Добавил:

ivanov666 Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Башкирский Государственный Аграрный Университет

Предмет:

[НЕСОРТИРОВАННОЕ]

Файл:

книги из ГПНТБ / Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках пер. с англ

.pdf

Скачиваний:

100

Добавлен:

27.10.2023

Размер:

20 Мб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 4445 / 4645 46 > Следующая >>>

Приложения

441

вымерзание носителей. Далее, предположение о параболпчности зоны во всем интервале энергий, где функция распределения замет но отлична от нуля, представляет собой грубое приближение.

Фи г . III.1.

Врезультате, пренебрегая иепараболичностью и эффектами, связанными с хвостами зон, из номограммы можно определить максимальное значение £.

IV. ФИЗИЧЕСКИЕ КОНСТАНТЫ

Заряд	электрона		q	=	4,8-Ю -10		ед. CGSE = 1,602-ІО"19 Кл
Масса	свободного		пі	=	9,11 ПО-28		г
электрона
Скорость света в			с	=	2,998-1010		см/с
вакууме			а0	— 5,29 -ІО“9
Боровский		радиус	а0	— 5,29 -ІО“9			см
Постоянная		План	h	=	6,62 -ІО-27 эрг-с =			4 ,5 -ІО“15 эВ-с.
ка			% =
Постоянная		Дпра-	% =		1,054 ПО-27 эрг-с
ка			к
Постоянная Боль			к	=	1,380 -10-1в эрг/К			= 8,62-Ю -6 эВ/К
цмана			кТ =		25,9 мэВ при комнатной температуре;
Тепловая энергия			кТ =		25,9 мэВ при комнатной температуре;
				=	6,7 мэВ при температуре жидкого азо
					та;
				= 0,36 мэВ			при температуре жидкого
					гелия
Энергия, соответ-			1	эВ	= 1,602-10-12 эрг
ствующая 1 эВ
Длина	волны в		Х0 (1		эВ)	= 1 ,2 3 9 -10-4		см
вакууме излучения
с энергией фотона
1 эВ
Волновое число,			ѵ0	(1	эВ)	= 8,06 -104 см-1
соответствующее
1 эВ

ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ

Адсорбция 379—383 Активная область, показатель пре

ломления 241 Акцепторы 24, 25, 196

Анизотропия оптическая индуциро ванная 368—374

Аптистоксово смещение моды 293 «А»-центр 334

Барьер поверхностный с положи тельным смещением 265, 266

— Шоттки 214, 215, 335—338, 342, 343

Барьеры, индуцированные оптиче ски 356

Бистабильный элемент вычислитель ной техники 279

ß-напряжение 343, 344 Брпллюэновское рассеяние 292, 296,

306, 307

— — вынужденное 297 Брэгговское отражение 296

Вакансии 16 Величины спии-орбитальиого рас

щепления 80 Вероятность переходов 146,161—166

Взаимодействия фотон-фононные 292

—фотои-фотониые 278—292, 297 Влияние давления 31—35, 25S

—изгиба зон на порог фотоэффекта 317

—ловушек на люминесценцию 393— 415

—поля магнитного 256—258

—— электрического 37—39, 70

—условий па поверхности 316—322

Внутрпзонные переходы 168 Возбуждение объемное путем удар

ной ионизации 267, 268

—оптическое 268—272

—электронным пучком 272—276 Возмущения в полупроводниках 31—

Волноводные свойства активной области 241

Волновой вектор 11 Вольт-амперная характеристика ге

тероперехода GaAs — InSb 215

—— идеального р — л-перехода

217

—— солнечного элемента кремние вого 333

—— — — на GaAs 334

—— туннельного диода 190, 193 Временная зависимость процессов

рекомбинации 166

—задержка в лазерах 401—403 Время жизни носителей 147

—— фотона 121

—— эксптона 37

—— электронно-дырочных пар 177

—запоминания ловушками 403, 404

—релаксации 104

Выход фотоэффекта 311

Гашение лазера 279

— люминесценции 400 Генерация гармоник 285—288 Гетеропереходы 213—216 Гидростатическое давление 31 Главная плоскость 363 Глубина выхода 315

— проникновения электронов 275 Градиент примеси 203

Давление гидростатическое 31—34 Двойное лучепреломление 361—368

—— в кристаллах двуосных 364— 368

—— — — одноосных 362, 363

—— вызванное напряжением 372 Двуоспые кристаллы 364 Деградации порог 253 Деградация лазеров катастрофиче

