Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Литература / Шишкин Г. Г. , Шишкин А. Г. Электроника 2009 (1)

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
05.06.2026
Размер:
30.97 Mб
Скачать

552Раздел 5. ПРИБОРЫ КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

18.2.2.Мазеры бегущей волны (МБВ).

МБВ имеют лучшие параметры, чем многорезонаторные уси­ лители. Усиление в МБВ получается за счет длительного взаимо­ действия усиливаемого сигнала с активным веществом. Полоса пропускания усилителя бегущей волны ограничена полосой про­ пускания замедляющей системы и шириной контура спектраль­

ной линии рабочего вещества. В качестве замедляющей системы (см. п. 13.3) часто применяется гребенчатая структура, при ис­

пользовании которой однонаправленное излучение достигается

без заметного усложнения конструкции прибора. Чтобы получить

однонаправленное усиление, т. е. устранить отражения, вызван­

ные рассогласованием на входе и выходе, вводят специальный по­ глотитель обратной волны и определенным образом располагают активное вещество по отношению к замедляющей системе (см.

рис. 18.2, в). На рис. 18.2, ~ введены следующие обозначения: 1 и 2 - входной и выходной штыри связи соответственно с ис­

точником сигнала и нагрузкой; 3 - активное вещество (рубин);

4 - невзаимный элемент (обычно феррит в магнитном поле);

5 - гребенчатая замедляющая система; 6 - волновод. Замедляющая система, активное вещество и невзаимный эле­

мент размещаются в отрезке волновода 6, который одновременно является низкодо.бротным резонатором.

Накачка может быть осуществлена с использованием волно­

водного переходника или спец;Jiального штыря, дополнительно

введенного в секцию волновода. На рис. 18.2 опущены такие

элементы конструкции МБВ, как магнит (электромагнит) и криогенное устройство для охлаждения активного вещества.

18.3. Охлаждение мазеров и их параметры

Усиление в твердотельных мазерах можно получить при глу­ боком охлаждении кристалла до температуры жидкого гелия (1,2 .. .4 К). Причины, по которым приходится это делать, связа­

ны со спецификой больцмановского распределения примени­

тельно к СВЧ-диапазону частот, когда энергия кванта электро­ магнитной волны на частоте сигнала и накачки много меньше тепловой энергии колебаний атомов и ионов вплоть до криоген­

ных температур, т. е. hfсвч « kT.

При больцмановском распределении отношение населеннос­

тей нижнего и верхнего уровней равно

-(E1 -Ei) hf

п./п. = е k_т_ = еkт.

' }

Глава 18. Квантовые приборы СВЧ-диапазона (мазеры)

553

При hf « kT разность населенностей крайне мала; так, при

Т"" 300 К (п; - ni)/n; составляет всего лишь 10-4 , поэтому для по­

лучения заметной разности населенностей необходимо охладить

1.. спиновую систему (парамагнитный возбужденный кристалл) до

1 гелиевых температур, хот.я возможность усиления существует и

при температуре жидкого азота (77 К) и даже сухого льда i (195 К). Напрактике весьрезонаториливсю волноводнуюсисте­

!му погружают в жидкий хладоагент, содержащийся обычно в

хорошо изолированнь1х сосудах Д:~:,юара с двойными стенками. Для жидкого гелия применяются двойные сосуды, в которых

внутренний сосуд с гелием помещают во внешний с азотом. Не­

обходимость охлаждения мазеров .является их существенным

недостатком.

Однако наличие низкой температуры имеет и положитель­ ную сторону, связанную с крайне низким уровнем шумов, кото­ рый для мазеров обычно оценивают не коэффициентом шумов,

а эквивалентной избыточной входной шумовой температурой усилителя Тэкв (см. п. 22.3). Как показывают расчеты, шумовая i температура связана с коэффициентом шума F соотношением,

вытекающим из формулы (22.8):

т

F=1+ ;кв,

о

где Т0 - шумовая температура генератора (источника сигнала).

Обычно Т0 принимается равной температуре окружающей

среды при нормальных условиях, т. е. Т0 "" 290 К.

Эквивалентная шумовая температура усилителя Тэкв имеет тот

же порядок величины, что и его рабочая температура, т. е. состав­

ляет около 4 К, тогда коэффициент шума составляет F"" 1,01, т. е. шум-фактор равен нескольким сотым дБ. В реальных сис­

темах полные шумовые характеристики усилителя всегда опре­ деляются не шумами усилителя, а омическими потерями и шу­ мами во входных линиях, потерями в антенне и т. д.

