Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Материалы электронной техники. Полупроводники. Проводниковые материалы. Магнитные материалы. Учебное пособие

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
12.08.2026
Размер:
1 Мб
Скачать

 

 

 

 

Таблица 1.4

 

Варианты для задачи 1.4

 

 

 

 

 

 

Номер

Температура

Температура

Концентрация

Концентрация

электронов

электронов

варианта

T1, К

T2, К

n1, см–3

n2, см–3

1

400

350

1,3 · 1016

6,2 · 1015

2

410

340

1,4 · 1016

6,8 · 1015

3

450

345

1,5 · 1016

5,2 · 1015

4

420

330

1,6 · 1016

5,4 · 1015

5

390

335

1,7 · 1016

5,5 · 1015

6

380

325

1,8 · 1016

1,2 · 1015

7

360

320

1,4 · 1016

6,8 · 1015

8

410

350

1,3 · 1016

5,2 · 1015

9

450

340

1,4 · 1016

3,4 · 1015

10

420

345

2,7 · 1016

1,2 · 1015

11

390

330

3,8 · 1016

3,8 · 1015

12

410

335

4,4 · 1016

2,2 · 1015

13

450

325

4,3 · 1016

8,4 · 1015

14

420

320

1,4 · 1016

5,5 · 1015

15

390

310

2,7 · 1016

1,2 · 1015

16

410

350

3,8 · 1016

1015

17

450

360

4,4 · 1016

1014

18

420

355

4,3 · 1016

3,8 · 1015

1.5.В беспримесном кремнии при температуре T = 480 К определе-

на собственная концентрация носителей, ni 2,5 10 13см 3 . Найти проводимость.

1.6.Определить удельную проводимость беспримесного селенистого свинца при нормальных условиях. Подвижность электронов рав-

на n , подвижность дырок p , собственная концентрация составляет ni .

21

 

 

 

Таблица 1.6

 

Варианты для задачи 1.6

 

 

 

 

 

Номер

Собственная

Подвижность

Подвижность

концентрация

электронов

дырок

варианта

Ni , см–3

μn, см2/В·с

μp, см2/В · с

1

2 · 1017

1,2 · 103

0,6 · 102

2

3 · 1017

1,8 · 103

102

3

1017

2,2 · 103

102

4

5 · 1017

3,2 · 103

0,9 · 102

5

6 · 1017

4,2 · 103

0,6 · 102

6

1017

103

0,8 · 102

7

1017

1,8 · 103

102

8

5 · 1017

2,5 · 103

0,3 · 102

9

7 · 1017

1,2 · 103

102

10

5,5 · 1017

1,8 · 103

0,9 · 102

11

6,7 · 1017

2,2 · 103

0,6 · 102

12

1017

5,2 · 103

0,8 · 102

13

5 · 1017

3,2 · 103

102

14

7 · 1017

4,2 · 103

0,3 · 102

15

5,5 · 1016

103

102

16

6,7 · 1016

1,8 · 103

0,9 · 102

17

7 · 1017

2,5 · 103

5,8 · 102

18

5,5 · 1016

5,2 · 103

4,8 · 102

1.7. Постоянная Холла и удельное сопротивление кремния равны соответственно RХ и Si. Вычислить концентрацию и подвижность

носителей заряда, полагая, что ток обусловлен носителями заряда одного типа. Отношение холловской и дрейфовой подвижностей равно ξ.

1.8. Вычислить постоянную Холла для кремния с собственной проводимостью при T1 20 C и T2 200 C.

1.9. Определить постоянную Холла в антимониде индия (InSb) при T 300 C, содержащем акцепторы в концентрации NА, если отношение холловской и дрейфовой подвижностей равно ξ, а отношение подвижности электронов к подвижности дырок составляет n / p . Магнитное поле

слабое, концентрация собственных носителей заряда равна 1,6 1016см 3.

22

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 1.7

 

 

 

 

Варианты для задачи 1.7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Отношение

 

Номер

 

Постоянная

Удельное

 

 

холловской

 

вариан-

 

сопротивление

 

 

Холла RХ3

/кл

и дрейфовой

 

та

 

 

 

 

 

ρSi,Ом·м

подвижностей ξ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

3,66

· 10-4

 

 

3,93 · 10–3

1

 

2

3,15

· 10-4

 

 

4 · 10–3

1

 

3

3,28

· 10-4

 

 

4,21 · 10–3

1

 

4

3,96

· 10-4

 

 

3,8 · 10–3

1,2

 

5

3 · 10-4

 

 