ская 253, 298

—— постепенная 253

444	Предметный указатель

Десорбция 379—383 Детектор 114, 115

—полупроводниковый 115 Детекторы частиц 342—344 Дефекты 89

—радиационные 198

—Френкеля 334

Деформационный потенциал 19 Диаграмма зонпой структуры герма

ния 62

— конфигурационная 126, 127, 1S2, 183

— направленности излучения инжекцпониого лазера из GaAs 246

— энергетическая для р — /г-пере-

хода 199 Дипольный слой 185, 186 Дислокации 19, 20

Дисперсионная кривая для поляритонов 24, 25

—— — свободных экситонов 24

—— — фононов оптических 295

—— — фотонов 24, 295

Диэлектрическая проницаемость 103

— — изменение, вызвапное полем 420, 421

Долины в зоне проводимости 13 Домен электроакустический 300—

303

—— света испускание 303—306

—— — пропускание 301—303 Домены Ганна 267, 268

Донорно-акцепторные пары 25, 75, 76, 156

— — переходы 156 Доноры 16, 20, 22, 25, 73, 196

Емкость перехода 188, 189

Зависимость донорно-акцепторных переходов временная 166—169

—отражения от зонной структуры 417—421

—температурная временной задерж ки 408, 409

—— оптических потерь 248—251

пороговой плотности тока 248— 251

—— процессов захвата в лазерах на GaAs 408, 409

—— эффективности 248—251

—фотолюминесценции ІпР от энер гии фотонов 131

—ширины запрещенной зоны гер мания от давления 32

Зависимость ширины запрещенной зоны от состава сплавов 27, 28

--------------- полупроводников от тем пературы 36

Задержка в лазерах временная 401 — 403

Закон излучения Планка 121

— Снеллиуса 361 Заполнение ловушек оптическое 406

— хвостов зон 204 Зинеровский пробой 218

Зона	валентная		10, 16, 22, 31, 63,
77,	124,	183,	196

— проводимости 10, 16, 22, 31, 40, 63, 77, 124, 137, 196

Зон образование из атомных уров ней S—11

Зоны Бриллюэна 11—13

Избыточный ток 192, 198 Изгиб зон 317, 379

Излучение вынужденное 231—239, 354

—— направленность 238

—горячих легких дырок 168

—InAs и-типа 138

—когерентное 253, 278—307

—— генерация в иижекциоипом ла зере 281

—— задержка 402

—— усиление 281

—лазерное 233

—— в полупроводниках, возбужде ние 261—276

—— — — возникновение 234—239

—— генерация 268, 269

—обусловленное присутствием меди в GaAs 154

—при взаимодействии с носителем 142—144

—сопровождающееся туннелирова нием 165

—споптаииое 231—233 Изоэиергетические поверхности для

края зоны проводимости кремния

Инверсная населенность 234 Инвертер 279

Инжекционпая люминесценция в сла бо легированных переходах 208

Инжекционпый ток 195 Инжекция 195, 196, 213, 261

Интерференция, пропускания макси мум 106

— — минимум 106 Ионизация полем 38, 39

Предметный

указателъ

445

Ионизация полем примесей 70

Критические точки 21, 418

— ударная 267

— — максимумы 418

Испускание фоыопов 47, 139, 145

— — минимумы 418

— — седла 418

364

Картина дальнего поля 241, 245—

Круговая поляризация

Кулоновское взаимодействие 25, 156

247

Катодолюминесцепцпя 148, 161, 273,

Лавишюе образование

электронно-

274,

276

Катодоотражение 424

дырочных пар

267

Квазигомопереходы 213

Лавинный пробой 219, 220

Квазипмпульс

— — люминесценция 224

лазером

Квазпуровень Ферми 161, 162, 199,

Лазера

гашение

другим

200,

205,

410

когерент

279—281

295

Квантовая

эффективность

Лазер аргонный

ного излучѳиия 253

181,

— ннжекцнонный 236, 240, 261, 270,

Квантовый

выход

излучения

278, 291, 401, 402, 407

330

— — из GaAs, характеристики 252

Кинетическая анергия И

— — конструкция 253—256

Когерентность 235

— оптическая накачка

268

Колебания

нормальные 86

— оптическое

возбуждение

— сложные 80

— потери 235

Комбинированная плотность состоя

— рубиновый 271

ний 418

полупроводник

— с двумя линиями излучения 263

Компенсированный

— температурная

зависимость

247,

163

248

Контраст 108

диаграмма

182

— усиление 235

Конфигурационная

Лазерного излучения временная за

Концентрация

доноров 148

держка 401

— носителей 15, 56, 149

— — нитевидная структура 245