Во всех реальных случаях шумы самого усилителя оказыва­

ются пренебрежимо малыми. Следует отметить, что тепловые

шумы квантовой системы тесно связаны со спонтанным излуче­

нием, которое для спиновых систем в СВЧ-диапазоне играет су­

щественно меньшую роль, чем для переходов, соответствующих

оптическому диапазону (см. гл. 19, 20). Однако это основной фи-

554

Раздел 5. ПРИБОРЫ КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

зический процесс, который в конечном счете обусловливает соб­ ственные тепловые шумы квантовых усилителей.

Мазеры как усилители со сверхнизким уровнем шума целесо­

образно использовать только в случаях, когда остальные шумы в системе, и в том числе шумовой фон источника излучения, доста­ точно малы. Поэтому реализация очень малых потерь в волново­

дах, циркул.яторах, вращающихся сочленениях и других элемен­

тах становите.я определяющей при создании радиосистем. Поми­

мо этого, при конструировании квантового приемника

приходите.я учитывать не только ширину диаграммы и коэффи­

циент направленности излучения, но также боковые и задние ле­

пестки, поскольку через них может поступать на вход тепловое

(шумовое) излучение окружающих предметов, хот.я главный луч

и будет направлен на источник излучения холодного неба. Современные :КПУ работают начина.я с дециметрового и вплоть

до миллиметрового диапазона длин волн, имеют усиление 20 ...

...40 дБ, полосу пропускания до 20 МГц (многорезонаторные уси­ лители) и до 40 МГц (усилители с бегущей волной). :КПУ имеют ма­

лый динамический диапазон: насыщение в резонаторных усили­

телях наступает при мощности входных сигналов 10-9 ••• 10-10 Вт,

а в усилителях бегущей волныпри мощности 10-7 Вт, врем.я

восстановления порядка 0,01 ...0,1 с. Последние два фактора

можно отнести к существенным недостаткам рассматриваемых

усилителей.

:КПУ нашли применение в первую очередь в системах исследо­

вания космического пространства, дл.я управления и св.язи с ис­

кусственными спутниками Земли и другими летательными аппа­ ратами, в системах ПРО для обнаружения баллистических ракет, в РЛС дальнего обнаружения и других областях науки и техники.

18.4. Квантовые генераторы СВЧ-диапазона

Основным достоинством квантовых генераторов СВЧ-диапа­ зона является чрезвычайно высока.я стабильность частоты, много лучшая, чем у других типов генераторов: Однако уровень мощ­ ности излучения этих генераторов крайне мал, поэтому они могут применяться как опорные источники высокостабильных колеба­

ний, корректирующих частоту кварцевых генераторов, а также

использоваться в квантовых стандартах частоты и времени, в навига­

ции, при исследовании космоса и в других областях науки и тех­

ники. В качестве эталона времени принят период колебаний, соот-

Глава 18. Квантовые приборы СВЧ-диапазона (мазеры)

555

ветствующий центру контура спектральной линии атома цезия

Cs133 на частоте 9192 631 770 Гц. Эталон длины 1 м сравнивается

с длиной волны Л спектральной линии криптона Kr86 , а именно на

отрезке в 1 м укладывается 1 650 763, 77 длин волн этой линии.

Стандарты частоты разделяются на пассивные и активные. В пассивных приборах используется внешний СВЧ-генератор,

частота которого подстраивается под частоту одного из перехо­

дов атомов рубидия или цезия, колба с которыми помещается в

резонатор и облучается газосветной лампой, заполненной также парами рубидия или цезия. Излучение от лампы имеет частоты, соответствующие частотам переходов атомов в колбе, размещен­ ной в резонаторе, поскольку она заполнена теми же атомами, что и газосветная лампа. Излучение от газосветной лампы, проходя­ щее через колбу, вызывает вынужденные переходы между опти­

ческими уровнями (частота переходов этих уровней лежит в оп­ тическом диапазоне), причем из-за б6льШей населенности ниж­

них уровяей число переходов с поглощением больше, чем с излучением, что приводит к ослаблению интенсивности света, проходящего через колбу. Если в резонатор, где расположена

колба, подать СВЧ-мощность с частотой, соответствующей часто­

те перехода между нижними уровнями атомов рубидия или це­

зия (частота этих переходов лежит уже в СВЧ-диапазоне и верх­ ний уровень СВЧ перехода является нижним для указанного оп­

тического перехода), то произойдет перераспределение населен­ ности между оптическими уровнями. В результате поглощение

света колбой возрастет, поскольку увеличилась населенность нижнего уровня оптического перехода за счет энергии СВЧ-коле­

баний, что вызовет уменьшение интенсивности светового потока, регистрируемого фотодетектором. Для увеличения точности на­

стройки СВЧ-генератора на частоту перехода атомов в колбе при­

меняется низкочастотная фазовая модуляция СВЧ-сигнала спе­

циальным генератором. Далее промодулированный низкочастот­ ный сигнал используется для управления частотой кварцевого

генератора.