3,73 · 10–3

1,3

 

6

3,15

· 10-4

 

 

4 · 10–3

1,5

 

7

3,28

· 10-4

 

 

4,41 · 10–3

1,5

 

8

2,96

· 10-4

 

 

3,85 · 10–3

1,2

 

9

3,66

· 10-4

 

 

4 · 10–3

1,3

 

10

3,15

· 10-4

 

 

4,21 · 10–3

1

 

11

3,41

· 10-4

 

 

3,8 · 10–3

1

 

12

2,96

· 10-4

 

 

3,73 · 10–3

1

 

13

3,68

· 10-4

 

 

4 · 10–3

2

 

14

3,25

· 10-4

 

 

4 · 10–3

2

 

15

3,28

· 10-4

 

 

4,21 · 10–3

1,1

 

16

3,96

· 10-4

 

 

3,8 · 10–3

1,1

 

17

3 · 10-4

 

 

3,73 · 10–3

2

 

18

3,15

· 10-4

 

 

4 · 10–3

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 1.9

 

 

 

 

Варианты для задачи 1.9

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Номер

 

Концентрация

 

Отношение

 

Отношение

 

 

 

холловской

 

подвижности

 

 

акцепторов

 

 

 

варианта

 

 

и дрейфовой

 

электронов к подвиж-

 

 

NА, см–3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

подвижностей ξ

 

ности дырок μnp

 

1

 

5 · 1016

 

 

1,18

 

80

 

2

 

2 · 1016

 

 

1,28

 

90

 

3

 

2,5 · 1016

 

 

1,25

 

100

 

4

 

3,5 · 1016

 

 

1

 

105

 

23

 

 

 

Окончание табл. 1.9

 

 

 

 

 

Номер

Концентрация

Отношение

 

Отношение

холловской

 

подвижности

акцепторов

 

варианта

и дрейфовой

 

электронов к подвиж-

NА, см–3

 

 

 

подвижностей ξ

 

ности дырок μnp

5

1016

1,1

 

75

6

5,6 · 1016

1,12

 

82

7

8 · 1016

1,18

 

70

8

2 · 1017

1,28

 

120

9

2,5 · 1017

1,25

 

116

10

3,5 · 1017

1

 

80

11

1016

1,16

 

90

12

5,6 · 1016

1,12

 

100

13

5 · 1016

1,18

 

105

14

4 · 1016

1,28

 

75

15

7,5 · 1016

1,25

 

82

16

2,5 · 1016

1

 

70

17

1016

1,1

 

120

18

8,6 · 1016

1,12

 

116

1.10. Определить постоянную Холла для мышьяковистого индия (InAs) с удельной проводимостью, равной σ, и собственной концентра-

цией носителей, равной ni , коэффициент А известен.

 

 

 

Таблица 1.10

 

Варианты для задачи 1.10

 

 

 

 

 

Номер

Удельная

Собственная

Коэффициент A

проводимость σ,

концентрация

варианта

(Ом·см)–1

носителей заряда ni, см–3

1,2

1

4 · 103

2 · 1015

2

5 · 103

1015

1

3

6 · 103

3 · 1015

1,5

4

7 · 103

2,2 · 1015

1,15

5

8 · 103

5 · 1015

1,25

6

2,5 · 103

6 · 1015

1,3

7

9 · 103

7 · 1015

1,2

24

 

 

Окончание табл. 1.10

 

 

 

 

 

Номер

Удельная

Собственная

 

Коэффициент A

проводимость σ,

концентрация

 

варианта

 

(Ом·см)–1

носителей заряда ni, см–3

1

8

3,5 · 103

5,2 · 1015

 

9

4,5 · 103

2,5 · 1015

 

1,5

10

5,5 · 103

1,5 · 1015

 

1,15

11

103

1016

 

1,25

12

104

2 · 1016

 

1,3

13

7 · 103

6 · 1015

 

1,2

14

8 · 103

7 · 1015

 

1

15

2,5 · 103

5,2 · 1015

 

1,5

16

9 · 103

2,5 · 1015

 

1,15

17

3,5 · 103

6 · 1015

 

1,25

18

4 · 103

7 · 1015

 

1,3

1.11. Уровень Ферми в кремнии при температуре T = 300 К распо-

ложен ниже дна зоны проводимости на величину

EC EF x . Рас-

считать равновесную концентрацию электронов и дырок в этом полупроводнике, если эффективные массы электронов и дырок равны

mn* y1 m0

и m*p y2 m0 соответственно, где m0

– масса свободного

электрона.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 1.11

 