— примесей 17

Лазеры

234—239

240—258

— электронов 151

— полупроводниковые

Коэффициент Берде 370

Ловушки 293, 401, 403, 404

— диффузии 236

116,

140,

— нзоэлектронные 71,

136

— отражения

102—105,

— как насыщающиеся поглотители

253, 417

404—407

— поглощения 44—46, 48—50, 52—

— кинетика заполнения 394

54,

68, 69,

84,

85, 99,

105,

226,

Лучи

рентгеновские 343

286

Луч

обыкновенный 362

— — фотона 60

— необыкновенный 362

261—

— пропускания 105

370

Люминесценции возбуждение

— электрооптпческий 369,

276

401

— экстппкцип 99, 101, 103

— гашение 400,

Коэффициенты давления 33

при

— — под действием инфракрасного

— — для

энергий

ионизации

облучения 400

месей в германии 34

— — — — нагревания 400

— — — — — — — кремнии 34

— — — — электрического

поля

Край поглощения GaAs 54, 58, 61

400

— — германия 51, 69

— — тепловое

Кривые свечения 399

— нарастание

393, 394

Кристалл оптически активный 368

— спад

393, 394

129

Кристаллы двуосные 364

Люминесценция 120, 121,

412,

— дпхроичеекпе 367

— возбуждаемая

деформацией

— одноосные

362

368

413, 415

— трихроические

лазерного

— в ударных экспериментах 413

Критерий

возникновения

— при изломе 414, 415

излучения 234

— — лавинном пробое 224—228

446	Предметный указателъ
Люминесценция, связанная с дефор		Определение высоты барьера		338
мацией 413, 414	395	Оптическая	аппзотропня нндуцпро-
— термостнмулированная		ванпая 368
		— ось 362, 366
Масса приведенная 46		Оптически индуцированные барьеры
		356
Метод дифференциальной	спектро	Оптические свойства линейные 285
скопии 416		— — нелинейные 2S5
Мпкроволн получение 292		Оптическое	возбуждение ■268
Микроплазмы 220		— охлаждение 209—213'		3S9,
Микроскоп электронно-лучевой 273		Осаждение	электролитическое
Моделп аномального фотовольтаиче		390
ского эффекта 350—352		Ось луча 366
— пленок 352		Отжиг фотостимулированный		390,
Модель двойного акцептора 409, 410		391	от стехиометрического
— заполнения хвостов зон 204		Отклонение
— основанная на эффекте Дембера		состава 16
352

—полупроводникового лазера 243

—с дефектами упаковки 351, 352 Пара генератор — усилитель па осно

— — р — л-переходамн 352					ве лазера 283
Модуляцпп отражения методы 421 —					— лазер — гаситель 280
427					Пары	Френкеля		334,	390
Модуляция длины волны 373, 426,					Перехода емкость 188
427					— природа 185—189
— добротности внутренняя 410—412					— толщина		186
— отраженпя 416—432					Переход, избыточный ток 192, 198
— — оптическая 424					— «п — р — н-крюк» 305
— поглощенпя		416			— плавный линейный				188
Монохроматор		109			— р — п 185—190, 199,					204, 205,
М ОП-структура (металл — оксид —					214,	219,	237,	241,		244,251,268,
полупроводник) 266					272,	281,	304,	305,		325-327,343
Многократное внутреннее отражение					350,	352,	353,	389,		390
106				183	— — плавающий 305
Многофонониая эмпсспя					— — с положительным смещением
					261-264
Напряжение одноосное				34, 35	— резкий 187
					— свободного электрона в зоне про
Насыщение поглощения 280					водимости		84
Нити,	сфор&шрованные			преципита	— электрическое ноле в нем 189
тами,	находящимися			на краевых	Переходы бесфопоішые 151
дислокациях		245			— виутризоиные 77—84, 168, 169
					— вынужденные 231
Обедненный слой 186					— глубокие 146					156—169,
					— доиорно-акцепториые
Области пропускания различных ма					199
териалов 111			18		— зона проводимости — валентная
Образование хвостов					зона 137—145				224
Обратное смещение,			приложение		— излучательные 120,
к переходу 217					— между акцепторами 75—77
Объемное возбуждение путем удар					— — долинами			84
ной ионизации 267					— — донорами			75—77
Ограничение когерентного излучения					— — зонами 44, 137
в активной области лазера 244					— — зоной и примесным уровнем
— области излучения 244					145—156
Одноосное напряжение 34					— — минимумами подзон 81
Оже эффект 176—179, 201					— — подзонами 44

