Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Туровский Я. Техническая электродинамика

.pdf
Скачиваний:
77
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
16.82 Mб
Скачать

Д ля тонких экранов (kd<^\)

2kd

\Z2

I

(2Ы)2

Zs

 

 

 

 

 

Z3

I

-

2

.

12,

fed

(4-366)

IZ, + kd

при kd-^-0, x->-0.

Принимая

-p|4 =

! 7 C " I = r L <

1' имеем

 

 

 

ILz

I

I zFe

I

l u u

 

 

 

x = 1/(0,01 +kd).

Следовательно,

для

не

слишком

малых

значений Ы

имеем с

несколько

меньшей

точностью

ги­

перболический ход кривой, как и в (4-36а).

 

 

 

Для толстых

экранов (kd^>\)

в

(4-37)

подставляем

Mi = — 1 и с несколько меньшей, чем в предыдущем

слу­

чае., точностью: М2~

— 1. Получаем

в результате

ту

же

формулу (4-37а).

 

 

 

 

 

 

 

 

Для средних значений kd, охватывающих также два

предыдущих

крайних

случая, получаем

также формулу

(4-ЗЗа), хотя и с меньшей точностью.

 

 

 

 

В результате можно считать, что график на рис. 4-9

отвечает всем упомянутым случаям

экранирования.

 

В системе с экраном, прилегающим к стали, к поте­

рям мощности в

самом экране

следует

добавить

еще

потери в стальном элементе, которые можно рассчитать,

пользуясь

основной

формулой

(3- 10а) и напряжен­

ностью

магнитного

поля

(4-!24).

Совместные

потери

в экране и в стали на единицу

поверхности

при

kd<\

составляют:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

« у

 

Hms\

I l / Ч а

2f2d 2 (O.U.,

 

 

^ . э к - с т

2 Y i

2

" Т Т

2Т з

 

 

 

 

kd

 

 

 

 

 

 

 

 

Для

медных

экранов,

принимая

среднее

значение

удельной

проводимости стали у 3

= у с

т = 7 • 106

См/м;

| i 3 =

= 1 000- 4 я _ 7

Г/м

и

удельную

проводимость

 

у2 = уси =

180

= 54 -106 См/м, потери

мощности на единицу поверхно­

сти

(Вт/м2 )

можно выразить приближенной

формулой

 

л с и _ Р е ~ Ylt4£ L (i +^)-

 

с 4 - 3 9 )

где

а р = 5,5 • Ю - 5 м; все остальные величины в

единицах

системы СИ.

 

 

 

 

Например, при d=l

мм = 10- 3 м второй член

в

(4-39)

составляет

apjd = 0,055, т. е. меньше 6%' потерь

в

самом

экране. Следовательно, даже при малых толщинах мед­ ных экранов почти все потери сосредоточены в них са­ мих и благодаря высокой проводимости имеют малое значение. Потери мощности во всей системе экран — сталь лишь на несколько процентов больше потерь в са­ мом экране.

К о э ф ф и ц и е н т э к р а н и р о в а н и я . Отношение потерь в экранированной системе (экран — сталь) к по­ терям в неэкранированной стальной плите назовем коэф­

фициентом электромагнитного

экранирования.

Согласно

(4-38), учитывая увеличение

потерь в стали

примерно

на 40%' (2-966) в результате

ее

нелинейности,

получаем

коэффициент электромагнитного

экранирования

 

(4-40)

где £ н = ( # m s i ) 3 / # ) n s l ) 2 > l коэффициент, учитывающий изменение распределения магнитного поля на поверхно­ сти после наложения экранов на сталь.

В (4-40) проницаемость ц,3 следует определять для напряженности магнитного поля (# m si), так как она от­ носится к неэкранируемому состоянию поверхности. При

Ы < 1

(т. е. в случае

медного экрана толщиной

е?<1 см)

 

р е = ф - ] /

(l + £ r ) - k a -

^ t / ( 4 - 4 1 )

При kd>\ можно

принять %=1 и ар/4

= 0, откуда со­

гласно

(4-40)

 

 

 

 

 

/>, =

fcBKftY,/(2|i,Y.J-

(4-42)

181

Если

среда

3

не является

ферромагнетиком, то

в (4-42) исчезает двойка под корнем.