Варианты для задачи 1.11

 

 

 

 

 

Номер

Разность

Эффективная

Эффективная

масса электронов

масса дырок

варианта

x = EC – EF, эВ

y m*

/m

y2 m*p /m0

 

 

1

n

0

 

1

0,2

 

1,05

0,56

2

0,15

 

0,95

0,53

3

0,1

 

0,97

0,51

4

0,25

 

0,88

0,42

5

0,27

 

1,1

 

0,48

6

0,21

 

0,85

0,57

7

0,2

 

0,8

 

0,42

25

 

 

 

 

Окончание табл. 1.11

 

 

 

 

Номер

Разность

Эффективная

Эффективная

масса электронов

масса дырок

варианта

x = EC – EF, эВ

y m*

/m

y2 m*p /m0

 

 

1

n

0

 

8

0,18

 

0,75

0,56

9

0,16

 

0,9

 

0,53

10

0,2

 

0,95

0,51

11

0,15

 

0,97

0,57

12

0,1

 

0,88

0,42

13

0,25

 

1,1

 

0,56

14

0,27

 

0,85

0,56

15

0,21

 

1,05

0,53

16

0,2

 

0,95

0,51

17

0,18

 

0,97

0,57

18

0,16

 

0,92

0,42

1.12. Постоянная времени для электронов в образце полупроводника n-типа при 300 К равна n . Насколько увеличится кинетическая

энергия электрона за время свободного пробега в электрическом поле напряженностью E? Какова напряженность электрического поля, необходимая для того, чтобы за время свободного пробега электрона в этом поле сообщить ему кинетическую энергию, достаточную, чтобы выбить электрон с донорного уровня и перебросить его в зону прово-

димости? Предположить, что эффективная масса электрона mn* равна массе свободного электрона m0 .

 

 

 

Таблица 1.12

 

Варианты для задачи 1.12

 

 

 

 

 

Номер

Материал

Постоянная времени

Напряженность

электрического

варианта

для электронов τn, с

 

поля E, В/м

 

 

 

1

Ge

10–12

105

2

Si

10–11

2 · 105

3

Ge

2 · 10–12

4,5 · 104

4

Si

3 · 10–11

9,5 · 104

26

 

 

Окончание табл. 1.12

 

 

 

 

Номер

Материал

Постоянная времени

Напряженность

электрического

варианта

для электронов τn, с

 

поля E, В/м

 

 

 

5

Ge

4,5 · 10–11

6,5 · 104

6

Si

6 · 10–11

7,5 · 104

7

Ge

9 · 10–11

8,5 · 104

8

Si

1,1 · 10–12

105

9

Ge

6 · 10–11

2,1 · 105

10

Si

9 · 10–11

4,5 · 104

11

Ge

10–12

1,5 · 105

12

Si

10–11

6,5 · 104

13

Ge

2 · 10–12

7,5 · 104

14

Si

3 · 10–11

8,5 · 104

15

Ge

6 · 10–11

105

16

Si

9 · 10–11

2,1 · 105

17

Ge

10–12

4,5 · 104

18

Si

10–11

1,5 · 105

1.13. Собственная концентрация носителей β-фталоцианина составляет ni 106см 3. Определить удельную проводимость материала,

если подвижность дырок p 0,8 см2 / В с, а подвижность электро-

нов n 2 см2 / В с. Отношение концентраций подвижных носителей заряда составляет p/n = 10.

 

 

 

Таблица 1.13

 

Варианты для задачи 1.13

 

 

 

 

 

Номер

Собственная концен-

Подвижность

Подвижность

трация носителей

электронов

дырок

варианта

заряда ni, см–3

μn, см2/В·с

μp, см2/В·с

1

106

2

0,8

2

2 · 106

1,5

0,75

3

106

1,8

0,7

4

9 · 105

1,9

0,65

5

6 · 105

3

0,68

27

 

 

Окончание табл. 1.13

 

 

 

 

Номер

Собственная концен-

Подвижность

Подвижность

трация носителей

электронов

дырок

варианта

заряда ni, см–3

μn, см2/В·с

μp, см2/В·с

6

9 · 105

3,1

0,77

7

7 · 105

2,9

0,92

8

8,9 · 105

2,7

0,83

9

8 · 105

2,75

0,99

10

106

2

0,77

11

2 · 106

1,5

0,92

12

106

1,8

0,83

13

9 · 105

1,9

0,99

14

6 · 105

3

0,8

15

9 · 105

3,1

0,75

16

2,8 · 106

2,9

0,7

17

106

1,7

0,8

18

2 · 106

1,75

0,75

1.14. Определить энергию ионизации доноров в кремнии n-типа, если концентрация электронов при T1 составляет n1, а при T2 состав-

ляет n2 .

