Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Геллер Б. Импульсные процессы в электрических машинах

.pdf
Скачиваний:
5
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
14.87 Mб
Скачать

;

 

 

емкость

па

землю

полностью

ç\l

R f? г. _

 

экранируется.

Входной

 

слой

 

 

 

обмотки

снабжен экраном,

ко­

 

 

 

торый

соединяется

 

с началом

 

 

 

обмотки.

Другой

экран

нахо­

 

 

 

дится

в

середине

 

обмотки и

 

 

 

подсоединен

к

нейтрали.

Эта

 

 

 

конструкция,

эффективная

при

 

 

 

падении

волны

как

по

одной,

 

 

 

так и по трем фазам, является

 

 

 

сравнительно

дорогой и поэто­

Рис. 6-20.

Одинарная

слое­

му на

практике

применяется

вая обмотка с экраном и

редко.

 

 

 

 

 

 

 

 

заземленной нейтралью.

Хорошие

результаты

 

для

/ — экран;

2 — линейный

конец.

 

трансформатора

с заземленной

 

 

 

 

 

 

нейтралью

дает

 

одинарная

слоевая обмотка с экранами у первого и последнего сло­

ев по

рис. 6-20.

 

 

На

осциллограммах, приведенных на рис.

6-21,

пока­

заны

кривые напряжения при импульсе

0,6/190

м>кс

в различных точках экранированной слоевой

обмотки.

О 0,2 0,f 0,6 0,8 1,0 2,5 мкс

Рис. 6-21. Осциллограммы свободных колебаний напряжения, снятые на различных отпайках об­

мотки, изображенной на рис.

6-20 при импульсе

напряжения

0,6/190

мкс.

 

Цифрами

на

кривых

обозначен

процент числа витков

от заземленного конца

обмотки.

 

2. Увеличение

.продольных

емкостей

Здесь рассмотрим включение цепочки соответствую­ щих емкостей параллельно входному слою обмотки.

Поскольку исследуется только начальное распреде­ ление напряжения, многослойная обмотка из п слоев мо-

220

жет быть заменена цепочкой из емкостей (см. гл. 5). Для входного слоя можно записать следующие диффе­ ренциальные уравнения для электрического заряда и на­ пряжения:

dx

К *

где Сп и С — емкости

входного слоя на землю и на со­

седний слой (соответственно); К — результирующая про­ дольная емкость между витками входного слоя, которая в дальнейшем будет рассматриваться как переменная; все емкости отнесены к единице длины в аксиальном направлении обмотки.

При выполнении требования о равенстве падения на­ пряжения в двух соседних слоях из обоих уравнений получается зависимость емкости К во входном слое от х:

 

 

 

К = Сп~+ах

+ Ь,

 

(6-25)

где

а

и b — постоянные,

определяемые

из

граничных

условий:

 

 

 

 

 

 

 

для

х = 1 имеем

К=Кі,

 

 

 

 

 

для

х = 0 имеем:

 

(

dQn \

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dK-=a

_

tV(n-i),o — Un.o

 

 

 

 

dx

 

 

 

 

 

 

 

 

l

 

 

где

/ — длина

слоя.

 

 

К входного

 

 

 

Выражение

для

емкости

слоя

будет:

^ - С п

і Ц ^ + ^ ^ ^ ^ — - С п + С ^ ( / - х ) + Кг .

 

 

 

(6-26)

Что

касается

других слоев, то постоянное

значение

К = Кі приведет

к линейному распределению

напряже­

ния, поскольку токи через поперечные емкости будут питаться через добавочные емкости. При этом в транс­ форматоре с заземленной нейтралью пренебрегаем влия­ нием последнего слоя, имеющего потенциал, близкий

221

К нулю. Такой подход применим при большом числе сло­ ев в обмотке, начиная с 4. Чем больше слоев в обмотке, тем меньше влияние первого члена в (6-26). Если для увеличения продольной емкости подсоединяется к пер­ вому слою несколько статических конденсаторов, то их параметры можно определить из (6-26); например, по­ строив (6-26) в виде графика и установив среднее зна­ чение К между точками подсоединения емкостей, при­ ведем его к длине соответствующего участка обмотки.

Выражение (6-26) показывает, что продольная емкость во входном слое должна значительно увеличи­ ваться в направлении к началу обмотки. Так как напря­ жение, приходящееся на конденсатор, является частью напряжения всего слоя, а размеры конденсатора пропор­ циональны квадрату напряжения, то конденсатор будет иметь небольшие размеры.

Таким образом, свободные колебания в однослойной обмотке можно устранить путем соответствующего рас­ положения емкостей во входном слое. Очевидно, при большем числе дополнительных емкостей результаты будут лучшими. Осциллограммы показывают, что доста­ точно трех или четырех конденсаторов, выбранных на основании предыдущих соображений, чтобы подавить свободные колебания слоев.