2. Вектор

Пойнтинга

и потери мощности при двусторон­

нем симметричном

падении волны

{Л. 1-28, 2-18]

Чтобы найти комплексный вектор Пойнтинга в экранах, описанных в § 4-3, следует комплексное действующее значение напряженности электрического поля £ д е йств (4-29) умножить на сопряженное действующее значение напряженности магнитного поля Я д е й С тв (4-29), либо на­ оборот:

 

 

Ss — Sp - j - jS4

— -g- ( E m X H m ) -—•

 

 

 

 

 

 

 

sh \k

i — — z

+ jk

d

 

X

 

 

1

«

 

 

 

=

J « -

u2

 

 

 

 

 

 

-ТГ- — H

ms

 

 

kd

 

 

 

 

 

2

Y

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ch(l + / )

X

 

 

 

 

 

Xch \ k ( ^ - z ^

_/^4-г)]

 

 

 

 

~*

 

 

 

Ш

 

 

 

откуда

 

 

 

X c h ( l - / )

 

 

 

 

 

J L W2 sh (kx - f jkx) ch (kx — /&x)

 

 

^

 

J_

(4-43)

 

 

8

2

 

Y me

 

kd

 

kd

'

* '

 

 

 

 

 

 

c h ( l + / ) - 2 - - c h ( l - / ) - 2 -

 

где

л = d/2 — z;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

sh (foe +

jkx)

 

ch (/гх — /fex) = (sh 2kx

- j - / sin

2kx)\2\

 

a (sh 2&x +

 

/ sin 2kx) =

k [(sh 2&x — sin 2kx) -f-

 

 

 

 

 

-f- / (sh 2kx -f- sin 2&x)];

 

 

ch (kd/2

+

7Ы/2) ch (M/2 -

//fed/2)

(cli M +

cos

kd)J2.

После подстановки последних зависимостей в форму­ лу (4-43) получим:

5S = Sp + 75, = -щ- # m s X

 

(sh 2kx sin2i%x) +

/ (sh 2kx +

sin 2kx)

 

/4

441

 

X

ch kd + cos kd

 

t

'

В

центральной

плоскости

листа,

т. е.

при

r = d/2

(рис.

4-8), 5S = 0, и, следовательно, весь поток мощности

182

rtorffr, проникающий в металлический лист сквозь обе его поверхности, затухает полностью в середине листа. Под­ ставляя в (4-44) г = 0 и удваивая поток мощности Ss, проникающий сквозь эту поверхность, получаем в ре­ зультате активную и реактивную мощности всего объема листа на единицу его поверхности:

активная мощность

S p = C ^ i j ^ p f ) # * f ;

(4-45)

реактивная мощность

 

 

S4 = )V^№)H2mj

 

(4-46)

коэффициент мощности

 

 

cos ? = S p /I S.| = С / " К ? ^ ,

(4-47)

где

 

 

t,= (shkd—s'mkd)/(chkd

+ coskd)

и

t|? = (shkd +s'mkd)/(chkd+coskd)

(4-48)

(графики коэффициентов t, ср и

показаны

на рис. 4-10).

Формулы (4-48) справедливы

для металлов с посто­

янной магнитной проницаемостью. Более подробные ис­ следования (§ 7-2) электромагнитного поля ^ферромаг ­ нитных средах и гистерезиса показали, что при напряженностях магнитного поля на поверхности стали, превышающих значения, отвечающие максимальной про­ ницаемости, электромагнитная волна затухает быстрее, чем в идеализированной стали с постоянной магнитной проницаемостью (такой же, как на поверхности). Нели­ нейная зависимость проницаемости стали в функции на­ пряженности магнитного поля уменьшает эквивалентную

глубину проникновения

волны

(2-94)

примерно в

1,4

раза.

 

 

 

 

Экспериментальные

исследования,

проведенные

в

[Л. 4-18] на стальных трубчатых

экранах, подтвердили

этот вывод и показали, что аналогичное уменьшение глу­ бины проникновения в стали наблюдается также в слу­ чае внутреннего наложения волн, проникающих в сталь­ ной лист через противоположные поверхности. Это зна­ чит, что практическая неравномерность распределения магнитного потока в сечении листа (например, электро­ технической стали) появляется уже при толщинах в 1,4 раза меньших или при частотах в 2 раза меньших, чем

183

это

вытекало

бы из классических расчетов (см. § 6-2)

при допущении постоянной проницаемости.

