1.1Расчёт ГВВ с ОЭ. Транзистор 2Т610Б в критическом режиме
1.1.1Параметры транзистора
Типовое значение частоты (Гц):
Частота (Гц):
Типовое усиление по мощности (Вт):
Ёмкость коллекторного перехода (Ф):
Сопротивление коллектора в открытом состоянии (Ом)
Крутизна в граничном режиме на типовой частоте (См):
Напряжение питания коллектора (В):
Мощность в нагрузке (Вт):
Допустимое напряжение на коллекторе (В):
Предельно допустимая температура перехода (oC):
Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером:
Сопротивление базы (Ом):
5
Сопротивление эмиттера (Ом):
Граничная частота (частота, на которой h21Э=1) (Гц):
Ёмкость эмиттерного перехода (Ф):
Напряжение смещения на базе (В):
Напряжение база-эмиттер (φТ) (В):
Активная ёмкость коллекторного перехода (Ф):
Индуктивность вывода эмиттера (Гн):
Индуктивность вывода базы (Гн):
Температура корпуса транзистора (oC):
Температурное сопротивление переход-среда (oC/Вт):
Максимальная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Вт):
Индуктивность вывода коллектора (Гн):
6
1.1.2Расчёт
1.Ожидаемый коэффициент усиления по мощности (Вт):
2.Сопротивление потерь коллектора в параллельном эквиваленте (Ом):
3.Коэффициент использования коллекторного напряжения с учётом сопротивления потерь коллектора в граничном режиме:
4.Напряжение на коллекторе, приведённое к ЭГ (эквивалентному генератору) (В):
5.Максимальное напряжение на коллекторе (В):
6.Первая гармоника тока нагрузки, приведённая к ЭГ (А):
7.Сопротивление нагрузки (эквивалентное сопротивление) и полное сопротивление, приведённые к ЭГ (Ом, Ом):
7
8. Амплитуда первой гармоники тока, приведённая к ЭГ (А):
то же параметр по другой формуле:
9.Крутизна по переходу (См):
10.Сопротивление рекомбинации (Ом):
11.Крутизна статической характеристики коллекторного тока (См):
12.Коэффициенты А и В:
13.Коэффициент разложения:
8
14.Из таблицы коэффициентов разложения косинусоидальных импульсов находим:
15.Амплитуда тока базы (А):
16.Модуль коэффициента усиления по току, приведённый к ЭГ (А):
17.Пиковое обратное напряжение на эмиттере (В):
18.Составляющие входного сопротивления транзистора первой гармонике
всхеме с общим эмиттером (Ом, Ом), индуктивность между базой и эмиттером (Гн):
19. Коэффициент усиления по мощности в схеме с общим эмиттером:
9
20.Постоянная составляющая коллекторного тока (А):
21.Мощность, потребляемая от источника питания (Вт):
22.КПД коллектора:
23.Входная мощность (Вт):
24.Рассеиваемая мощность (Вт):
25.Допустимая мощность рассеянья при данной температуре корпуса транзистора (Вт):
26.Составляющие сопротивления нагрузки, приведённые к внешнему выводу коллектора в параллельном эквиваленте (Ом, Ом, Ом):
10
RН по другой формуле:
27. Реактивная составляющая сопротивления нагрузки, приведённая к внешнему выводу коллектора в параллельном эквиваленте имеет положительный знак, т. е. индуктивную реакцию. Индуктивность, включенная в коллекторную цепь транзистора вместо дросселя с большим сопротивлением на рабочей частоте (Гн):
11