ломления образца (рис. 10.2). Луч света, распространяющийся внутри призмы, надает на поверхность раздела материалпризма под углом, превышающим угол полного внутреннего от ражения. Если поглощение в материале отсутствует, от границы отражается 100% энергии, падающей иа нее. Однако, при этом электромагнитное излучение частично проникает в материал, к которому прижата призма. Эта проникающая часть излуче ния может поглощаться исследуемым образцом. Глубина про
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
никновения света в образец составляет |
|
|
|
|
около 0,1 Ао/п. Если отраженный от гра |
|
|
|
|
ницы раздела призмы с образцом свет |
|
|
|
|
разложить в спектр, то можно получить |
|
|
|
|
спектр |
поглощения |
поверхностного слоя |
|
|
|
|
образца толщиной около 0,1 XQ/W. |
|
|
|
|
На |
рис. |
10.1 приведены |
результаты |
Рис. 10.2. Схема полу |
|
сравнения |
спектра |
поглощения |
поверх |
|
чения |
спектров |
нарушен |
|
ностного слоя, полученного при помощи |
ного |
полного |
внутрен |
|
метода |
нарушенного полного |
внутрен |
него отражения: |
|
него отражения и спектра |
пропускания |
1 —луч |
спета; |
2 —причма; |
|
пленки |
|
ноликапроамида |
толщиной |
|
3 —материал |
|
|
|
|
|
50 мкм. Видно, что в спектре поверхност ного слоя, также как и в спектре пропускания пленки толщи
ной I мкм, максимум полосы регулярности 930 см*-1 смещен в сторону низких частот, а иа длинноволновом крыле полосы наблюдается сателлит, величина смещения и интенсивность которого больше, чем в спектре пропускания.
Таким образом, данные, полученные из сравнения спектров нарушенного полного внутреннего отражения и пропускания, также показали, что в поверхностном слое полимера концен трация и удлинение возбужденных связей выше, чем во вну тренних областях.
Исследования при помощи спектроскопии комбинационного рассеяния подтвердили выводы, сделанные на основании ана лиза инфракрасных спектров. Для примера на рис. 10.3 сравни ваются спектры, полученные при пропускании луча лазера че рез центр волокна полипропилена толщиной 1 мм вдоль поверх ности этого волокна и через порошок с диаметром зерен 1 мкм.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Видно, что смещение и интенсивность сателлита |
в спектре, |
полученном |
при |
пропускании |
луча через поверхность |
во |
локна, больше, чем в спектре |
от |
центра волокна. |
Еще боль |
ше |
интенсивность |
п |
смещение |
низкочастотного |
сателлита |
в |
спектре |
порошка |
полимера, |
обладающем развитой |
по |
верхностью. |
|
|
|
|
показали, что при комнатной |
|
Систематические исследования |
температуре концентрация возбужденных связей в поверхност ном слое толщиной 1 мкм в 2—5 раз больше, чем во внутрен них слоях тела. В то же время величина их удлинения в 1,5 раза больше, чем для объема тела (табл. 10.1).
Различие в степени удлинения и концентрации возбужден ных связей между поверхностью и объемом полимерного мате риала сохраняется и для полимеров, находящихся иод растя гивающими механическими напряжениями. Для примера, на рис. 10.4 показана форма полосы регулярности 975 см-1 для поверхностного слоя полиэтилентерефталата толщиной в 1мкм, слоя такой же толщины под ним и внутренних областях плеиоч-
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 10.3. Форма полосы регулярно |
Рис. 10.4. Форма полосы регулярно |
сти 975 см 1 в спектрах комбинацион |
сти, найденная из инфракрасных спек |
ного рассеяния ориентированного |
во |
тров отражения |
пленки |
полиэтилен |
|
локна |
полипропилена: |
|
терефталата, |
растягиваемой |
напря |
/ — луч |
лзиера |
проходит |
черс* центр |
во |
|
жением |
400 |
МПа: |
|
локна: |
2 — луч |
касается |
поверхности |
во |
/ — объем |
пленочного |
обра.ща; |
2 -слон |
локна: Я — спектр порошка полипропилена |
толщиной |
в 1 |
мкм |
под |
поверхностным: |
|
|
|
|
|
3 поверхностный |
слой |
толщиной 1 мкм |
|
|
|
|
|
Таблица ЮЛ |