 

На основании вышесказанного можно ввести поправ­

ку

на эквивалентную глубину проникновения

 

ЧК т

= / 2 / [ ш ^ ( Я ) Т ] =1/(1 . 4 ' fe^const).

т. е.

W = 1 ' 4 = c o n s t r f = ^ ( M r f ) .

Таким образом, в случае сильных полей коэффициен­ ты £ и W следует определять не для действительной тол­ щины листа d, но для расчетной толщины 1,4с?.

На рис. 4-10 пунктирны­ ми линиями показаны пе­ ресчитанные таким обра­ зом кривые коэффициен­

 

 

 

 

тов

ДЛЯ

 

 

^Fe,

^Fe

 

 

 

 

 

cos cpFe.

 

Пользуясь

этими

 

 

 

 

 

СТаЛИ

 

 

 

 

И

 

 

 

 

графиками,

можно

ис­

 

 

 

 

ходить

 

из

действитель­

 

 

 

 

ной

толщины

 

стального

 

 

 

 

экрана.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В случае, если

на

по­

 

 

 

 

верхности

стали

имеется

О

1 2

3 4 5

6

магнитное

поле

с

напря­

женностью,

меньшей того

Рис. 4-10. Графики коэффициен­

значения,

которое

соот­

тов,

учитывающие

толщину

экра­

ветствует

максимальной

на [Л. 2-20].

 

 

проницаемости

 

(т.

е.

 

в

 

 

 

 

случае

слабых полей,

ме­

нее существенных с электроэнергетической точки зре­

ния), глубина проникновения волны

в сталь будет

толь­

ко незначительно больше

глубины

проникновения,

рас­

считанной для постоянной

проницаемости [Л. 1-26].

 

В этом случае

можно пользоваться (4-48) и кривы­

ми t и ^ рис. 4-10

(сплошные линии).

Полные потери в металлической пластине, выполнен­ ной из материала с постоянной проницаемостью, состав­

ляют, следовательно,

 

р = 1УЩЩ)1н2пйА,

(4-49)

А

 

где А — площадь одной стороны поверхности

пластины.

184

С некоторым приближением (4-49) можно применять также для тонких стальных листов, вводя по мере на­ добности проницаемость р, под знак интеграла. Как сле­

дует из рис. 4-10, при

kd>3 коэффициент £ практически

равен

единице.

 

 

В

случае стальных

элементов с толщиной

стенок,

большей двукратной

глубины проникновения

(£«*1),

можно пользоваться приближенной формулой для по­ терь активной мощности

 

 

 

(4-50)

 

А

 

 

где Л — полная площадь внешней

поверхности

иссле­

дуемого элемента; а р « 1 , 4 — коэффициент, учитывающий

нелинейность стали

(§ 7-2); Hms — максимальное

значе­

ние напряженности

магнитного поля на поверхности (мо­

дуль).

 

 

 

Формулы (4-49)

и (4-50), а также

(4-29) используют­

ся в дальнейшем для определения потерь от вихревых токов в электротехнической стали (§ 6-2).

4-5. ЭКРАНИРОВАНИЕ БАКОВ ТРАНСФОРМАТОРОВ

Сильные поля рассеяния, вызывающие потери и местные перегревы неактивных конструкционных деталей, явля­

ются

причиной того, что в настоящее время практически

не

строят

мощных трансформаторов (свыше 70—

100 MB - А)

без магнитного или электромагнитного экра­

нирования

баков. Такие экраны применяют также и

в трансформаторах меньших мощностей, которые обла­ дают более сильными и сосредоточенными в определен­ ных местах полями рассеяния (например, печные транс­ форматоры, автотрансформаторы и т. п.).

Отсутствие экранов в мощных трансформаторах и особенно автотрансформаторах могло бы вызвать боль­ шие добавочные потери и перегрев бака [Л. 4-20]. При выборе вида экрана следует руководствоваться, помимо прочих данных, их влиянием на изменение распределе­ ния потока рассеяния в пределах обмоток и особенно радиальной составляющей индукции.

Магнитные экраны иногда более эффективно защи­ щают бак, чем электромагнитные экраны [Л. 10-22, 4-20]. Но они вызывают увеличение радиальной составляющей

185

шагнитного поля рассеяния во внешней обмотке. Это вы­ зывает увеличение добавочных потерь и усилий корот­ кого замыкания от радиальной составляющей во внеш­ ней обмотке.

