3.8. Уравнения полных токов в полупроводнике

Явления дрейфа и диффузии могут наблюдаться в полупроводнике одновременно. Поэтому для полного тока электронов и дырок в случае одномерной модели полупроводника можно записать следующие соотно­шения.

Для полного тока электронов:

, А/м². (3.25а)

Для полного тока дырок:

, А/м². (3.25б)

Контрольные вопросы и упражнения

1. Выведите выражение для подвижности носителей заряда.

2. Каким образом зависит от температуры подвижность носителей заряда в полупроводниках?

3. Дайте определения критического значения электрического поля скорости насыщения носителей заряда в полупроводниках.

4. Напишите выражение для плотности дрейфового тока в полупроводнике.

5. Как зависит от температуры электропроводность собственных и примесных полупроводников?

6. Напишите формулу для расчета удельного электросопротивления полупроводника.

7. В чем заключается термоэлектронная ионизация полупроводника ?

8. Объясните механизм туннельного пробоя полупроводниковых материалов.

9. Объясните механизм лавиного пробоя полупроводниковых материалов.

10. Поясните природу эффекта Ганна. Объясните принцип работы генератора Ганна.

11. Напишите выражение для первого закона Фика. Дайте определение коффициента диффузии.

12. Напишите выражение для соотношения Эйнштейна.

13. Дайте определение диффузионной длины носителей заряда.

14. Напишите выражение для диффузионного тока носителей.

15. Почему не совпадают направления диффузионных токов электронов и дырок ?

16. Напишите уравнения для полного тока в полупроводнике.

Длина

- диффузионная 146

Домен электрический 143

Закон

- Фика 145

Носители заряда

- механизмы рассеяния 130

- подвижность носителей 129, 146

- скорость дрейфа 129, 144

- скорость насыщения 133, 144

Пробой полупроводников 138

Ток

- диффузионный 145, 146

- дрейфовый 134

- полный 148

Уравнения

- Эйнштейна 146

Электросопротивление удельное 137

Эффект

- Ганна 142