КПД не изменяется: |
ср = |
. |
1 и 0 |
|
2 |
|
≈ 0,35 |
|
увеличиваются на |
2, а |
|
В режиме модуляции средние мощности |
|
||||
Итак, модулятор по смещению имеет следующие свойства:
1)Хорошая линейность модуляционной характеристики;
2)Малая мощность модулятора;
3)Малый КПД, порядка 30-40%.
2.3 Модулятор по питанию
Схема АМ модулятора представлена на рис. 2.6.
Это ГВВ с параллельным питанием и дополнительным элементом в цепи питания – трансформаторомΩ = ΩΩ Т, через который подается модулирующее напряжение и в результате напряжение питания изменяется с
частотой Ω:
пм = п + ΩΩ .
Рис. 2.6 Схема АМ-модулятора по питанию
14
Для этого модулятора имеем следующие соотношения: |
|
|
|
||||||||||||||||||
пм = Н(1 + Ω |
;); |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
1 |
= 1 (1 + Ω |
), |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
0 |
= 0 (1 + Ω |
) |
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
частоты. |
= п |
Н |
, |
1 |
, |
|
– параметры |
генератора в |
режимах несущей |
||||||||||||
где |
|
|
Ω, |
|
|
|
|
||||||||||||||
Мощности: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
1 |
= 2 1 |
|
э = 2 1 (1 + Ω ) э = 1 (1 + Ω ) . |
||||||||||||||||||
|
1 |
|
2 |
|
|
1 |
|
2 |
|
|
|
|
2 |
|
|
|
2 |
; |
|||
|
= |
|
|
= |
|
(1 +иΩ ) |
2 |
э = |
|
(1 + Ω ) |
2 |
||||||||||
0 |
0 |
|
пм |
|
0 |
|
п |
|
|
|
|
0 |
|
|
|||||||
= 01 |
|
= = |
равен КПД в расчетном критическом режиме. |
||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
Работа АМ по питанию происходит в сильно перенапряженном режиме. Этот режим представлен в поле1 выходных= ( п) характеристик на рис. 2.7. Он характеризуется соотношением .
15
|
|
|
|
|
|
Рис. 2.7 К анализу АМ по питанию |
|
||||
С целью упрощения чертежа угол отсечки |
θ |
выбран 90 |
° |
. |
|||||||
Из рис. 2.7 имеем: |
|
|
|
||||||||
m = U1Sg ; |
|
; |
|
|
|
(2.6) |
|||||
m1 |
= U1Sg cosθ1 |
= Sкр 1( 2 − 1. ) |
|
|
|
|
|||||
m2 |
= Sкр 1(1 − |
2), п = 1 2 |
|
|
|
|
|
||||
Относительная нелинейность: |
|
|
|
|
|
||||||
1 |
= |
1−1 п |
= 1 −Θ2 . |
|
|
|
|
|
|||
Используя выражения (2.6) получим связь между углами отсечки θ1 и θ2: |
|||||||||||
θ1 = |
S |
m + Sкр 1 |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
кр 1( |
2) , |
|
|
|
|
(2.7) |
||
16
и выражение для тока первой гармоники:
1 = α1(θ) − α1(θ1) Im −α1(θ1) −α1(θ2) Sкр 1(1 −cosθ2).
Сопротивление нагрузки (оно постоянно во всех режимах) напряжения в критическом режиме:
кр = кр = 1( )кр = кр + кр. ;
Рабочая область модуляционной характеристики:
раб = кр− 1кр .
(2.8)
= UI11 и
(2.9)
от прямой |
|
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
1 |
= ( п), то есть ее отличие |
||||||
Полученные выражения (2.6)…(2.9) позволяют произвести оценку |
|||||||||||||||||||
нелинейности модуляционной характеристики |
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
Путь |
|
U1 |
= Eп |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
оценки следующий: |
|
|
|
кр |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
1) |
Задаемся значением нелинейности |
; |
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
напряжения |
Uмин |
, находим |
|
|
|
|
|
|
; |
кр |
|
кр |
|||||||
и кр; |
|
|
|
|
θ2, θ1, 1, RΘи2 = 1 − 1, п = Θ2 |
|
|
||||||||||||
2) |
Задаемся максимальным током |
|
, |
1и минимальным значением |
|
|
|||||||||||||
3) |
Рассчитываем |
|
напряжения в критическом режиме |
|
, |
|
|||||||||||||
4) Определяем рабочую область модуляционной характеристики:
раб = кр− минкр .
В таблице 1 представлены результаты расчётов относительного диапазона рабочей зоны модуляционной характеристики1 АМ по питанию. в зависимостимин от заданной нелинейности и минимального напряжения
м =. 10А, кр = 5А/В , Θ = 90о.
17