 

 

 

 

Таблица 1.14

 

Варианты для задачи 1.14

 

 

 

 

 

 

Номер

Температура

Температура

Концентрация

Концентрация

электронов

электронов

варианта

T1, К

T2, К

n1, м–3

n2, м–3

1

50

28

2 · 1020

2 · 1018

2

55

30

3 · 1020

1,5 · 1018

3

45

32

2,5 · 1020

2 · 1018

4

48

34

2,8 · 1020

1,2 · 1018

5

60

36

4 · 1020

1,8 · 1018

6

62

40

3 · 1020

1,5 · 1018

7

50

32

2,7 · 1020

2 · 1018

8

55

34

4 · 1020

1,8 · 1018

28

Окончание табл. 1.14

Номер

Температура

Температура

Концентрация

Концентрация

электронов

электронов

варианта

T1, К

T2, К

n1, м–3

n2, м–3

9

45

36

3 · 1020

1,5 · 1018

10

50

40

2,7 · 1020

2 · 1018

11

55

32

2,3 · 1020

1,2 · 1018

12

45

34

5 · 1020

1018

13

50

36

2 · 1020

2 · 1018

14

55

40

3 · 1020

1,5 · 1018

15

45

32

2,5 · 1020

2 · 1018

16

50

34

2,7 · 1020

2 · 1018

17

55

36

2,3 · 1020

1,2 · 1018

18

45

40

5 · 1020

1018

1.15. Подвижность электронов в чистом германии при комнатной температуре равна n 3800 см2 / В с. Найти удельное сопротивление при T1 и T2 , считая, что подвижность с температурой меняется по

закону T 3/2 , где – некоторая константа. Эффективные массы электронов и дырок равны mn y1 m0 и mp y2 m0 соответственно,

где m0 – масса свободного электрона. При всех рассматриваемых температурах считать, что ширина запрещенной зоны линейно меняется

с температурой по закону E (0,785

4 10 4T ) , а отношение

подвижностей электронов и дырок считать постоянным и равным b n / p 2,1.

1.16. Уровень Ферми в полупроводнике находится на x ниже дна зоны проводимости. Какова вероятность того, что при комнатной температуре энергетические уровни, расположенные на 3kT выше дна зоны проводимости, заняты электронами? Какова вероятность того, что на уровне, расположенном у потолка валентной зоны, содержатся дырки, если ширина запрещенной зоны полупроводника равна E?

29

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 1.15

 

 

Варианты для задачи 1.15

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Эффективная

Эффективная

Номер

Температура

 

Температура

 

 

масса

 

 

 

 

 

масса дырок

варианта

T1, К

 

T2, К

электронов

y2 m*p /m0

 

 

 

*

 

 

 

 

 

 

y m /m

 

 

 

 

 

 

1

n

0

 

1

300

 

30

 

 

0,56

 

0,37

2

290

 

28

 

 

0,55

 

0,23

3

280

 

32

 

 

0,57

 

0,21

4

320

 

25

 

 

0,48

 

0,2

5

315

 

35

 

 

0,45

 

0,18

6

310

 

36

 

 

0,42

 

0,17

7

330

 

35

 

 

0,4

 

0,22

8

325

 

30

 

 

0,65

 

0,23

9

323

 

38

 

 

0,67

 

0,21

10

300

 

30

 

 

0,68

 

0,2

11

290

 

28

 

 

0,45

 

0,18

12

280

 

32

 

 

0,42

 

0,17

13

320

 

25

 

 

0,4

 

0,22

14

315

 

35

 

 

0,55

 

0,23

15

310

 

36

 

 

0,57

 

0,21

16

330

 

35

 

 

0,58

 

0,2

17

325

 

30

 

 

0,45

 

0,18

18

323

 

38

 

 

0,42

 

0,17

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 1.16

 

 

Варианты для задачи 1.16

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Номер варианта

 

 

Разность

 

 

Ширина запрещенной

 

x = EC – EF, эВ

 

 

 

зоны E, эВ

 

 

 

 

 

 

1

 

 

0,3

 

 

 

 

1,12

2

 

 

0,1

 

 

 

 

0,66

3

 

 

0,5

 

 

 

 

1,41

4

 

 

0,6

 

 

 

 

2,25

5

 

 

0,1

 

 

 

 

1,12

30

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]