Литература / Шишкин Г. Г. , Шишкин А. Г. Электроника 2009 (1)
.pdf562 Раздел 5. ПРИБОРЫ КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
2 |
|
1 |
2 |
~- |
|
|
-ft- |
|
4 |
Источник ~----' |
3 |
|
|
энерги~
Рис. 19.1
приведено на рис. 19.1, где 1 - газоразрядная трубка со смесью газов гелия и неона, 2 - зеркала резонатора, 3 - накаливаемый катод, 4 - анод, 5 - источник электрического питания.
Газоразрядная трурка (ГРТ) 1 изготавливается из кварца или
высококачественного стекла, подвергается термической обра ботке, откачивается и заполняется рабочей смесью. Отношение парциального давления гелия (Не) и неона (Ne) обычно составля
ет величину PнefPNe = 5... 15. Выходные окна ГРТ устанавлива
ются под углом Брюстера к оптической оси резонатора. Наличие брюстеровских окон обусловливает поляризацию генерируемого излучения и минимальное отражение его от торцов ГРТ. На ибольшее усиление им;еет место для волны, поляризованной в
плоскости, проходящей через ось резонатора и нормаль к плос
кости выходного окна (на рис. 19.1 плоскость чертежа, являю
щаяся плоскостью падения для луча лазера). В этой плоскости
поляризовано выходное излучение газового лазера.
Возбуждение газовой среды может быть обеспечено как посред ством безэлектродного высокочастотного индукционного разряда,
так и за счет разряда на постоянном токе (см. рис. 19.1).
В газовых лазерах на нейтральных атомах общее давление газовой смеси составляет величину порядка 1 мм рт. ст.
Индуцированное излучение создается атомами неона, а ато мы гелия облегчают получение инверсной населенности в неоне за счет неупругих процессов соударени~ 2-го рода.
Схема нижних возбужденных состояний атомов гелия и нео
на приведена на рис. 19.2. НиЖним возбужденным состояниям
атома гелия соответствуют значения энергии 20,61и19,82 эВ.
Переходы 21 8 |
0 |
- |
11 |
8 |
0 |
и 23 8 |
1 |
- |
11 8 |
0 |
запрещены, поэтому со |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
стояния 2 |
1 8 |
0 |
и 23 8 |
1 |
являются метастабильными с большим |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
временем жизни 't'~ 10-3 с. Энергетические состояния неона 2s,
|
|
Глава 19. Газовые лазеры |
563 |
Е,эв |
|
|
|
21 |
Не |
Ne |
|
21so |
|
||
|
|
|
|
20 2зs1 |
|
Зр |
|
|
|
|
|
19 |
~ |
|
|
|
2р |
|
|
|
iJj |
|
|
|
~ |
|
|
|
~ |
|
|
18 |
~ |
|
|
~ |
|
|
|
|
|
|
|
|
..", |
|
|
17 |
= |
|
|
|
~ |
|
|
l1So |
|
Столкновения |
|
|
со стен.кой |
|
|
о |
|
|
|
|
|
Рис.19.2 |
|
3s, 2р, 3р, как это показано на рис. 19.2, представляют собой в каждом случае несколько близко расположенных энергетиче ских уровней. Уровни 3s и 2s неона энергетически близки к ме тастабильным уровням гелия. Состояния ls неона являются ме
тастабильными (с временем жизни 't ~ 10-3 с); релаксационные
переходы из этих состояний происходят преимущественно за
счет столкновений атомов со стенками трубки. Накопление ато
мов в этих состояниях является нежелательным, поскольку это
приводило бы к дополнительному заселению уровней 2р (за счет
захвата фотонов, возникающих при релаксационном излуча
тельном переходе 2р---+ ls), а следовательно, к уменьшению ин версной населенности на рабочих лазерных уровнях.
Возбуждение атомов гелия и неона в разряде происходит за счет прямого электронного соударения. Населенность состояния
в установившемся режиме определяется произведением скорос
ти заселения на время жизни данного состо.Яния. Следует отме
тить, что времена жизни в-состояний неона несколько больше времен жизни р-состояний, поэтому даже при равных скоростях
возбуждения возможна инверсия населенностей в стационарном
режиме на переходах s-p.
