Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
литература / Гудков С. А. Устройства.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
13.05.2026
Размер:
4.91 Mб
Скачать

При m 1 имеем много информационных составляющих, а могут быть случаи, когда несущая равна нулю (m=2,4 и др.). Это создает большую

помехоустойчивость связи при угловой модуляции с большими индексами

составляет

 

..

= 2

модуляции, но сопровождается значительным расширением спектра сигнала.

 

= 200

, то при m=100 она

Например,

если при m=1 ширина спектра

Свойства угловых модуляторов:

1) Угловая модуляция осуществляется на низком уровне мощности ( в автогенераторе или рядом с ним). Поэтому выходные мощные каскады работают в оптимальном расчетном режиме;

2) Большая помехоустойчивость при m 1;

3) Широкий спектр сигнала, что требует широкой полосы пропускания выходных каскадов. Поэтому ЧМ и ФМ применяются в УКВ диапазоне и выше.

4.2 Схемы частотных модуляторов

При построении частотных модуляторов используются два способа:

1) Прямой способ – непосредственное воздействие на задающий АГ, рис.

4.5 а), что позволяет задать большую девиацию

∆ω

, но при этом имеем

большую нестабильность несущей частоты .

 

2) Косвенный способ – использование

фазового модулятора, на который

ω0

 

 

информационный сигнал подается через интегратор, рис. 4.5 в). Тем самым

ФМ преобразуется в ЧМ, но в силу свойств ФМ (

 

 

девиация

 

 

получается малой и далее для увеличения m и

 

требуется применение

 

< 2)

 

 

∆ω

умножителей частоты. Но при этом стабильность

центральной частоты

 

 

не

∆ω

 

 

ω0

нарушается.

 

 

 

 

34

Рис. 4.5 Структурные схемы ЧМ.

Прямой способ реализуется с помощью управляемых реактивностей, либо путем переключения обычных реактивностей с помощью ключей к колебательной цепи АГ.

Рис. 4.6 ЧМ на варикапе с емкостной связью

На рис. 4.6 представлена схема частотного модулятора на варикапе с емкостной связью с контуром, , ,, автогенератора, . Она содержит колебательныйблок контур из элементов блокировочную индуктивность , через

которую на варикап поступает запирающее смещение 0, определяющее

35

рабочую точкум. варикапа, создаваемое делителем R1, R2 и модулирующее напряжение

Такимм = 0образом+ м на варикапе действуютω. управляющее напряжение и высокочастотное

Имеем емкость контура:

к = СС+в·ССв = 1+СвССв.

Частота контура:

 

 

 

 

 

 

 

 

=

 

1Св·С

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

·С+Св

 

 

Св

= С0

 

= 0

 

 

изменение:

 

 

,

. Относительная частота и её

При отсутствии управления

 

 

 

 

 

ωω0 =

0+C0

(1 + CCB

) и =

0+C0 (1 + CCB

) 1.

(4.2)

Таким образом, мы получили зависимость относительного изменения частоты контура от емкости варикапа.

Варикап – это полупроводниковый диод, емкость запертого p-n-перехода которого зависит от приложенного к нему напряжения. Малые габариты, ничтожная мощность источника управляющего напряжения – вот достоинства этого типа частотного модулятора.

Таким образом, работает барьерная емкость варикапа, зависимость которой от напряжения имеет вид:

СВ = С0

(

+ м

) ,

 

= 0,5 ÷ 0,9В

0

(4.3)

φ

 

 

 

м = 0

 

 

где

 

– контактная разность потенциалов

,

 

емкость

, 0

,

 

 

=0,5 и имеют:

 

 

 

варикапа при

 

 

, =0,3…1.

 

 

 

зависят от типа варикапа. Часто полагают

36

СВ = С0

+ м

.

 

 

(4.4)

Подставим (4.4) в (4.2), получим:

 

 

=

 

1.

 

 

0+C0 (1 + CC0 1 + φм)

 

(4.5)

ЧМ модулятора по схеме на рис. 4.6.

характеристику

= ( м)

Формула (4.5) определяет модуляционную

 

На варикапе действуют несколько напряжений и сумма этих напряжений

должна подчиняться следующим условиям:

 

0

 

 

 

 

 

условие отсутствия пробоя;

(4.6)

 

 

 

допусловие запертого p-n- перехода;

 

+

+

<

 

 

 

где

 

 

 

 

амплитуда управляющего и ВЧ напряжений.

 

0

− Ωи-

> 0

 

 

 

 

 

 

 

зависит от коэффициента включения варикапа в контур:

 

 

 

1

 

1

 

.

(4.7)

B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U

=

+

=

1 +1

=

ССв∙С+вС

= Св+С

 

Как видно из (4.7) амплитуда высокочастотного напряжения на варикапем зависит от его емкости, а следовательно от управляющего напряжения .

Поэтому искать оптимальный коэффициент включения нереально. Далее будет показаном , что при индуктивной связи коэффициент включения не зависит от .

На рис. 4.7 представлена схема ЧМ на двух варикапах с индуктивной связью с контуром АГ.

37

Рис. 4.7 ЧМ на варикапах с трансформаторной связью

Здесь варикапы включены встречно друг другу и подключены к обмотке связи трансформатора. Емкостью контура является суммарная емкость варикапов пересчитанная в первичную цепь активного элемента:

= 21 2 В.

 

Частота:

0 = 1 0;

0 = 21 2 0В;

= 1 ;

= 0

1 = 0ВВ

1.