Предметный указателъ

447

Переходы между хвостами зон 53—56

—— — состояний 144, 145

—межзоыные 44

—мелкие 145, 146

—на глубокие уровни 153—156

—непрямые 47, 139, 140

—— излучательные 139

—— между непрямыми долинами 47—52

—— — прямыми долинами 52, 53

—— оптические 234

—прямые 137—139

—— в случае вырождения 142

—— запрещенные 46, 47

—— разрешенные 45, 46, 137

—свободных носителей 44

—собственные (фундаментальные) 127—145

—спонтанные 231

—с участием фоиоиа 151

—экситоппые 44

р— и-гетеропереходы 216 Плазменные колебания 66 Плазмоиы 24

Пластинка в четверть волны 364 Плеохроизм 367 Плотность состояний 14, 15, 39, 47

—— без поля 40

—— в магнитном поле 40

—— комбинированная 418

—тока 275

—— пороговая 237, 248 Поверхностные состояиия 76, 378,

379 Поверхностный барьер 265

Повреждение радиационное 334 Повреждения механические 298 Поглотители излучения насыщаю

щиеся 406 Поглотитель в насыщенном состоя

нии 281 Поглощение 44—93

—двухфотониое 28S—291

—лавинообразное 93

—оптическое 83

—примесями 72—74

—решеточное 86—89

—— в кремнии 89

—свободными носителями 84

—— — в Ge 86

--------------- соединениях гс-тппа 85

—— электронами 84—86

—связанное с изоэлектронпымн ловушкааш 71, 72

—----- колебаниями примесей 90

—— — переходами между валент ными подзонами в GaAs р-типа 79

Поглощение, связанное с электрон ными переходами между валент ными подзонами в Ge р-тппа 79

------------------- примесными уровнями

и зонами 73

—собственное 44—62

—— в сильном электрическом поле 5 6 -6 2

—— туннелирование с участием фотона 58

— с участием горячих электронов 9 0 -93

—фононов 47, 139

—экситониое 68—71

—— в GaAs 67

—— — электрическом поле 70, 71 Поглощения модуляции 416 Показатель преломления 99—101,

112

Полупроводник компенсированный 163

Полупроводники 16

—я-тппа 81—84

—р-тппа 77—81

—сильно легированные 141, 142, 148

Поляризация круговая 364

— эллиптическая 363, 364, 366 Поляризуемость среды 103 Поляритонов рекомбинация 129, 130 Поляритоны 24, 25, 129, 130, 296 Полярой 25 Пороговая плотность тока для воз

никновения лазерного излучения 237

Порог деградации 253

— фотоэффекта 309 Порошковых линий причины ушире-

нпя 278—282 Постоянная Больцмана 15

—Дпрака 11

—Керра 369

Потенциал деформации 19

—поверхностный 168 Правило Мосса 101

—Урбаха 53 Приведенная масса 20

Примеси, находящиеся в междо узлиях 16

Примесные уровни, переходы 145. 146

Принцип Паули 9 Прирост температуры лазера 254

Пробой зпнеровский 218, 219

—лавинный 219—228, 268

—— механизм 219—222 Проницаемость диэлектрическая 103

448

Предметный указателъ

Пропусканію

105,

106

Самопоглощенпе

140, 141

Процесс Оже 90

Сверхсвечеиие 235

— удвоепия энергии фотона 271

Светового пучка модуляция 372—374

Процессы в р —• «-переходах 185—

— — отклонение

372—374

228

Светящиеся

пятна

на излучающей

— при смещении обратпом 217—228

поверхности лазера 245

—■ — — прямом 1S9—213

Свойства волноводные активной об

— рассеяния 50

426

ласти

241—245

Пьезоотражеипе 425,

— оптические

электроакустических

доменов 299—307

Работа выхода 309

Сдвиг Бурштейиа — Мосса 49

покрытой

— допплеровский 297

194,

— — для

поверхности,

— пики

спектре

излучения

цезием 319

321

199

—

Кондона

127,

155,

------- — полупроводников

— Фраика

Радиационное повреждение

334

156

Радиус первой боровской орбиты 17

Сечение захвата 92, 145, 395

Рамановское

излучение

вынужден

— поглощения

92,

ное 295

Скорость генерации пар 232

— рассеяние 271, 292, 294—296

— рекомбинации

125, 232

Распределение в пространстве ква-

Слой инверсионный 265

зпимпульсов 11—13

— обедненный

186—188

— Плапка 231, 233

Смешение

частот

(гетеродпнирова-

— спектральное основных гармоник

иие)