Присутствие в разряде метастабильных атомов гелия приво
дит к передаче возбуждения от метастабилей гелия 218 0 и 23 8 1
к атомам :Неона (состояния 3s и 2s). Поскольку эффект передачи возбуждения является резонансным, то он приводит к селек-
|
Глава 19. Газовые лазеры |
565 |
р |
Мощность |
|
|
Р,Вт |
|
|
,0,1 |
1,0 |
10 Давление, |
|
|
|
мм рт. ст. |
1 |
Рис. 19.3 |
Рис. 19.4 |
|
|
|
|
!.
W :Как отмечалось выше, при больших разрядных токах, когда
t концентрация электронов в плазме велика, начинают сказы
!ваться процессы ступенчатого возбуждения нижних рабочих со-
··.·.. стояний 2р и 3р с долго.Живущих уровней ls. Скорость этого про
цесса приблизительно пропорциональна квадрату концентра
1 ции электронов, в то время как скорость прямого возбуждения fi·.· пВриблизительно линейно связана с концентрацией элебктронов.
|
результате дополнительного заселения нижних ра очих со- |
1 |
стояний инверсия снижается, мощность генерации падает и при |
t~ |
токах I Р порядка нескольких сотен мА генерация срывается. |
t |
Увеличение общего давления смеси при малых давлениях до |
t |
1 ... 2 мм рт. ст. (примерно 100... 200 Па) приводит к возрастанию |
|
мощности генерации. Это связано с увеличением концентрации |
|
атомов неона и гелия и с общим ростом населенностей возбуж |
|
денных состояний. При большом давлении существенным оказы |
|
вается снижение эл·ектронной температуры, приводящее к резко |
|
му уменьшению числа электронов, способных возбуждать атомы |
|
смеси. Характерная кривая зависимости мощности излучения от |
|
общего давления смеси дана на рис. 19.4. |
|
Инверсия на рабочих переходах сильно зависит от передачи |
|
возбуждения с метастабилей гелия к атомам неона. В разряде с |
|
равной вероятностью происходит и обратный процесс, связан |
|
ный с передачей возбуждения от атомов неона в состояниях 2s и |
|
3s к невозбужденным атомам гелия. Вероятности двух встреч- |
|
ных процессов практически равны, их скорости пропорциональ |
|
ны населенностям исходных состояний. Для того чтобы напра |
|
вить процесс в смеси от гелия к неону, необходимо создать из |
|
быточную концентрацию гелия, поэтому в рабочей смеси гелия |
|
всегда больше. Оптимальное соотношение парциальных давле |
|
ний неона и гелия находится в диапазоне от 1: 5 до 1: 15. |
566 |
Раздел 5. ПРИБОРЫ КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ |
На величину выходной мощности сильное влияние оказывает диаметр газоразрядной трубки. Увеличение диаметра приводит к увеличению объема активной среды, в результате чего мощность должна была бы нарастать. Однако с ростом диаметра трубки сни
жается электронная температура, что снижает инверсию. Кроме
того, одним из основных процессов, приводящих к уменьшению
населенности состояния ls, является диффузия возбужденных
атомов неона к стенкам и их столкновение со стенками, что при
водит к освобождению состояния ls. С увеличением диаметра трубки время диффузии атомов неона к стенкам увеличивается, следовательно, эффективное время жизни в состоянии ls также возрастает, вследствие чего инверсия населенностей снижается.
Таким образом, населенность нижних рабочих состояний лазер
ного перехода растет с увеличением диаметра. В результате су
ществует оптимальный диаметр ГРТ, который для трубки мет ровой длины равен 7 ... 9 мм. Повышения мощности генерации
можно добиться за счет применения трубок с эллиптическим се
чением. Делая сечение трубки эллиптическим, можно, сохраняя
минимальный размер сечения неизменным, увеличить объем ак тивной смеси за счет другого размера сечения.
19.4.Ионные лазеры
Вионных лазерах используются не атомные переходы, а переходы между возбужденными состояниями ионов. Ионные лазеры способны генерировать гораздо большую непрерывную мощность по сравнению с лазерами на атомных переходах. Это
объясняется тем, что рабочие состояния ионных переходов рас
полагаются значительно выше на энергетической диаграмме.