Удлинение ¥d и концентрация Cd возбужденных связей |
|
|
в поверхностном |
слое полимеров толщиной |
1 мкм |
[300] |
|
|
|
|
Смещение са |
SJ |
|
ч |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
теллита, |
см |
|
% |
|
|
Полимер |
Частота |
|
|
|
|
|
полосы, |
|
|
|
|
|
|
|
см * |
Поверх |
|
ПоЖфХНОСТ- |
|
|
|
|
|
Объем |
|
|
ностный |
Объем |
|
|
ный слой |
|
|
слой |
|
|
|
|
|
Полиэтилен |
725 |
40 |
30 |
8 |
4 |
4 |
2 |
Полипропилен |
975 |
20 |
12 |
8 |
А |
4 |
2 |
Полиэтилентсрсфталат |
976 |
20 |
— |
8 |
3 |
— |
— |
Полнкапроамид |
930 |
40 |
25 |
5 ,5 |
10 |
2 |
3 |
ного образца, растягиваемого напряжением 4000 МПа. (Форма полосы получена из спектров отражения напряженного образца толщиной 18 мкм, записанных через 5° в диапазоне углов от 20 до 60°, после проведения расчетов, основанных па решении уравнений Максвелла.) В поверхностном слое сателлит имеет наибольшую интенсивность и смещен на 48 см"1. В слое, рас положенном под поверхностным, интенсивность сателлита меньше, а смещение составляет примерно 35 см~!. Наконец, во внутренних слоях образца сателлит имеет наименьшую интен сивность и смещение, составляющее всего около 25 см-1. Если обозначить величину удлинения возбужденных связен в поверх
ностном слое через tv*, слое |
под ним — га us |
и в центре об |
разца— e,iv, то |
из этих данных вытекает, что |
« |
l,9edi; и |
ed us ~ 1,4 eat- |
Концентрация |
возбужденных |
связен |
в |
поверх |
ностном слое примерно в 3 раза больше, чем в слое под ним, и примерно в 6—8 раз больше, чем в центре пленочного образца.
Согласно развитым в гл. 2 представлениям, па значения активационных параметров разрушения, а следовательно, на его скорость влияет величина коэффициента теплового расши рения р. По эмпирическим формулам (2.18), (2.19) время ожи дания та образования возбужденных связей экспоненциально зависит от энергии активации Ua = U9 а величина удлинения таких связей га С /'1. Энергия активации образования разру шающих флуктуаций t/d, в свою очередь, связана с коэффици ентом теплового расширения р и поэтому факты, свидетельст вующие об увеличении вероятности образования возбужденных связей и росте величины их удлинения, стимулировали опреде ление р в поверхностном слое материалов.
Для определения коэффициентов теплового расширения па поверхности р* были привлечены методы дифракции медленных электронов (ДМЭ) и спектроскопии потерь энергии электронов (СХПЭЭ) [122].
Методика ДМЭ позволяет получать дифракционную кар тину, аналогичную хорошо известной картине рассеяния рентге новских лучен от кристалла. При повышении температуры меж атомные связи расширяются и рефлексы на этой картине сме щаются. Измеряя величину их смещения, можно рассчитать ко эффициент теплового расширения поверхностного слоя кри сталла. Этим методом измеряют коэффициенты теплового рас ширения поверхностного слоя толщиной примерно 1 им в раз личных кристаллографических направлениях [159]. В табл. 10.2 приведены определенные этим методом отношения коэффици ентов теплового расширения поверхностного слоя рА- и объема рг твердых тел, усредненные по различным кристаллографиче
ским направлениям |
[257]. |
|
|
В последние годы для определения величины р начали ис |
пользовать СХГ1ЭЭ па плазмопах |
[122]. Как известно, свобод |
ные |
электроны в |
металлах и |
полупроводниках образуют |
28 |
За кап ЛЬ 218 |
|
433 |
.Материал
Алюминий
Медь
Молибден
Вольфрам
Ниобий
Германий
Кремний
Таблица 10.2
Увеличение коэффициента теплового расширения в поверхностном слое
толщиной примерно 10 нм для различных материалов [159]
/р э
электронную плазму. Кванты колебаний такой плазмы назы вают плазмонами. Направим на материал с электронной плаз мой пучок электронов и исследуем распределением энергии отраженных электронов. Тогда в спектре отраженных электро нов будут наблюдаться характерные пики, соответствующие по терям энергии электронов на возбуждение ллазмонов.