Принимая во внимание, что для выравнивания на­ чального распределения напряжения в однослойной об­ мотке достаточно только одного конденсатора, было исследовано действие этого конденсатора на входном слое многослойной обмотки. Оказалось, что при хорошем выравнивании напряжения во входном слое возникают колебания в начале следующего слоя. Тогда начала и середины отдельных слоев являются местами, в которых могут появиться колебания напряжения со значительной амплитудой.

6-4. Входная емкость экранированного

трансформатора

Входная импульсная емкость трансформатора равна емкости конденсатора, эквивалентного на зажимах емко­ стной схеме замещения, представляющей собой транс­ форматор при импульсном воздействии в первый интер­ вал времени, до того как начинает влиять индуктивность обмотки.

222

 

Важность

знания

величины

 

 

 

 

 

 

входной

емкости

 

трансформато­

 

 

 

 

 

 

ра

подтверждается

 

тем, что при

 

 

 

 

 

 

импульсных

испытаниях

емкость

 

 

 

 

 

 

генератора

импульсных

напряже­

 

 

 

 

 

 

ний должна

быть

много

больше

 

 

 

 

 

 

входной

емкости

трансформато­

 

 

 

 

 

 

ра,

чтобы

форма

 

импульса

не

 

 

 

 

 

 

изменялась

после

подсоединения

 

 

 

 

 

 

трансформатора

к

 

генератору.

 

 

 

 

 

 

 

Емкостная

схема

экраниро­

 

 

 

 

 

 

ванной

обмотки (без учета емко­

 

 

 

 

 

 

сти экрана

на землю)

приведена

 

 

 

 

 

 

на рис. 6-22, где С означает ем­

Рис.

6-22.

 

Емкостная

кость на землю, К — продольную

 

емкость и С(х)

—переменную ем­

схема

замещения экра­

нированной

однослойной

кость обмотки

на

экран;

все ве­

обмотки.

 

 

 

личины

отнесены

к

 

единице дли­

/ — экран.

 

 

 

ны

обмотки

в

аксиальном

на­

 

 

 

 

 

 

правлении. Обозначая через х координату в

 

аксиаль­

ном направлении от линейного конца обмотки

и

через

и(х)

напряжение

в

точке х

при

единичном

импульсе,

получаем для суммы зарядов в точке Р:

 

 

 

 

 

 

К

du

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dx

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-Cudx-\-(\

 

—u)C(x)dx

 

=

0

 

 

 

или

 

 

 

d2u

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К dx2

 

•[C +

C(x)]u

=

C(x).

 

 

(6-27)

Если

С ( х ) = 0 ,

то уравнение

(6-27)

переходит

в

ранее

полученное для однослойной обмотки:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К-£т2

Си =

0.

 

 

 

 

(6-27а)

 

 

 

 

 

 

 

 

dx

 

 

 

 

 

 

 

 

 

При

единичном

импульсе

 

входная

емкость

схемы

(рис. 6-22) равна сумме заряда на первой элементарной продольной емкости у начала обмотки и общего заряда емкости экрана.

Заряд на первой элементарной продольной емкости равен:

223

общий заряд емкости экрана:

Q2 = £ [1 и (х)] С (x) dx.

Тогда для входной емкости получаем:

Сэ =

Qx

+

Q2

=

-

К (du/dx)x=a

+ Г1 [ 1 - и (х)} С (x)

dx.

 

 

 

 

 

 

 

 

J О

 

 

(6-28)

Интегрируя (6-27) от нуля

до I, получаем:

 

 

 

f K

S

'

d x

~

C

f urf*+J' C(x)[l

-u{x)]dx

=

0

или

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

K [

 

 

 

 

 

+ £ c

{ x ) 1 1

" " ( x ) ]

d x ^ c i u

( x )

d x -

Тогда

 

 

 

 

С J'

H (JC) dx K (JjL^ .

 

 

 

 

 

 

Сэ

=

 

(6-29)

Выражение (6-29) показывает, что чем меньше коле­ бания в обмотке (чем равномернее начальное распреде­ ление—-Прим. ред.), тем больше входная емкость.

При полном отсутствии колебаний получаем:

и(х) — \—х/1.

Подставляя это выражение в (6-29), получаем:

или

 

 

C3 =

^ - f ^ = % + K s ,

(6-30)

где Cg, Ks — общие

емкости обмотки (на землю

и про­

дольная).

 

 

Очевидно, что входная емкость полностью экраниро­ ванной обмотки много больше входной емкости неэкранированной обмотки, получаемой в соответствии с (б-27а).

Следует рассмотреть практически важный случай, когда

С(х) = C I = const.