Поэтому выравнивание заселенностей инвертированных уров ней с ростом тока разряда (например, заселение уровней ls и 2р
внеоне) за счет ступенчатых процессов, наблюдавшееся на атом ных состояниях, в ионных лазерах не проявляется. Вероятности ионных переходов, как правило, больше, чем вероятности атом
ных. Разность энергий между уровнями рабочего перехода боль
ше и, следовательно, излучение происходит в более коротковол
новой области по сравнению с атомарными лазерами. Ионные лазеры генерируют свет в видимом и УФ диапазонах длин волн.
Чтобы получить значительную долю ионов в разряде, плазма должна быть высокоионизованной, что можно обеспечить исполь
зованием сильноточного дугового разряда. Рабочий ток в ионных
Глава 19. Газовые лазеры |
567 |
лазерах достигает нескольких десятков А, а плотность тоIСа -
1000 А/см2 • Это вызывает необходимость использования охлаж
даемьlх электродов. Охлаждается также и газоразрядная труб
ка, которая для получения высокой плотности газа делается ма лого диаметра, в виде капилляра. Рабочее давление газа, как пра
вило благородного, составляет десятые доли мм рт. ст. Одним из
наиболее распространенных ионных лазеров непрерывного дей ствия является аргоновый лазер, работающий в диапазоне длин
волн 454".514 нм. В аргоновом лазере генерация осуществляется
на переходе 4p-4s. При создании инверсии населенностей засе ление возбужденных состояний иона аргона происходит в основ ном за счет ступенчатого электронного возбуждения из основного
ионного состояния. Измеренные значения времен жизни для
уровней 4р в несколько раз превышают времена жизни уровней 4s, что позволяет реализовать инверсию населенностей на этом
переходе с некоторой разностью населенностей, которую обозна чим ЛN. При увеличении давления газа концентрация электро
нов возрастает, а электронная температура уменьшается. Это
приводит к существованию некоторого оптимального давления,
при котором инверсия ЛN и мощность генерации максимальны.
Оптимальное давление для различных линий несколько разли
чается, причем для переходов, верхние уровни которых распола
гаются выше, оптимальное давление меньше. Область оптималь ных давлений - десятые доли мм рт. ст.
При возрастании тока разряда увеличивается концентрация
заряженных частиц, которая зависит от плотности тока бо
лее сильно, чем при линейном законе. При токах в несколько
десятков А электронная температура от тока почти не зависит, поэтому с увеличением тока величина ЛN и мощность генера ции возрастают (рис. 19.5) примерно по квадратичному закону
Р - / 2• Фактором, который в конечном счете должен привес
ти к насыщению инверсии ЛN
при увеличении тока, является |
Р,мВт |
|
поглощение на переходе между |
400 |
|
|
||
нижними рабочими и основным |
300 |
|
ионным состояниями. Этот про |
200 |
|
цесс при большой концентрации |
||
|
||
ИОНОВ в ОСНОВНОМ состоянии при |
100 |
|
водит к тому, что любой излучае |
5 10 15 20 25 I, А |
|
мый квант тут же вновь погло |
||
|
||
щается и, таким образом, место |
Рис. 19.5 |
568 |
Раздел 5. ПРИБОРЫ КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ |
выбывшего из состояния 4s иона занимает новый. Происходит увеличение эффективного времени жизни 4s-состояния и умень шение инверсной населенности ЛN. Суммарная мощность гене рации ионных лазеров достигает десятков Вт на трубках дли ной до 2 м, коэффициент полезного действия составляет со
тые-десятые доли процента.
19.5. Молекулярные газовые лазеры
Атомарные и ионные лазеры имеют весьма малый коэффици ент полезного действия. Это связано с тем, что верхний рабочий
уровень высоко расположен над исходным состоянием, с которо
го идет возбуждение, поэтому в процессе создания инверсии на селенностей принимает участие лишь малая доля общего числа
электронов.