На рис. 10.5 показан спектр характеристических потерь энер гии на илазмонах в поверхностном слое чистой алюминиевой
Рис. |
J0.5. |
Схема спектра |
Рис. |
10.6. Температурная |
рассеянии |
вторичных элек |
зависимость энергии поверх |
тронов на плазмонах в ато |
ностного нлазмона па ато |
марно |
чистой поверхности |
марно |
чистой поверхности |
|
алюми пия |
|
алюминия |
фольги. Пик Ер в этом спектре соответствует энергии электрон ного пучка, падающего на поверхность фольги. Два других пика Es и Ег1 возникают из-за потерь энергии на возбуждение по верхностного (Es) и квазиобъемного (Ег) нлазмонов. Первый локализован в поверхностном слое толщиной примерно 10 нм,
а второй — в слое толщиной при мерно 100 нм.
Энергия плазмоиа Е связана с плотностью п электронов про водимости уравнением:
Е =//v = (4лс + const,
Метод |
.Метод |
дм э |
СХПЭЭ |
3 |
1 ,5 —4 |
21 ,5 —2,5
32—5
—2,5
—3 ,5 —7
4 —
где е и /?2<»— заряд н масса элек трона, а V-—частота нлазмона. При нагревании или деформации материала плотность электронов проводимости уменьшается, что приводит к уменьшению энергии плазмоиа. Из рис. 10.6 видно, что энергия нлазмона уменьша ется пропорционально темпера туре. Из этих данных можно
найти величину коэффициента теплового расширения по фор муле
р = 2 дЕ
дТ *
Значения коэффициента теплового расширения р для алю миния, измеренные для слоев 10 и 100 им при различных зна чениях энергии Ер падающего па образец пучка электронов, показаны на рис. 10.7. Через совокупность экспериментальных точек можно провести прямые, параллельные оси абсцисс. Сле довательно, определенная та
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ким |
образом |
величина |
ко |
|
к 1 |
|
|
|
|
|
эффициента |
теплового |
рас |
1,5 |
|
|
|
|
|
|
ширения |
р |
не зависит |
от |
|
• |
|
• |
• |
• |
|
1 |
• |
энергии падающего |
на |
об |
0,15 |
|
4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
разец |
электронного |
пучка. |
|
|
• |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Значение р для слоя толщи |
0,5 |
• . |
|
|
|
|
|
ной |
10 им |
|
оказалось в два |
|
1000 |
|
2000 |
Е р.зв |
раза больше, чем для слоя |
О |
|
|
толщиной |
100 нм, теплового |
Рис. |
10.7. |
Коэффициент |
теплового |
расширения |
различных |
ме |
расширения атомарно чистого алюми |
таллов |
и |
полупроводников |
ния |
в слое 10 |
нм |
(верхняя |
линия) |
[122]. |
Полученные |
данные |
|
и |
100 |
нм |
(нижняя) |
|
для |
атомарно |
чистых |
по |
|
|
|
|
|
|
|
верхностей приведены в табл. 10.2. Они показывают, что коэф фициент теплового расширения р в поверхностном слое толщи ной в 10 нм от 1,5 до 10 раз больше, чем для объема материала.
Таким образом, изменения коэффициента теплового расши рения при помощи ДМЭ и СХПЭЭ на плазмонах показали, что нелинейность сил межатомного взаимодействия в атомарно чи
стой поверхности |
выше, чем в объеме материала. |
строение |
Известно, |
что |
в аморфных |
условиях |
химическое |
поверхности |
изменяется из-за |
реакции |
с кислородом |
воздуха, |
с водяными |
парами, газами и т. д. Кроме того, как |
правило, |
на поверхности содержится значительная концентрация различ ных адсорбированных примесей. Было интересно выяснить: отличается ли нелинейность межатомных сил на поверхности и в объеме материалов, которые испытываются в атмосферных условиях? Ответ на этот вопрос получен в работе [122]. Автор для исследования поверхности использовал спектры поверхност ных поляритонов, т. е. квантов смеси фононов и фотонов, лока лизованных на поверхности материала.