287,

291

288

Соединение GaAs^j-P^ 226, 431

— — — частот 288

электронов

по

Солнечная

батарея

331—335

—

эмитированных

Соотношение ваи Русбрека — Шокли

энергиям

322—324

294,

121—124,

175

Рассеяние брпллюэиовское 292,

— Краморса — Кронига 101, 102,

296—299,

373

241,

243,

417,

421

378

------ на электроакустическом домене

Состояния

поверхностные

306, 307

251, 252

— примесные

16—18

фотостп-

— мощности внутри лазера

Спектральная

зависимость

—

рамановское

(см.

Рамановское

мулнрованного

отжига 391

рассеяние)

— — фото-э.д.с.

330

Расстояние между модами 240

Спектральное распределение излуче

Растяжение перехода 344

ния

GaAs

153

194

Расщепление Зеемана 31

Спектр

излучения

— Ландау 31, 39—42, 256

— — диоды из GaAs 195

Резонансное

поглощение

176

— — пижекционного лазера из GaA

Резонанс плазменный 104, 105, 107

264

— циклотронный 41

247, 248

— — образца Si 135

Резонатора

включение

— — при прямом смещении диода

Резонатор моды 240,

241

из GaAs

212

InAs 138

— Фабри — Перо 235, 240, 245, 253,

— люминесценции

268, 279,

284

безызлучательная

— отражения

Рекомбинация

— поглощения GaP «-типа 81

176—183,

198

— — оптический

102

— вынужденная 231

— эксптонный 129

— излучательная

199

180

Спектры излучения диодов из ІиР

— поверхностная

179,

207

— полярптонов 129,

130

— — р — /г-перехода в Si 224

— спонтанная 231—233

— отражения

— через дефекты

180—182

— — CclS при возбуждении аргон-

— — включения 180—182

ным лазером

295

легиро

— эксптоиная 127—137

— поглощения

германия,

— — прямая

128

ванного сурьмой

Предметный указатель

449

Споктры фотолюминесценции кри сталлов GaP 158

Спектрограф 109 Спектрометры 109

Спектроскопический анализ адсорби рованных веществ 383, 384

Спектроскопия абсорбционная 109

—внутреннего отражения 383

—туннельная 56

Спин-орбитальное				взаимодействие
63,	77,	80		170, 431
Сплав	G aAs^P,. 27,
— G e^Si*			26 '
Сплавы из			четырех компонент 28

—полупроводниковые 26

—тройные 27

Статистика Бозе — Эйнштейна 48

Стационарная полоса 201 Стоксово смещение 127 Структура валентных подзон 78

— зонная 8—15

-------GaAs 95, 429, 431

------- GaP 75

— — германпя 62

— края поглощения 6 8 , 69

— спектральная 156—161 Схема механизма лавинного пробоя

р — «-перехода 2 2 0

Термолюминесценция 394—400 Тормоотражепие 426 Техника спектроскопии полного

внутреннего отражения 76 Ток насыщения 217, 326

—смещения 217, 218

—термостимулированный 394

—туннельный 190

—утечки 218

Толщина активной области 236 Травление химическое 386—388

—электролитическое 388 Трйболюмннесценцпя 412—414 Туннелирование 57, 190

—доиор — акцептор при участии фотона 199—204

—зрна — зона 190—192, 197

—па глубокие уровни 196—198

—при участии фотона 192—195

—сопровождаемое поглощением фо тона 58

—— эмиссией фотона 58, 165

—через барьер Шоттки 216

—— слой изолятора 266, 267

—электрона 57

Уравнение диода 196, 326

—диффузии 344

—Максвелла 100

—Пуассона 186, 189

—Френеля 367 Уровни глубокие 153

—Тамма 378

Усиление (возрастаиие интенсивно сти излучения в максимуме спект ра) 235, 236, 238