Для гелий-неонового лазера значение энергии электрона, необ ходимое для возбуждения гелия, около 20 эВ (см. рис. 19.2). Сред няя энергия хаотического движения электронов (электронная тем пература) в разряде порядка 7....8 эВ, электронов с энергией выше
20 эВ в разряде не более 5...6%. Такого же порядка и эффектив ность использования энергии накачки. Подобная ситуация имеет место и в ионных лазерах. Кроме того, в указанных типах лазеров
низка и эффективность использования энергетических уровней, которая определяется отношением энергии излучения (Еизл) на ра
бочем переходе к энергии возбуждения (Е5036). Для гелий-неоново го лазера отношение ЕизлfЕвозб""' 2/20""' 0,1, т. е. в этих лазерах КПД не может быть более 10%. Сказанное означает, что с точки зрения повышения КПД газовых лазеров перспективным являет
ся использование низко расположенных энергетических уровней,
например вращательных и колебательных молекулярных уров
ней. В молекуле, состоящей из нескольких атомов, внутренняя
энергия определяется не только энергией электронов каждого ато ма, но и энергией колебательного и вращательного движения ато
мов в целом около некоторого положения равновесия.
Рассмотрим молекулярный газовый лазер, работающий на сме си азота и углекислого газа. Схема нижних колебательных со стояний молекул СО2 и N 2 представлена на рис. 19.6. Генерация
возникает на переходах 4 ~ 3 и 4 ~ 2 в молекуле СО2• Отметим, что верхний рабочий уровень в молекуле СО2 отстоит от основ ного состояния меньше чем на 0,35 э~ (для сравнения у неона примерно 20 эВ). Нижнее колебательное возбужденное состояние
|
Глава 19. Газовые лазеры |
569 |
|||
|
Е, 103/см |
|
|
|
Е, мэВ |
|
|
6 -- |
|
600 |
|
|
4 |
|
|
|
500 |
|
СО2 |
|
|
N2 |
|
|
3 |
|
|
|
400 |
|
|
|
|
|
|
|
-- 5 |
|
|
|
|
|
2 10~-- |
300 |
|||
|
|
||||
|
|
м |
|
|
200 |
|
3 |
|
|
|
|
|
2 |
р.. |
р.. |
|
|
|
|
t<j |
t<j |
|
|
|
1 |
|
i;; |
i;; |
100 |
|
|
1 |
"' |
"' |
|
|
о |
|
о |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 19.6 |
|
|
|
|
· молекулы азота заселяется в разряде за счет рекомбинации моле |
||||
|
кулярного иона азота. Переход между этим и основным состо |
||||
'~ |
яниями запрещен. Поэтому возбужденное состояние N2 характе- |
||||
ризуется большой заселенностью. При взаимодействии возбужден- |
|||||
ных молекул азота с молекулами СО2, находящимися в основном состоянии, возможна передача возбуждения, ведущая к преиму-
,щественному заселению состояния 4. В результате возникает ин
версия на переходах 4 --+ 3 и 4 --+ 2. Рабочему переходу 4 -- 3 соот ветствует длина волны 10,6 мкм. Опустошение нижнего лазерного
уровня 2 или 3 происходит очень быстро вследствие колебатель
ного и вращательного обмена, так что молекула попадает в ниж
нее колебательное состояние 1' причем выравнивание заселен
ностей лазерных уровней 2 и 3 происходит в течение 10-8 ••• 10-9 с.
Опустошение колебательного состояния 1 происходит на не сколько порядков медленнее, так что необходимы дополнитель
ные компоненты в активной среде для достижения быстрого опустошения уровня 1 и тем самым поддержания инверсной на-
селенности на необходимом уровне. Оптимальными компонен
тами являются гелий, водород и вода. Соответственно этому ис пользуется газовый разряд со смесью СО2, N2 :и Не (отношение
парциальных давлений Рс02 : PN : .Рне = 1: 1: 8). В лазерах же
2
на чистой смеси C02-N2 рабочий объем заполняется смесью угле , кислого газа и азота в соотношении (1 : 1)...(1 : 5) при общем давле-
570 |
Раздел 5. ПРИБОРЫ КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ |
нии порядка 1 мм рт. ст. Добавка гели.я значительно увеличива
ет мощность генерации. К уменьшению инверсии населенностей приводит диссоциация молекул СО2 (50 ...80% молекул распа
дается в течение 0,1 ... 1 с) с образованием молекул СО и повыше нием температуры газа, что приводит к более высокому теплово
му заселению нижнего лазерного уровня и ускорению столкно
вительной релаксации верхнего лазерного уровня 4.