Подставляя значение В получим модуляционную характеристику:

= 4 1 + м 1.

(4.8)

Как видно из изложенного амплитуда высокочастотного напряжения не зависит от модулирующегоK , определяется только коэффициентом трансформации . Тем самым все напряжения легко выбрать исходя из

38

условий (4.6), заданного коэффициента нелинейности используя модуляционные характеристики (4.5) и (4.8).

Рис. 4.8 Модуляционные характеристики ЧМ на варикапе

= 45В, φ = 0,83

На рис. 4.8 представлены модуляционные характеристикидоп , полученные по выражениям= 0 (4.5) и (4.8) для варикапа КВ-104В ( ),

. Как видно из рисунков ЧМ имеет большую нелинейность характеристики в начальном участке, а пределы изменения частоты более

100%.

На рис. 4.9 представлена схема ключевого частотного модулятора. Она содержит колебательный контур автогенератора LC1, емкость C2,

подключаемую к

контуру с помощью диодов VD1 и VD2 и источников

модулирующих напряжений

 

и

 

. Емкость

 

подключается к

источникам,

когда

напряжение в точке «равно тому или другому

 

+uм

 

uм

 

C2

 

напряжению

uм. Напряжения uм

являются управляющими и изменяются

синхронно.

39

Рис. 4.9 Ключевой частотный модулятор

Имеем две крайние частоты:

1

= 1

 

2 = ( 1

+ 2)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

,

 

 

 

1

 

 

 

;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

21

=

1+1 2

=

1 +

12

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Если к контуру подключена емкость C1, то на контуре колебания

протекают с частотой

 

 

1, а если емкость С2, то – с частотой

 

. Подключение

и отключение

происходит, когда напряжения

 

 

будет больше или меньше

 

 

ω

 

 

 

 

 

. (На)

 

1

 

ω2

 

2

 

наоборот,

 

 

амплитуды( )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

некоторых

пороговых

напряжений

 

 

 

рис.

4.10 показан ход

Всегда

±

 

 

 

 

 

 

напряжения ( ).

 

так как работает АГ и его

напряжения

 

 

 

 

моме ты

перехода

с частоты

 

 

на частоту

 

и

 

 

 

 

 

1

и 2

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

напряжение достигает амплитуды

 

 

 

 

 

 

 

 

обратная связь.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

40

 

 

 

 

Рис. 4.10 Напряжение на контуре ключевого ЧМ

 

 

 

 

 

Рассмотрим процесс изменения напряжения u(t) на контуре.

 

 

 

 

 

 

 

 

м

u(t)

 

 

 

 

 

 

 

а

=

2 =

+ м = м

 

 

 

 

 

 

 

равно (точка 1), при этом емкость

2

заряжена до напряжения

Пусть. В точке «напряжение

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

. Оба диода

u

 

 

 

 

а

= 2 = + м

. При

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а

≤ −м

 

 

заперты, и напряжение начинает уменьшаться с частотой

 

 

. Напряжение в

к1

= 2 м

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

или

точке «а»

равно

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

достижении

 

 

 

 

напряжение

 

открывается (точка 2) диод VD2, емкость

 

 

 

 

подключается

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

,

 

 

 

 

 

.

 

+ м

 

 

 

 

 

 

 

контуру и процесс идет с частотой

 

напряжение

 

уменьшается до

 

 

напряжение

а = − − 2

= + м = м. Напряжение в точке «а»

(точка

 

3), а

емкость

 

 

заряжена

до 2напряжения

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а»

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

. В точке «

 

 

а = 2

= + м

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Оба

диода

заперты

и

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а = м

 

 

 

 

2

=

+ 2 м

 

начинает увеличиваться с частотой

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

или u

 

 

 

 

равно

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.

При

 

достижении

 

 

 

 

 

 

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ω1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

открывается

(точка 4)

диод

 

VD1,

емкость

 

 

подключается

к

повторяется

2

 

 

 

 

 

 

 

− м

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(точка

контуру и процесс идет с частотой

2

, напряжение u нарастает до

5), емкость

 

заряжается

до

 

 

 

 

,

оба

диода

 

закрываются

и

 

все

 

 

 

 

аналогично процессу с точки 1.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Как следует из изложенного, пороги напряжений:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 =

2 м, 2

= + 2 м ,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а период колебаний состоит из четырех отрезков:

= 2 1 + 2 2 .

41

Так как

колебания

гармонические с частотой либо

времена

1

и

2 легко находятся из уравнений:

;

1

1

=

 

 

, 2 2 =

 

 

 

1

 

 

 

 

2 м,

 

 

 

 

+2 м;

 

 

 

 

= ω11 arccos (

2 м

)

2 = ω12 arccos (

+2

м

)

 

= ω21 arccos

2 м

 

+ ω22 arccos

+2

м

.

 

 

Определим частоту:

= 2 = ω11 arccos 2 м +ω12arccos (+2 м) ,

отношение частот:

ω1 = arccos 2 м +ω1arccos (+2 м) , ω ω2

и модуляционную характеристику:

= arccos 12 м +ωω12arccos (1+2 м) 1.

ω1, либо ω2, то

(4.9)

(4.10)

Например, 2

= 3C1, имеем ωω21 = 1 +

3 = 2 раза.

Диапазон

модуляции определяется

величиной подключаемой емкости.

На рис. 4.11 представлена модуляционная характеристика для этого случая. Несложно заметить хорошую линейность характеристики при большом диапазоне управления.

42

Соседние файлы в папке литература