Устройство развертывающее твердо тельное с бегущим лучом 306

Флюоресценция 119, 121, 182

— CdS 132

Фонон 47, 48, 59, 8 8 , 90 Фононы 25, 6 8

— акустические 296, 297 Фосфоресценция 1 2 1

Фотоадсорбцня 385 Фотоанодизация 388 Фотовольтаический эффект 346 Фотогравнровка 386—387 Фотодесорбцня 381, 385 Фотодиод 223 Фотокаталнз 383

Фотолюминесценция 291, 413 Фотоп, участвующий в туннелиро

вании 58, 60 Фотоотражение 424

Фотопрпемник с умножением 222 Фотопроводимость 183, 217, 218 Фотостимулпроваиный отжиг 390,

391 Фотоумножитель твердотельный 222,

223 , Фотохимические реакции в кристал

ле 390, 391 Фотохимия в среде газовой 377—

386

—— — — жидкой 386—390 Фото-э.д.с. 357

—аномальная 353, 354, 356

—в р — «-переходе, возникновение’

326, 328, 331

Фотоэмиссня внешняя 309

—внутренняя 337 Фотоэффект внешний 309—324

Фотоэффект внутренний 337, 338-

—продольный 355, 356 фотоэффекта выход 311—316

—порог 309—311, 317, 318

—— для полупроводников 321 Фотоэффекты 337—342

Функция Ферми — Дирака 15

— Эйри 421

1/2 29—01085

450

Предметный указатель

Характеристики

инжекцнонного ла

Энергия ионизации 16, 20, 134, 156,

зера 252

328—331

275,

276

— спектральные

— — примесей 33, 34, 156

— электрические 325

204—208

— ионизирующего излучения 276

Хвостов зои

заполнение

— пороговая

фотоэмиссии

317

Хвосты зон

18, 53

— связи экситонов 71

— фотона 61, 63, 76

— электронного сродства 309

Частот смешение

291,

292

— — — отрицательная

319

Энтропия носителей 210

Частота

биений

291

Эпитаксиальный рост 384—386

— циклотронная

Эффект горячего

электрона

142

Число состояний

— Дембера

344,

345,

352,

357

— Зеемаиа 41,

— Келдыша — Франца 31, 38, 39,

Ширина

запрещенной

зоны

42,

56,.

58,

289, 302, 421,

426,

— — — уменьшение 50

432

371,

372'

— Керра

— — электрооптический 368, 369

Э.д.с. Дембера 344,

352

— Ландсберга — Мандельштама —

Рамана

271

Экснтонная

модуляция

135

— Оже 175

— рекомбинация

127

— Поккельса 369, 370, 372

Экситонное

поглощение

6 8

130

— Суля 169

371

Экситонов

миграция

129,

— Фарадея 370,

Экситонные комплексы

22—24

— Фойгта 371,

372

аномальный

Экситоны 20—25, 37

—

фотовольтаический

— непрямые 6 8

346—354

— прямые 6 S

126—129

— — в р — «-переходах 325—335

— свободные 20—22,

— — — структурах с плавно меня-

— связанные 24, 71, 130, 136

щейся шириной запрещенной зоны

— — на изоэлектрониых ловушках

357—359

зависимость

353,

13 6

р — л-пере-

— — угловая

Электрическое поле

354

ходе 189

осаждение 389

— — характеризуемый высоким на

Электролитическое

пряжением

346

Электролюминесценция 261—268

— — на барьере Шоттки 338

Электроны фотоэмиттпрованные 323

— фотомеханический

346

— эмиттированные 320, 322

430

— фотопьезоэлектрический 357

Электроотражение 421—424,

— фотоугловой

353,

354

Элемент

солнечной

батареи

331 —

— фотоупругости

372

346

335

диэлектрической

прони

— фотоэлектромагнитный 345,

Эллипсоид

— Холла 104, 345, 391

цаемости

366

— Штарка 31, 37, 38, 56, 58

— — — двуосного кристалла 367

—

электроакустический

299—301

Эмиссия

многофононная

183

Эффективная масса 11, 80, 103, 267,

— фононная

155

внутрен

371

Эмиссия

фотоэлектронная

— — в соединениях III—V 80

21,

няя 338—342

полу

Эффективная

масса дырки

20,

Энергетические состояния

проводниках 8—29

— — носителей, определение 103—

— — — полупроводниковых спла

105

вах 26—29

— — плотности состояний 14

Энергия активации 336

— — поляроиа 25, 46

— — оптическая

156

— — поперечная

Энергия активации термическая 156,

— — продольная

182

— — Фойгта 372

<<< < Предыдущая 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 4445 / 4645 46 > Следующая >>>

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