СО2-N 2 лазер является одним из важнейших типов лазеров.
С помощью С02-лазера достигается максимальная непрерывная
мощность лазерного излучения. Его высокий КПД (больше 20%)
превышает КПД почти всех других лазеров, за исключением по
лупроводниковых, существует несколько разновидностей С02-ла зеров. К ним относятся: СО2-лазеры с непрерывным возбуждени ем, Импульсные СО2-лазеры, ТЕлазер на СО2 высокого давле ния, волноводный СО2-лазер, газодинамический СО2-лазер и ряд других. Наиболее мощным из перечисленных типов СО2-лазеров
являются газодинамические, с помощью которых можно получать
непрерывную генерацию с мощностью более 100 кВт. В этих лазе
рах инверсия населенностей образуется благодаря тому, что смесь
газов (СО2, N2, Н20) с высокой температурой(~ 1500 К) и большим давлением(~ 2 МПа) вытекает через сверхзвуковое сопло с высокой скоростью. Из-за того, что при истечении газодинамиче ской струи происходит ее расширение и охлаждение, нижний ла
зерный уровень СО2 релаксирует к состоянию с более низкой тем
пературой существенно быстрее, чем верхний, поэтому в направ
лении потока образуется инверсия населенностей.
В дальней ИК области вплоть до миллиметрового диапазона
длин волн используются колебательно-вращательные уровни
тщшх молекул, как CH3Br, NH3 , Н20, H 2S, 802 , HCN, CH3F,
СН30Н и т. д. Когерентное излучение в УФ диапазоне длин волн
можно получить в лазерах на Н2, а также на атомах Ne, Ar, Kr, Хе, Cl, F, С, О, N и т. д., находящихся в различных ионизацион
ных состояниях.
19.6. Разновидности газовых лазеров
19.6.1. Эксимерные лазеры.
В качестве активной среды в лазерах этого типа выступают молекулы, которые могут существовать только в возбужденном состоянии. Такие молекулы называются эксимерами. В экси-
Глава 19. Газовые лазеры |
571 |
мерных молекулах для лазерной генерации используются элек
тронно-колебательные переходы между устойчивым возбуж
денным (Е1) и химически неустойчивым основным состоянием (Е0). В качестве примера эксимерных молекул можно привести возбужденные молекулы благородных газов и их соединения:
Хе;, Кг;, Аг;, XeF*, XeCl*, КгF*, АгF* и т. д. (звездочка озна
чает возбужденную молекулу).
Если в рабочем объеме создать большую концентрацию экси-
'мерных молекул, например, пучком электронов с энергией до
1 МэВ и плотностью тока до 1011 А/см2 , то может быть получена.
инверсная населенность возбужденного уровня Е1• В результате возникает инверсия населенностей на переходах между верх ним связанным состоянием Е1 и нижним неустойчивым состо янием Е0• Из-за того, что верхнее состояние Е1 представляет собой полосу электронно-колебательных уровней, а в нижнем состоянии отсутствует дискретная вращательно-колебательная
структура уровней энергии, излучение эксимерного лазера про
исходит в сравнительно широком спектральном диапазоне, что
позволяет перестраивать частоту генерации в пределах этого
перехода.
Помимо широкополосности излучения, можно отметить так же то, что эксимерные переходы из возбужденного в неустой чивое основное состояние из-за быстрой диссоциации экси-
'мерной молекулы сопровождаются практически мгновенным
опустошением нижнего лазерного уровня. Время жизни экси
меров мало(~ 10-9 ".10-8 с), поэтому эксимерные лазеры работа
ют в основном в импульсном режиме, генерируя короткие им
пульсы излучения с энергией до 105 Дж и КПД до 10%. Экс
имерные лазеры излучают энергию в УФ диапазоне длин волн
(~1... 3,5)102 нм.
19.6.2. Химические лазеры.
Инверсия населенностей в химических лазерах достигается за
счет энергии химических реакций между отдельными составляю щими активной среды, при этом используются только экзотерми ческие реакции. В результате этих реакций в газовых смесях, на
пример таких, как HF, происходит выделение энергии, большая часть которой переходит в колебательную энергию молекул.
Таким образом, основным достоинством химических лазеров является прямое преобразование химической энергии в энер-