Исследуемые образцы представляли собой пластины квар цевого стекла, кристалла кварца, окиси магния и титаната стронция (рис. 10.8), на которые устанавливали призму, проз рачную в инфракрасной области спектра. Призма была отде лена от образца прокладкой, толщина которой составляла
примерно 1 мкм. Внутри призмы распространялся луч инфра красного света, падающий на границу раздела призма—воздух под углом, больше угла полного внутреннего отражения. Элек трический вектор поляризован параллельно плоскости, проходя щей через падающий и отраженный лучи света. В этих условиях часть электромагнитной энергии инфракрасного излучения до
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
стигает поверхности |
исследуемого |
материала |
и |
возбуждает |
|
|
|
|
в нем поверхностные поляритоны. |
|
|
|
|
|
Исследуя |
смещенные |
частицы по |
|
|
|
|
верхностного поляритона |
и колебаний |
|
|
|
|
в объеме материалов, авторы устано |
|
|
|
|
вили, |
что |
частоты |
поляритонов при |
|
|
|
|
растяжении |
материалов |
смещаются |
|
|
|
|
в несколько раз сильнее, чем частоты |
|
Рис. 10.8. Схема уста- |
объемных |
колебаний. Этот результат |
|
был объяснен увеличением нелинейно |
|
новки |
для |
получения |
|
спектра |
поверхностных |
сти сил межатомного |
взаимодействия |
|
поляритонов: |
в |
приповерхностном слое |
материалов. |
|
/ —луч |
света; |
2 —приема; |
В |
табл. 10.3 |
приведены |
значения от |
|
3 —прокладки; |
4 —образец |
ношений модовых параметров Грю- |
|
|
|
|
найзена для |
поперечного |
оптического |
|
фонона в поверхностном слое G* и объеме GT кварцевого стекла, |
|
подвергнутого различной |
предварительной |
|
технологической |
|
обработке |
[122]. Из |
таблицы |
видно, что |
модовый параметр |
Грюнайзена, величина которого может служить мерой нелиней ности сил межатомного взаимодействия, па поверхности квар цевого стекла больше, чем в объеме.
|
|
|
|
|
|
Таблица 10.3 |
|
Отношение модовых |
параметров |
Грюнайзена |
поперечного оптического |
колебания |
кварцевого стекла |
|
для поверхности |
Gs и объема G-, |
и его прочность |
|
в зависимости от |
технологической |
обработки |
[122] |
Технологическая обработка образца |
Gs i Cv |
|
Of |
ai |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
МПа |
Механически полированный |
|
8 |
|
36 |
10 |
Обработан |
в газовом разряде |
5 |
|
200 |
100 |
Обработай |
плавиковой кислотой |
3 |
|
670 |
400 |
Интересно, что величина Gs зависит от технологической обработки поверхности и растет при таких видах обработки, которые вызывают уменьшение прочности а*. Это позволило [122] предположить, что уменьшение прочности может быть частично связано с изменением нелинейности сил межатомного взаимодействия. Для проверки этой гипотезы рассчитывались
значения прочности по формуле (2.27), в которой величина коэффициента гг была увеличена в Gs/G v раз:
|
|
и л |
° s kET |
|
|
|
|
|
|
Gi)Сае % |
|
|
|
Из табл. |
10.3 следует, |
что значительная |
часть |
уменьшения |
прочности, по |
сравнению |
с теоретическим |
значением |
Сш = |
= 20 Г11а при |
Gs/G v = 1, может быть объяснена |
увеличением |
нелинейности межатомных сил на поверхности. |
|
меж |
В работе |
[257] для исследования нелинейности сил |
атомного взаимодействия на поверхности и в объеме кристал
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
лов селенида цинка использовали яв |
|
|
|
|
|
ление |
резонансного |
комбинационного |
|
|
|
|
|
рассеяния. |
Резонансным комбинаци |
|
|
|
|
|
онное рассеяние называют в том слу |
|
|
|
|
|
чае, когда частота источника возбу |
|
|
|
|
|
ждения (лазера) попадает в диапазон |
|
|
|
|
|
частот, |
в котором |
материал |
погло |
|
|
|
|
|
щает свет. Прн измерениях использо |
|
|
|
|
|
вали длины воли возбужденного света |
|
|
|
|
|
514,5, |
457,9 |
н |
454,5 |
нм. Для |
первой |
|
|
|
|
|
длины |
волны |
коэффициент |
поглоще |
Рис. |
J0.9. |
Зависимость час |