В службе времени и других областях науки и техники, где

существует потребность в сигналах, составляющих сетку стан­ дартных высокостабильных частот (1 кГц, 10 кГц, 100 кГц,

1 МГц и др.), для этих целей наиболее целесообразно исполь­

зовать современные активные квантовые стандарты частоты, сре­

ди которых следует выделить часто применяемые автогене­

раторы на атомах водорода. Схема одного из них привед~на

556

Раздел 5. ПРИБОРЫ КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

1 2 3 4 5 6

~и.--г~-~1г;-:tg3'f~

~---

~

:

:

1 s 1

:

~---------------------

 

~--)

а)

6)

Рис. 18.5

на рис. 18.5. В генераторе используется переход с частотой

1420,405 МГц между энергетическими уровнями сверхтонкой

структуры основного состояния атома водорода.

Принцип действия и устройство водородного генератора, схематично показанного на рис. 18.5, а, состоит в следующем. В источнике 1 под действием высокочастотного разряда проис­

ходит разложение молекулярного водорода на атомы. Разряд

осуществляется при давлении 10... 50 Па. Диафрагма 2, пред­

ставляющая собой систему параллельных каналов с диаметром

~ 1,4 мм, формирует параллельный атомарный пучок 4, проходя­ щий магнитное сортирующее устройство 3. Около резонатора 6 с

накопительной ячейкой 5 поддерживается давление 10-5 Па. Раз­

ность давлений в источнике 1 и на входе в резонатор заставляет

атомы водорода двигаться от источника через каналы в камеру.

Перед входом в магнитное сортирующее устройство 3 в пучке находятся атомы водорода как на нижнем Е1' так и на верхнем Е2

энергетических уровнях рабочего перехода. Сортировка атомов по

указанным энергетическим состояниям осуществляется неодно­

родным магнитным полем, создаваемым шестиполюсным посто­

янным магнитом, формирующим структуру поля, показанную на

рис. 18.5, б. Атомы, находящиеся в верхнем энергетическом со­ стоянии, фокусируются вблизи оси шестиполюсного магнита, где магнитная индукция равна нулю (В= О), и попадают в разме­ щенную в резонаторе кварцевую колбу (накопительная ячейка 5), стенки :которой покрыты тефлоном. Суть метода сортировки со­

стоит в том, что на частицы, в данном случае на атомы водорода,

Глава 18. Квантовые приборы СВЧ-диапазона (мазеры)

557

'обладающие магнитным моментом, в неоднородном магнитном поле действует сила, направление которой определяется знаком

u

дВ (

r -

.

и

производнои

дr

радиус-вектор, направленныи от оси сорти-

рующей системы к периферии). В селекторе 3 напряженность

магнитного поля возрастает от оси :к периферии, и производная

дВ

.

дr

имеет один и тот же знак. С увеличением магнитного поля

энергия нижнего уровня (Е1) уменьшается, а верхнего (Е2) воз­

растает, поэтому и силы, действующие на атомы, находящиеся

в состояниях с неравными энергиями Е1 и Е2, будут различны.

В результате частицы с энергией Е2 отклоняются к оси и попа­ дают в резонатор, а с энергией Е1 - уходят от оси и удаляются

насосом, благодаря чему и создается инверсная населенность

уровней.

Полный поток атомов водорода, поступающих в кварцевую

накопительную ячейку, покрытую изнутри тефлоном, равен

1012 ••• 1013 частиц в се.кунду1 • АтомЬ1 в колбе находятся в тече­ нии нескольких секунд, испытывая в среднем 105 соударений со

стенками колбы, и вылетают через то же входное отверстие. Осо­

бенность тефлона состоит в том, что при соударении с ним воз­ бужденных атомов происходит сохранение возбужденного со­ стояния. В результате атомы водорода сохраняют возбужденное

состояние в течение времени гораздо большего, чем время свобод­ ного пробега в резонаторе, что увеличивает время жизни на уров­ не и уменьшает ширину спектральной линии генерации:. Отра­

жаясь от стенок накопителя, атомы движутся по различным на­

правлениям, причем усредненная за время их взаимодействия с

полем излучения скорость практически равна нулю, чем резко

ослабляется влияние эффекта Доплера на уширение контура спектральной линии. В целом ширина спектральной линии излу­

чения атомов водорода в этой системе имеет чрезвычайно малую

величину- 0,0057 Гц (в молекулярном генераторе на аммиаке ши­ рина линии составляет единицы кГц). Стабильность частоты водо­

родного генератора характеризуется величиной не хуже -10-12 ,

что является лучшим показателем для всех генераторов такого

1 Накопительная ячейка применяется для увеличения времени пребывания

атомов в резонаторе, что приводит к росту числа излучательных переходов и

обеспечивает генерацию.

