
Eg , E – ширина запрещенной зоны
f – частота, функция
h – толщина, постоянная Планка I – электрический ток
IS ,I0 – ток насыщения
IG – ток термогенерации
i– мгновенное значение тока J – интенсивность излучения
j– плотность тока
k– постоянная Больцмана
L |
– индуктивность, диффузионная длина носителей заряда, |
|
длина, расстояние |
Ln |
– диффузионная длина электронов |
Lp |
– диффузионная длина дырок |
l |
– длина, расстояние |
М |
– коэффициент лавинного умножения |
m |
– эффективная масса |
mn* |
– эффективная масса электрона |
m*р |
– эффективная масса дырки |
N |
– число частиц, концентрация легирующей примеси |
|
3 |
NV |
– эффективная плотность состояний в валентной зоне |
NC |
– эффективная плотность состояний в зоне проводимости |
N А |
– концентрация акцепторов |
NД |
– концентрация доноров |
n |
– концентрация электронов, число витков, показатель пре- |
|
ломления |
n0 |
– равновесная концентрация электронов |
ni |
– собственная концентрация электронов |
P |
– мощность |
p |
– концентрация дырок |
p0 |
– равновесная концентрация дырок |
pi – собственная концентрация дырок q – заряд
R– активное сопротивление r – радиус
S– площадь, крутизна передаточной характеристики, чувствительность
T– температура
t – время
U– разность потенциалов, электрическое напряжение Uпроб – напряжение пробоя
V– объем, электрическое напряжение, ЭДС
W– удельные магнитные потери
u– скорость
v– скорость
w– толщина базы, число витков
x– расстояние
z – расстояние, полное сопротивление
– коэффициент передачи по току (для БТ с ОБ)
β– коэффициент передачи по току (для БТ с ОЭ)
γ– удельная проводимость, эффективность эмиттера δ – толщина электронно-дырочного перехода ε – относительная диэлектрическая проницаемость
4
0 – электрическая постоянная
λ– длина волны
μ – относительная магнитная проницаемость, подвижность носителей заряда
n |
– подвижность электронов |
p |
– подвижность дырок |
ρ – удельное сопротивление, плотность
σ– удельная проводимость
τ |
– время жизни носителей заряда |
φ |
– фазовый сдвиг, потенциал |
к |
– контактная разность потенциалов |
Т |
– тепловой потенциал |
ω– толщина базы
5
НЕКОТОРЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ ПОСТОЯННЫЕ
1.Скорость света в вакууме, c 2,998 108 м/с
2.Заряд электрона, q 1,602 10 19 Кл
3.Масса покоя электрона, mn 9,109 10 31 кг
4.Масса покоя протона, mP 1,673 10 27 кг
5.Постоянная Планка, h 6,626 10 34 Дж ∙ с
6.Приведенная постоянная Планка ћ = h/(2π) = 1,055 10 34 Дж ∙ с
7.Постоянная Больцмана, k 1,381 10 23 Дж/К
8.Число Авогадро, Nо 6,023 1023 1/моль
9.Электрическая постоянная, 8,849 10 12 Ф/м
10.Тепловой потенциал (при T = 300 К), т = kT/q = 0,0258 В
6
УКАЗАНИЯ ДЛЯ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ
Материал настоящего задачника составлен таким образом, чтобы он способствовал закреплению теоретических знаний, а также вырабатывал навык в решении инженерных задач.
При решении задачи необходимо прежде всего установить, какие физические закономерности лежат в ее основе. Затем с помощью формул, выражающих эти закономерности, следует найти решение задачи или ее части в общем виде (т. е. в буквенных обозначениях), причем искомая величина должна быть выражена через заданные величины. После этого можно перейти к подстановке числовых данных, обязательно выраженных в одной и той же системе единиц. Рекомендуется пользоваться единицами системы СИ. Числовой ответ непременно должен иметь размерность.
В некоторых задачах для нахождения искомых величин приходится решать систему достаточно громоздких уравнений. В этом случае целесообразно сначала подставить в эти уравнения известные числовые коэффициенты, а затем находить искомые величины.
Ход всех преобразований и вычислений должен быть четко показан в решении задачи. Вычисления, как правило, достаточно делать с точностью до второго-третьего знака после запятой. Это обычно определяется точностью представления исходных данных.
Полученное в виде числового ответа решение необходимо проверить каким-либо способом. Полезно оценить результат, сначала вычислив его приближенно путем округления значений до удобных для вычисления.
Некоторые задачи можно решить несколькими методами, что позволяет сделать вывод о том, какие из них наиболее рациональны. Всегда следует считать лучшим тот метод решения, который проще, т. е. требует меньшего числа действий.