ния света чрезвычайно мал и луч ла |
тоты |
фонона |
253 |
см-1 в |
зера проникает в объем кристалла, |
спектре |
комбинационного |
возбуждая |
спектр |
комбинационного |
рассеяния |
селенида |
цинка |
рассеяния |
объема. |
Для |
остальных |
|
о г температуры |
двух длин волн, наоборот, величина |
велика, |
что |
интенсив |
коэффициента |
поглощения |
настолько |
ность луча лазера уменьшается вследствие поглощения при мерно в 10 раз на глубине примерно 150 нм. Это позволило, изменяя длину волны лазера, возбуждать спектр комбинацион ного рассеяния от объема и поверхностного слоя в отдель ности. Опыты состояли в исследовании зависимости от темпера туры частоты линий комбинационного рассеяния продольного оптического колебания атомов в решетке селенида цинка, ча стота которого при комнатной температуре 253 см-1. Одновре менно исследовали температурную зависимость частоты обер тона этого колебания, частота которого равна 503 см '1. Ре зультаты измерений приведены на рис. 10.9. Видно, что смеще ние частоты пропорционально температуре. Температурные ко эффициенты dv/дТ приведены в табл. 10.4. Их величина в еелепидс цинка определяется как тепловым расширением кри сталлической решетки селенида цинка, так и изменением вре мени жизни оптического колебания вследствие обмена энергией между ним и другими колебаниями. Тепловое расширение и обмен энергией между колебаниями обусловлены нелиней ностью сил межатомного взаимодействия. Поэтому увеличение
|
|
|
|
Таблица 10А |
Температурные коэффициенты dx/cLT |
продольных |
оптических |
колебаний |
в селениде цинка, соответствующие поверхностным слоям |
разной толщины и объему кристалла [257] |
|
Колебание |
Частота v, |
|
/г |
dv ‘dT |
см-* |
|
Продольное оптическое |
|
Поверхностный слой |
2,6 |
253 |
толщиной |
примерно |
колебание |
|
10 им |
|
2.0 |
|
|
Объем |
|
Обертон продольного |
|
Слой толщиной |
6,4 |
503 |
60—70 нм, лежащий под |
оптического колебания |
|
поверхностным |
|
|
|
Объем |
|
3 ,9 |
параметра дх/дТ в поверхностном слое селенида цинка указы вает на рост нелинейности межатомных сил.
Наконец, в работе [116] сравнивали положение полос регу лярности в инфракрасных спектрах полимеров, полученных из
объема |
и поверхностного |
слоя образца толщиной примерно |
1 мкм. |
Результаты такого |
сравнения приведены в табл. 10.5. |
Из таблицы видно, что в поверхностном слое максимум по лос регулярности смещен в сторону низких частот на величину от 1 до 5 см-1. Поскольку смешение максимума полос регуляр ности в полимерах обус-
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 10,5 |
ловлено |
тепловым расши |
Смещение максимума полос регулярности |
рением |
химических |
свя |
в поверхпостном слое |
зей |
в |
полимерных |
моле |
полимерных материалов |
[116] |
кулах, то из этих данных |
|
|
Смещение |
следует, |
что |
в |
поверх |
|
Частота |
ностном |
слое |
коэффици |
|
максимума |
|
максиму |
Материал |
ма полосы |
полосы в по |
ент |
теплового |
расши |
верхностном |
|
к объеме |
слое /г, |
рения |
имеет |
|
большее |
|
V , ем |
|
|
|
1 мкм |
значение, |
чем |
в |
объеме |
|
|
|
Полиэтилен |
|
|
материала. |
Используя |
Т130 |
— 1 |
значения |
смещений, |
при |
Поликапроамид |
930 |
—1 |
веденные |
в таблице, на |
Поливиниловый |
1146 |
— 3 |
спирт |
1326 |
—5 |
шли, что в поверхностном |
Полипирочстлл- |
427 |
— 1 |
слое толщиной в 1 мкм |
лнтимнд |
|
|
коэффициент |
теплового |
Полиамид |
692 |
— 1,2 |
расширения увеличивает |
ДФО-ПФ |
740 |
- 1 , 2 |
ся |
примерно на 20—30 %. |
Полна мндбеизн- |
1022 |
— 1 |
индазол |
|
|
Таким |
образом, |
сово |
|
|
|
купность |
данных, |
полу- |
ценных при помощи дифракции медленных электронов, спектро скопии характеристических потерь энергии электронов и инфра красной спектроскопии, свидетельствует о том, что коэффициент теплового расширения в поверхностном слое материалов, как правило, выше, чем в объеме.