558

Раздел 5. ПРИБОРЫ КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

типа. Для получения столь высокой стабильности необходима

тщательная магнитная экранировка. Мощность водородного ге­

нератора - 5 • l0-12 Вт, что достаточно для стабилизации частоты

более мощных генераторов. Он работает совместно со специаль­

ными радиотехническими устройствами, служащими для фор­

мирования сетки частот и управления ttтомными часами.

-®.-------

11 Контрольные допросыt-1-------

1. Охарактеризуйте особенности активного парамагнитного ве­ щества. Как образуются парамагнитные уровни энергии и :каковы их характеристики?

2. С чем связаны зеемановское расщепление уровней и явление электронного парамагнитного резонанса?

З. Резонаторные :квантовые парамагнитные усилители: устрой­

ство, способы создания инверсии населенностей, особеннос­

ти накачки в трех- и четырехуровневых системах.

4.Квантовые парамагнитные усилители (КПУ) бегущей волны:

устройство, физические механизмы усиления сигнала, пара­

метры и характеристики.

5. Необходимость охлаждения для работы мазеров. Влияние

криогенных температур на характеристики мазеров.

6.Квантовые генераторы СВЧ-диапазона, особенности созда­

ния инверсной населенности за счет сортировки частиц в не­

однородном магнитном поле. Параметры современных :кван­

товых стандартов частоты.

Глава 19

ГАЗОВЫЕ ЛАЗЕРЫ

19.1. Общие сведения

Газовые лазеры - наиболее широко используемый вид лазе­ ров. Среди них можно найти лазеры такого типа, которые будут

удовлетворять почти любому требованию.

Глава 19. Газовые лазеры

559

Особенности газовых лазеров большей частью обусловлены

тем, что они, как правило, являются источниками излучения

атомных или молекулярных спектров. Поэтому длины волн пе­

реходов точно известны. Они определяются атомной структурой

и практически не зависят от условий окружающей среды. Гене­ рация может быть осуществлена в любой части оптического диа­

пазона - от УФ (- 200 нм) до далекой ИК области (- 0,4 мм),

частично захватывая микроволновую область.

Разреженность рабочего газа обеспечивает оптическую одно­

родность среды с низким коэффициентом преломления, что по­

зволяет применять простую математическую теорию для описа­

ния структуры поперечных мод резонатора. Необходимо также

отметить, что линии спонтанного излучения в газовом лазере наи-

о

более узки (l0-8 ••• 10-2 А). Ширина линии генерации газовых ла-

зеров минимальна среди всех видов лазеров и может составлять

десятки герц. Благодаря высокой однородности активной среды в газовых лазерах можно получать наименьший угол расходимости лазерного луча по сравнению с другими типами лазеров (порядка минуты без всякйх дополнительных коллимирующих устройств).

Газовые лазеры можно. разделить на три вида: атомарные,

ионные и молекулярные.

Лазеры на нейтральных атомах являются главным образом

генераторами ближнего ИК и красного излучения, поскольку

для нейтральных атомов энергия, соответствующая лазерным

переходам, составляет обычно 1".2 эВ.

Вионных газовых лазерах энергия излучения квантов зна­ чительно больше - 2... 5 эВ и более, поэтому ионные газовые лазеры генерируют видимое и УФ-излучение.

Вмолекулярных лазерах используются колебательные и

вращательные уровни молекул, для которых энергия переходов

составляет сотые и десятые доли эВ, что соответствует излуче­ нию в далеком ИК и субмиллиметровом диапазонах длин волн.