В случае электромагнитных экранов (Си И Л И А1) по­ тери в баке могут быть несколько большими, чем в слу­ чае магнитных экранов, но зато они ослабляют радиаль­ ную составляющую поля рассеяния и уменьшают доба­

вочные потери от этой

составляющей во внешней обмот­

ке [Л. 4-20]. Действие

экранов на внутреннюю обмотку

более слабое и прямо

противоположное описанному.

1. Магнитное экранирование

баков

Магнитные экраны применяют в последнее время для за­ щиты баков трансформаторов (вплоть до самых круп­ ных). Иногда их предпочитают электромагнитным экра­ нам [Л. 1-22]. Они закрепляются на внутренней боковой поверхности бака в виде пакетов листовой трансформа­ торной стали, где играют роль магнитных шунтов (см. § 4-2). Высота экрана может приблизительно равняться высоте окна магнитопровода трансформатора или быть больше окна.

На рис. 4-11 показаны схема распределения потока рассеяния в зоне обмоток трансформатора и схема за­ мещения для расчета этого распределения [Л. 4-12]. Как вытекает из рисунка, значение результирующего потока рассеяния Ф р определяется практически магнитным со­ противлением RB междуобмоточного зазора. Сопротив­ ление это значительно превышает остальные соединенные последовательно магнитные сопротивления. Его можно рассчитать с помощью следующих простых формул:

/?в=*Ля/(|хоб'),

(4-51)

где 6'= 6 + {ai + a2)[2;

hn = b/kR>b; А л « 1 —(at + a 2 + a ) / ( n 6 ) < l

— коэффициент Роговского.

Распределение потока рассеяния Ф р между сердечни­ ком Фс и баком Фб определяется в основном магнитным сопротивлением воздушного пространства между этими поверхностями и воздушным зазором б. В первом при­ ближении можно принять (для трансформатора Ь^> > a c + a6 )

Фс/Ф<$=#<$//?<, » а б / а с .

(4-52)

186

Магнитный поток Ф б практически не зависит от свойств магнитного материала стенок бака. Следователь­ но, можно считать, что к экранируемому баку относится п. 2 § 4-2.

Толщину магнитного экрана следует выбирать такой, чтобы поток Фб не насыщал его (уменьшение относи­

 

 

 

 

сь

 

 

 

 

ю

 

Рис.

4-11.

 

Схема

распределения

потоков

рассеяния

в

трансформаторе.

 

 

 

 

 

а

— разрез

обмоток

мощного

трансформатора

мощностью свыше

200 M B • А

в

м а с ш т а б е 1 : 10;

б — схема

з а м е щ е н и я для

магнит­

ных

потоков;

в — у п р о щ е н н а я

схема; Э1

и Э2 — возможные маг­

нитные экраны (поперечный и продольный);

F m =

"\fl

lw — ма­

ксимальный

 

полный

ток одной из обмоток;

Ф т ,

Ф т с ,

Ф т б —

потоки рассеяния соответственно: результирующий, в магнито-

проводе и в баке; RB

— приведенное

магнитное

сопротивление

воздушного

зазора б;

RB

с — ре зуль тирующе е

магнитное

сопро­

тивление воздушного

пространства

м е ж д у

з а з о р о м и магнито-

проводом;

Rc

— результирующее магнитное

сопротивление

маг-

ннтопроводз

вместе

с

прилегающим

слоем

воздуха;

RHi

и

Rn2 — результирующие

 

магнитные

сопротивления

воздушного

пространства

м е ж д у

зазором и

ярмовыми

балками;

Д 6 — ре­

зультирующее магнитное сопротивление бака вместе со слоем

воздуха

м е ж д у обмоткой и баком; Rm — ре зуль тирующее маг­

нитное

сопротивление стяжных шпилек.

18?

тельной

магнитной

проницаемости ниже значений

ц,.=

= 1000 нежелательно). Из

(4-51) и (4-52)

имеем:

 

 

Ф р ^ Ф б + Ф с ^V2Iw^b'/hR;

1

 

( 4

5 2 а )

 

Ф б -

Ф Р а с /(а б +

ас ).

