ФОМЭ / лекции по ФОМЭ / ФОЭ10AОглавл

31

Приложения

Таблица П.1

Физические параметры полупроводников (Т=300 К)

Полупроводник	Кристаллическая структура	Период решетки, нм	Плотность, 103·кг/м3	Температура плавления, оС	ТКЛР, αl,·106, К-1	Ширина запрещенной зоны ΔWg, эВ	d(ΔW)/dT, 10-3·эВ/K	Подвижность μ, м2/(В·с)		Низкочастотная диэлектрическая проницаемость
								электронов	дырок
Ge	Типа алмаза	0,565	5,43	937	5,8	0,66	3,9	0,39	0,19	16,0
Si		0,542	2,33	1415	2,3	1,12	2,8	0,14	0,05	12,5
α-SiC	Гексагональная	а=0,319 с=15,12	3,22	2205	-	3,02	-	0,033	0,06	10,0
GaN	Типа вюрцита	а=0,319 с=0,518	6,11	1700	5,7	3,40	3,9	0,03	-	12,2
AlP	Типа сфалерита	0,546	2,37	2000	4,2	2,45	2,6	0,008	0,003	9,8
GaP		0,545	4,07	1467	4,7	2,26	4,7	0,019	0,012	11,1
InP		0,587	4,78	1070	4,6	1,35	2,8	0,46	0,015	12,4
AlAs		0,566	3,60	1770	3,5	2,16	4,0	0,028	-	10,1
GaAs		0,565	5,32	1238	5,4	1,43	4,0	0,95	0,045	13,1
InAs		0,606	5,67	942	4,7	0,36	3,5	3,3	0,046	14,6
AlSb		0,614	4,28	1060	4,2	1,58	3,5	0,02	0,055	14,4
GaSb		0,610	5,65	710	6,1	0,72	3,6	0,4	0,14	15,7
InSb		0,648	5,78	525	4,9	0,18	3,0	7,8	0,075	17,7
ZnS	Типа вюрцита	а=0,382 с=0,626	4,10	1780	6,2	3,74	3,8	0,014	0,0005	5,2
CdS		а=0,413 с=0,675	4,82	1750	5,7	2,53	4,9	0,034	0,011	5,4
CdSe		а=0,430 с=0,701	5,81	1264	-	1,85	4,1	0,072	0,0075	10,0
ZnS	Типа сфалерита	0,541	4,09	1020*	-	3,67	5,3	-	-	5,2
ZnSe		0,566	5,42	1520	1,9	2,73	7,2	0,026	0,0015	9,2
ZnTe		0,610	6,34	1239	8,3	2,23	-	0,053	0,003	10,4
CdTe		0,648	5,86	1041	4,0	1,51	4,1	0,12	0,006	10,2
HgTe		0,646	8,09	670	4,8	0,08	-	2,5	0,02	-
PbS	Типа NaCl	0,594	7,61	1114	-	0,39	3,3	0,06	0,07	17,0
PbSe		0,612	8,15	1076	-	0,27	4,0	0,12	0,10	-
PbTe		0,646	8,16	917	-	0,32	4,3	0,08	0,09	30,0

*Температура полиморфного превращения

Некоторые физические постоянные

Постоянная Планка: h=6,62·10^-34 Дж·с=4,14·10^-15 эВсек;

постоянная Дирака: =h/2=1,0510^-34 Дж с= 6,5710^-16 эВсек;

постоянная Больцмана: k=1,38·10^-23 Дж/град=8,62·10^-5 эВ/град;

масса покоя электрона: m₀=9,106·10^-31 кг;

заряд электрона: e=1,602·10^-19 Кл.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. Учеб. пособие. М.: Высшая школа, 1977. - 448 с.: ил.

2. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. Учебное руководство. - М.: Главная редакция физико-математической литературы издательства "Наука", 1978.-791 с.: ил.

3. Епифанов Г.И., Мома Ю.А. Физические основы конструирования и технологии РЭА и ЭВА: Учебное пособие для вузов.- М.: Сов.радио, 1979. -352 с.

4. Аваев Н.А. Шишкин Г.Г. Электронные приборы: Учебник для вузов/ Под ред. проф. Г.Г. Шишкина. – М.: Изд-во МАИ, 1996. – 544 с.: ил.

5. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники: Учебник для вузов. - М.: Высшая школа, 1986.-367 с.; ил.

6. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учеб. пособие для взов. - 2-е изд., перераб. И доп. – М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2000. –488 с.: ил.

7. Щука А.А. Электроника. Учебное пособие / Под ред. проф. А.С. Сигова. – СПб.: БХВ-Петербург, 2005. – 800 с.: ил.

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ

О Г Л А В Л Е Н И Е

Приложения 30

Приложения ……………………..285

Таблица П.1. Физические параметры полупроводников ……………………..285

Список литературы ........................…………………..........................…....... 287

Алфавитный указатель....................……………………........…..................... 288

Учебное издание

Юрий Павлович Демаков

Лекции

по физическим основам электроники

Учебное пособие

Редакторы: Е. М. Токарева,

Технический редактор: С. В. Звягинцева

Верстка: Н. Ю. Перевозчикова

Лицензия РФ ЛР № 020885 от 24. 05. 94.

Подписано в печать 30.07.97. Формат 60х84 1/16. Бумага офсетная.

Усл. печ. л. 18,06. Уч. - изд. л. 16,48. Тираж 150 экз. Заказ № 29.

Отпечатано на ризографе издательства ИжГТУ.

Лицензия РФ Плр № 020048 от 09. 06. 95.

Издательство и типография Ижевского государственного

технического университета. 426069, г. Ижевск, ул. Студенческая, д. 7