19.2. Процессы создания инверсии населенностей в газовых лазерах

Свойства газовых лазеров зависят от величины давления и

природы газа, от взаимного расположения и времени жизни ра­

бочих уровней, от энергии и плотности свободных электронов, от размеров объема, где расположен газ, от способа подведения энергии и ряда других факторов (см. п. 15.2). Можно указать

560

Раздел 5. ПРИБОРЫ КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

следующие механизмы создания инверсии населенности в газо­

вых лазерах: неупругие столкновения частиц 1-го и 2-го рода в

газовом разряде, оптическ~я накачка, диссоциация молекул,

фотодиссоциация. В большинстве случаев в газовых лазерах на­

качка осуществляется за счет газового разряда, создаваемого в

активной среде, где располагаются электроды. Основные физи­

ческие процессы в газовом разряде рассмотрены в гл. 15. Здесь будут перечислены и просуммированы те положения, которые доминируют при получении инверсии населенностей.

Из всего большого разнообразия видов разряда в газе (см.

п. 15.2) в техн»ке газовых лазеров наиболее часто используются

тлеющие и дуговые разряды, в которых можно выделить три ха­

рактерные области: прикатодную, прианоДную и область поло­

жительного столба (см. п. 15.2). Напомним, что положительный столб отличается от приэлектродных областей небольшим гра­

диентом потенциала и отсутствием объемного заряда. В плазме положительного столба в основном и создается инверсия насе­

ленностей, поскольку в этой области присутствуют как электро­

ны, так и нейтральные возбужденные и невозбужденные атомы, молекулы и ионы, как положительные, так и отрицательные.

Все частицы в плазме положительного столба находятся в не­

прерывном хаотическом движении, а заряженные частицы еще

участвуют и в непрерывном дрейфовом движении. В процессе своего движения частицы взаимодействуют (соударяются) друг с другом, обмениваются энергией, в результате чего и происхо­

дит возбуждение и ионизация атомов и молекул. Процессы взаимодействия между частицами в плазме разряда принято де­

лить на две группы: упругие и неупругие.

За счет упругих взаимодействий энергия от заряженных час­ тиц передается нейтральным, а направленное движение частиц

превращается в хаотическое. Поэтому средняя энергия хаоти­

ческого движения частиц в плазме возрастает и, следовательно,

их температура оказывается выше, чем температура окружаю­

щей среды, однако увеличение средней энергии различно для

разных частиц.

Среди неупругих процессов взаимодействия 1-го рода наибо­

лее существенными являются следующие: прямое электронное

возбуждение, ступенчатое электронное возбуждение, ионизация атома (см. п. 15.2). При прямом электронном возбуждении воз­

бужденные состояния атомов заселяются при малой концентра­

ции электронов в разряде. При ступенчатом возбуждении засе-

Глава 19. Газовые лазеры

561

ляются возбужденные состояния атомов при достаточно большой концентрации электронов в газовом разряде. Ионизация приве­ дет к увеличению количества заряженных частиц в плазме. Все эти три неупругих процесса являются процессами 1-го рода, так

как в результате взаимодействия суммарная кинетическая энер­

гия частиц убывает (см. п. 15.2).

При взаимодействии медленного электрона с возбужденным атомом возможно соударение 2-го рода, при этом атом отдаст свою внутреннюю энергию и перейдет в невозбужденное состоя­ ние. Результатом этого процесса является обеднение возбуж­

денных состояний. Другим эффективным процессом неупругих

соударений 2-го рода являются соударения нейтральных и воз­

бужденных атомов в смеси различных газов, когда невозбуж­ денный атом одного газа сталкивается с возбужденным атомом другого газа и в результате этого происходит передача возбуж­ дения. Результатом такого процесса является дополнительное

заселение возбужденных состояний за счет взаимодействия с

,атомами буферного газа. Вероятность этого процесса тем выше,

чем ближе .друг к другу расположены энергетические уровни,

между которыми осуществляется обмен возбуждениями, т. е. в

'идеальном случае эти уровни должны иметь одно и то же значе­

ние энергии.

Перечисленные процессы далеко не исчерпывают все многооб­ разие явлений в плазме положительного столба. Однако они по­

зволяют в первом приближении трактовать механиЗмы создания

инверсии населенностей в наиболее распространенных видах га­ зовых лазеров. В заключение подчеркнем роль упругих и неупру­ гих процессов в создании инверсии населенностей. Инверсия на­

селенностей непосредственно обязана неупругим соударениям.

Упругие же столкновения определяют среднюю энергию хаоти­

ческого перемещения электронов (электронную температуру) в

газовом разряде, которая определяет вероятность и значение се­

чения возбуждения или ионизации. Сечения процессов немоно­

тонно зависят от электронной температуры.

19.З. Атомарные газовые лазеры. Гелий-неоновый лазер

Первым газовым лазером непрерывного действия был лазер,

в котором в качестве активной среды использовалась смесь двух газов - гелия и неона. Схематическое устройство Не-Ne лазера