J

 

 

 

При

аб/а с ^З - ; - 3,5

форулы

(4-52а)

имеют

достаточ­

ную практическую точность. При больших

расстояниях

между

баком и обмотками

(трансформаторы

с наивыс­

шими

напряжениями)

часть

потока

Фб

замыкается

в масляном слое между баком и обмоткой. Это можно учесть путем введения в правую часть второго из урав­

нений

(4-52а)

уменьшающего

коэффициента

ka =

= \i'dl{ix'd + Ci) = 1 ООО cf/ (1 OOOef + ci),

где d — толщина

экрана,

Ci — толщина упомянутого

масляного слоя. Если

эту поправку не учитывать, то получим результат

с не­

которым

запасом.

 

 

 

 

Согласно вышеуказанному можно

приближенно

счи­

тать, что магнитный экран не будет насыщаться, т. е. ве­

личина

его относительной

магнитной проницаемости не

будет

меньше fx'=1 000, если

его толщина

удовлетворя­

ет

неравенству

 

 

 

 

 

Фб/<з?<;ооо или

dp>4>[Bim,

 

где

Bi goo максимальная

индукция стали

экрана, соот­

ветствующая проницаемости

ц'= 1 ООО. Она составляет

приблизительно 1,4 Т для горячекатаной и 1,7 Т для хо­ лоднокатаной стали. Эти неравенства не учитывают того,

что в проведении потока

Фб участвует и

прилегающий

к экрану слой массивной

стали толщиной

б = V^2/ (соц^у).

Это также можно считать частью необходимого запаса

при расчете. Учитывая

(4-52а), получаем, таким

обра­

зом, формулу для наименьшей допустимой толщины

маг­

нитного экрана с точки

зрения его насыщения:

 

< С н ^

1 V l I w * f \

(4-526)

где 5юоо=1,4Т; ц0 = 0,4 я • 10~6 Г/м; б' — из (4-51) и гео­ метрические размеры по рис. 4-11.

Поверхность экранов должна быть по возможности большой, но не обязательно сплошной вдоль периметра бака. Разрывы вдоль периметра бака можно прибли­ женно учесть, сравнивая результирующее магнитное со­ противление экранов и незащищенных поверхностей вну-

тренней стороны бака. Коэффициент уменьшения потерь составляет в этом случае примерно согласно (4-7) и (4-9):

/?.//>

 

(4-53)

Re/U -f" Rw^6

 

 

 

где /э — суммарная длина экранов;

h — периметр

бака.

В случае разрывов в экране вдоль периметра

бака

пользуемся тем же графиком на рис. 4-5, но вместо

числа

листов cd откладываем приведенное

значение c'd' = cdx

Xk[h-

 

 

Магнитные экраны могут вызывать некоторое увели­ чение индуктивного и уменьшение активного сопротивле­

ния нулевой

последовательности

трансформатора.

Влияние

вихревых

токов и

насыщения в

экранах.

Уравнения

(4-11) и (4-53) и рис. 4-5 относятся

к иде­

альному экранированию, т. е. к

такому случаю,

когда

магнитный поток направлен исключительно параллельно поверхности листов (проходит вдоль листов экрана).

В действительном трансформаторе чаще всего приме­ няют листовые экраны, составленные из листов транс­ форматорной стали, прилегающих к стенке бака. В та­

ком случае

магнитный

поток

рассеяния

проникает

в экран перпендикулярно

его

плоскости,

индуктируя

в плоскости

листов вихревые токи. Ввиду значительного

удельного сопротивления трансформаторной стали вели­

чина этих вихревых

токов не очень

большая.

Все же

они

вызывают

некоторое

увеличение

потерь

мощности

в экранируемой

системе,

а также

вытеснение потока,

в

результате

чего

появляется

кажущееся

уменьше­

ние проницаемости экрана. На основании исследований, выполненных на большой модели (рис. 10-2) с размера­ ми средней плиты 2 мХ0,8 м Х Ю мм, было установлено, что величина такой кажущейся проницаемости (квази­ проницаемость) может4 быть принята примерно в 3 раза меньше действительной. Опыт показывает, что получен­ ный таким образом коэффициент экранирования полез­ но в некоторых случаях увеличить еще на 30—50%.

Подставляя в (4-11) соответственно уменьшенное значение cqd=cd/3~n/3, получаем полуэмпирическую формулу для коэффициента уменьшения потерь мощно­ сти в баке трансформатора при магнитном экранирова­ нии листовыми экранами

Рм.л « К • 18/[ (4,2 + п)2 + п\

(4-116)

189

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