- •Ю.П. Демаков
- •Предисловие
- •Введение в физику
- •1.1. Виды химической связи в материалах
- •1.2. Cтруктура твердых тел. Дефекты структуры
- •1.3. Квантование в атомах
- •1.4. Зонная структура твердых тел
- •1.5. Квантовая статистика электронов в кристаллах
- •1.5.1. Уровень Ферми. Работа выхода электронов
- •1.5.2. Функции распределения электронов по энергиям
- •1.5.3. Волновые свойства электронов в кристалле
- •1.5.4. Зоны Бриллюэна
- •1.5.5. Фононы
- •1.5.6. Эффективная масса носителей заряда
- •1.5.7. Сложная структура энергетических зон
- •1.6. Основные сведения о полупроводниковых материалах
- •1.6.1. Носители заряда в полупроводниках
- •1.6.2. Собственные полупроводники
- •1.6.3. Примесные полупроводники
- •1.6.4. Вырожденные полупроводники
1.5.3. Волновые свойства электронов в кристалле
Фундаментальным положением квантовой теории является вывод о том, что элементарные частицы (в том числе и электроны) обладают свойством корпускулярного волнового дуализма. Поэтому движение свободных электронов в металле можно рассматривать как распространение плоских электронных волн. Длина волны, соответствующая электрону, определяется соотношением де Бройля
=h/Р, м, (1.18)
где h - постоянная Планка, Джс; P=mvе - импульс электрона, кгм/с; m - масса электрона, кг, vе - тепловая скорость электрона, м/с.
При анализе спектра энергий электронов удобно пользоваться понятием волнового числа k, которое определяется соотношением
k=(2/), м-1 . (1.19)
Выражая значение импульса электрона P в формуле (1.18) через значение волнового числа k из (1.19), получим следующее выражение, связывающее импульс, точнее, квазиимпульс электрона P и волновое число k:
P=(h/2)k=ћk, (1.20)
где= h/2=1,0510-34Джс - постоянная Дирака.
Кинетическая энергия электрона в кристалле находится из выражения
Wк=P2/2m, Дж. (1.21)
Следовательно, импульс электрона определяется из соотношения
, (1.22)
а волновое число электрона равно
(1.23)
Подставляя значение P из (1.20) в формулу (1.21), получим выражение для спектра энергии электрона Wк(k), то есть для зависимости энергии электрона W от волнового числа k
. (1.24)
где величина m* имеет размерность массы и формально определяется, какэффективная масса электрона.
Таким образом, для свободного электрона, обладающего только кинетической энергией, зависимость W от волнового числа k выражается квадратичной параболой.
В кристаллической решетке длина волны электрона принимает ряд дискретных значений, кратных длине кристалла L. Рассмотрим это на примере одномерной модели кристаллической решетки (рис. 1.16), согласно которой длина кристалла определяется произведением L=aN, где а - период кристаллической решетки, N - число атомов в ряду.
Значения длин полуволн, укладывающихся на длине кристалла L, определяются соотношением
, м, (1.25)
где n принимает ряд дискретных значений, т.е. n=0, 1, 2, ...,N.
Соответственно, значение волнового числа электрона k в одномерной решетке длины L принимает ряд дискретных значений
. (1.26)
Квантуется также и энергия электрона, которая будет равна
, (1.27)
где n=0, 1, 2, ...,N.
В одномерной кристаллической решетке величина N достигает очень больших значений (107...109), соответствующих числу атомов, располагающихся вдоль одномерной линейки. Для больших значений N спектр длин волн де Бройля в кристаллической решетке, то есть зависимость длины электронной волны от числа n, можно считать практически непрерывной. Поэтому движение электрона в кристалле можно представить в виде так называемого волнового пакета, представляющего наложение большого числа монохроматических колебаний.
Очевидно, что минимальная длина волны де Бройля соответствует максимальному значению n=N. Легко рассчитать, что в этом случае
=2aN/N=2a. (1.28)
Справедливость выражения (1.28) можно проверить, исходя из следующих соображений. Среднее значение энергии электрона в кристалле Wк определяется соотношением W= (3/5)WF, то есть составляет величину 4...6 эВ. Из соотношения де Бройля (1.18) и выражения (1.21) следует, что . Подставляя в эту формулу значениеW и проводя вычисления, получим для длины волны де Бройля значение =0,6...0,5 нм, что близко к величине параметра решетки, характерной для большинства кристаллов.