В заключение кратко перечислим основные рекомендации, следование которым поможет существенно облегчить решение инженерных задач.
7
1.Необходимо обращать внимание на все без исключения слова в условии, поскольку при наличии или отсутствии каких-либо, на первый взгляд, малосущественных ограничений ощутимо упрощается решение.
2.Перед решением задачи желательно выписать все известные и относящиеся к решению законы и формулы.
3.Перед решением сложной и непонятной задачи необходимо попытаться сначала свести задачу к более частной и, как правило, к более простой.
4.Для удобства интерпретации условия задачи и поиска решения полезно делать соответствующие рисунки и чертежи, желательно как можно более крупными, в натуральную величину или в масштабе. Имеющиеся в условии чертежи достраивать до удобных.
5.Число уравнений должно соответствовать количеству неизвестных по ходу решения. При необходимости нужно вводить новые неизвестные.
6.Если сразу после прочтения условия задачи возможные пути ее решения с первого взгляда не очевидны, необходимо сначала формально записать все возможные уравнения, которые могут привести к решению.
7.Необходимо помнить, что в конечных формулах должны присутствовать только буквы (данные), которые описываются в условии как известные, плюс общеизвестные константы. Если условие задачи составлено корректно, то в одном из вариантов решения должны присутствовать все известные по условию данные. Если это не так, то либо вариантов решения несколько, либо (что вероятнее) задача решена неверно.
8.Всякое решение необходимо проверить на здравый смысл, на предельные и частные случаи, на размерность и на порядки.
8
РАЗДЕЛ 1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Полупроводниковыми свойствами обладает целый ряд материалов, разнообразных по составу и строению. Наиболее простой является классификация материалов по их удельному сопротивлению.
Вещества с удельным сопротивлением от 10 4 до 1010 Ом ∙ см мо-
гут быть отнесены к группе полупроводниковых материалов. В этом же диапазоне заключены удельные сопротивления многих сплавов, резистивных композиций, некоторых диэлектриков с ионной проводимостью. Одним из главных свойств полупроводников можно считать отрицательный температурный коэффициент удельного сопротивления. Кроме того удельное сопротивление полупроводника можно изменять в широких пределах, варьируя концентрацией активных примесей. Свободные носители заряда появляются также при действии на полупроводниковый материал различных видов внешних возмущающих факторов, таких как температура, электромагнитное излучение, механическое воздействие.
Полупроводниками являются как простые химические элементы (занимают центральную часть периодической системы Менделеева – германий, кремний, селен и т. д.), так и многие сложные химические соединения и многофазные системы (например, соединения типа
A3B5, A2B6 и т. д.).
Любой полупроводниковый материал в зависимости от вида и концентрации примеси, а также от температуры может быть собственным или примесным.
Собственный полупроводник не содержит примесей, и проводимость осуществляется за счет переходов электронов из валентной зоны в зону проводимости. Не следует отождествлять понятия «собственный полупроводник» и «собственная проводимость». При достижении
9
определенной температуры в любом примесном полупроводнике после истощения примеси возникает собственная проводимость. Носителями заряда в собственном полупроводнике являются электроны в зоне проводимости и коллектив электронов в почти полностью заполненной валентной зоне, из которой часть электронов перешла в зону проводимости. Физически движение электронов в валентной зоне представляет многократные их переходы из нейтрального атома на положительный ион, образовавшийся после перехода электрона в зону проводимости. Такое движение для математического описания и анализа процессов переноса заряда удобно представлять как противоположно направленное перемещение положительных зарядов. Их называют дырками. Дырки – это описания движения электронов в почти полностью заполненной валентной зоне. В собственном полупроводнике удельная электропроводность описывается выражением
i qni n qpi p,
где ni и pi – концентрации электронов и дырок соответственно; n иp – подвижности электронов и дырок соответственно, т. е. средние
скорости их направленного движения под действием электрического поля единичной напряженности. Подвижности электронов и дырок не одинаковы, так как они отличаются разными эффективными массами.
Хаотическое тепловое движение мешает упорядоченному движению свободных носителей заряда. В результате этого подвижность зависит от температуры. Характер температурной зависимости подвижности связан с механизмом рассеяния носителей заряда. В большинстве используемых полупроводников главными источниками рассеяния являются тепловые колебания решетки и ионизированные атомы примесей. При низких температурах преобладает рассеяние на ионах примеси, и в этом случае подвижность зависит от температуры согласно выражению
aT 3/2,
где μ – подвижность носителей заряда; a – параметр материала; T – температура. При высоких температурах преобладает рассеяние на тепловых колебаниях решетки, и в этом случае зависимость подвижности от температуры имеет вид
bT 3/2,
10