В этом аспекте повышенная концентрация и более высокие значения удлинения возбужденных связей в поверхностном слое образца могут быть объяснены увеличением нелинейности меж атомных сил, из-за которой растет вероятность флуктуацион-
|
|
|
|
|
|
Рис. 10.10. |
Увеличение |
коэффициента |
поглощения |
/ п полос, соответствующих |
колебаниям |
концов мо |
лекул |
в |
поверхностном |
слое полиэтилена: |
1 —значение |
до |
приложения |
напряжения; 2 —после выдер |
живания под о - 230 МПа в течение |
2 ч |
ного возбуждения межатомных связей и образования дилатонов.
Рассмотрим теперь роль поверхности в разрушении матери алов. Очевидно, что увеличение концентрации и величины удли нения возбужденных связей в поверхностном слое должно вы зывать более быстрое, чем в объеме, накопление первичных оча гов разрушения и деформации. Перейдем к изложению резуль татов экспериментальных исследований, которые подтвердили эти ожидания.
Для раздельного изучения разрывов химических связей па поверхности и в объеме использовались методы инфракрасной спектроскопии пропускания н нарушенного полного внутрен него отражения [39, 42]. Объектами исследования явились пленочные образцы полиэтилена, полипропилена и резни на основе натурального, синтетического, изопреиного (СКИ-3) и синтетического уретанового (СКУ) каучука. Образцы подвер
гали воздействию статических и динамических напряжений |
как |
в атмосферных условиях, так и в вакууме |
торр). |
ин |
На рис. 10.10 и 10.11 показаны спектры |
поглощения |
фракрасного света поверхностного слоя и объема ориентиро ванного образца полиэтилена до и после выдерживания под растягивающим напряжением 230 МПа при 300 К в течение
двух часов. Видно, что под влиянием напряжений увеличива лась интенсивность полос 1378, 1590, 1640, 1710 и 1740 ем-*, соответствующих химическим группировкам на концах молекул
■■■ ■■■ ■ '
20
|
|
1 |
/И |
|
Л \ |
|
|
10 |
|
1 \ |
/1% |
|
V\ |
|
! |
II |
/ |
1Д |
|
|
Jl - |
1 ' |
|
. |
|
|
f t |
|
|
|
|
/ |
|
|
|
|
|
|
г |
ч |
э |
|
|
|
|
f t |
' |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
то |
1400 1500 |
1600 |
|
|
Рис. 10.11. Увеличение коэффициента погло щения /и полос, соответствующих колебаниям концов молекул в объеме полиэтилена:
I —значение /п до приложения напряжения; 2—зна чение Ju после выдерживания нод напряжением 230 МПа в течение 2 ч
Таблица 10£
Увеличение концентрации ДCR концов полимерных молекул в поверхностном слое и объеме
ориентированных пленок полиэтилена после выдерживания под растягивающими напряжениями 230 МПа в течение 2 ч
при комнатной температуре [39]
|
Прирост концен |
|
трации группиро |
Химическое строение |
вок ЛС^-10-24, м |
|
|
концевой группировки |
|
Поверх |
|
Объем |
|
ностный |
|
|
с.юй |
—н с = с н —н с = с н 2 |
1,9 |
2700 |
—н 2с —н о = с н 2 |
2,0 |
2800 |
- н , с - с ^ ° н |
2,4 |
900 |
|
2,7 |
1000 |
полиэтилена, имеющих следующее строение:
— СНз,—н |
с |
= |
с |
н — |
„ с |
/ 3 |
, - С |
^ ° |
|
ч |
|
ч |
о |
|
н |
’ |
|
Из |
рис. |
10.10 |
и |
10.11, |
а также из табл. 10.6 |
следует, |
что |
прирост |
ко |
эффициента |
|
поглощения |
этих |
полос, |
|
а значит |
и |
концентрация |
новых |
кон |
цов полимерных |
молекул |
вповерхностном слое
полиэтилена |
толщиной |
1 мкм в I03 раза больше, |
чем в объеме. |
резуль |
Аналогичные |
таты были получены для |
всех исследованных поли меров. Л именно: концен трация новых концов по лимерных молекул, об-