224

Уравнение (6-27) тогда будет иметь вид:

K ^ - i C + CJu^-C,.

(6-31)

Решение этого уравнения:

u==Ae*x

+ Be-«x+-ç^-c~,

(6-32)

где

а 2 = ( С + С 4 ) / / С .

Постоянные интегрирования могут быть найдены из следующих граничных условий:

 

 

 

 

 

х = 1, « = 0;

 

 

 

 

 

 

 

х = 0,

и=\.

 

 

 

Пренебрегая

влиянием

конца (длинная

обмотка),

получаем:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В «

1

-1

-

 

 

и

 

 

 

 

с + с, — с + с,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Тогда

» W ~ irfcre "a x +TTcr-

( 6 -3 3 )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

{du/dx)i~0.

 

(6-34)

 

Таким

образом,

(6-29)

примет вид:

 

 

 

 

 

 

 

C9 =

C§'udx.

 

(6-35)

 

Чтобы

вычислить

интеграл, нужно

проинтегрировать

(6-31) в пределах от 0 до /.

Учитывая

(6-33)

и (6-34),

получаем:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

du

 

+

C1)^udx=~CJ

 

(6-36)

 

 

KlJd~)-(C

 

 

и

тогда

 

 

 

 

 

 

 

 

или

 

 

 

 

 

 

 

 

£

« «te -

[С,/ +

ЛГ

 

 

/

+

] ^

(6.37)

15-8

225

Подставляя это в (6-35), получаем:

 

с* = -сТсГ

[С*1 + С У[

с + С,

)

(6-38)

 

 

На практике С^С.

Следовательно, (6-38)

запишется

как

 

 

 

 

 

С,

Cl + (С/С,) Г(С/С.) V(KC) =

C-^+(CjCf2

Ѵ{КС).

 

 

 

 

(6-39)

 

 

 

 

 

Здесь Cg — общая

емкость обмотки

на землю. Пер­

вый член правой части этого выражения много больше

второго

члена,

и, следовательно,

можно записать

 

 

 

 

 

Ca — С g.

 

 

 

(6-40)

Кроме

того,

вводя поправку,

учитывающую емкость

экрана

на землю,

получаем:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Сэ — Сg -f- С

 

 

 

(6-40а)

где C2g

общая

емкость экрана

на землю.

 

 

Очевидно, что емкость согласно (6-39)

и (6-40а) на­

много

превышает

входную емкость

неэкранированной

 

 

 

 

обмотки.

 

 

 

 

 

 

 

 

Если

обмотка

будет

эк­

 

 

 

 

ранирована

на

длине

h,

 

 

 

 

причем

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k = r\l,

Г)<1,

 

 

 

 

 

то в этом случае получим

 

 

 

 

для

входной

емкости

при­

 

 

 

 

близительно

 

 

 

Рис. 6-23. Емкостная схема замещения слоевой обмотки

сэкраном у входного слоя.

/- э к р а н .

Са

= (Cg + C2g)y\ +

(6-41)

+

(С/С) ( 1 л) .

Рассмотрим теперь

вход­

ную емкость трансформатора

с

многослойной

обмоткой.

Емкостная схема

замещения

его

показана на

рис. 6-23,

г д е и з о б р а

ж е н ы ЛИШЬ первые

Д в а

 

, г>

 

с л о я

(C« — межслоевая

емкость,

отнесенная к едн*

226

ниііе аксиальной длины). Другие обозначения те же, что и раньше. Если через щ обозначить распределение на­

пряжения вдоль первого слоя, а

через « 2 — вдоль вто­

рого слоя, то (6-27) может быть

переписано в виде

- кdx dx Л^+М(^)ах+Шах'

— С1 2 («, — u2)dx-\-(\ — а,) С (x)dx — 0

или

К

d^-iii

С1 2

(и, - и2) + (1 - «,) С (х) = 0. (6-42)

ЧхУ

 

 

При единичном импульсе входная емкость схемы, по­ казанной на рис. 6-23, равна сумме зарядов на первой элементарной продольной емкости у ввода и общего за­

ряда

емкости

экрана.

 

 

 

 

 

 

 

Заряд

первой

продольной емкости

равен:

 

 

 

 

 

 

Qi =

—K(dui/dx)0.

 

 

 

 

Заряд

емкости

экрана:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Q, =

 

f ' (1 - и,) С (х)

dx.

 

 

 

 

 

 

 

 

»' о

 

 

 

 

 

 

 

Тогда

результирующая

входная

емкость будет:

С, =

Q, + Q2 =

-

А (оГи,/гі*)в +

Г' (1 -

и,) С (х) dx. (6-43)

Интегрируя

(6-42),

получаем:J о

 

 

 

 

 

V K^-dx+\l

Jo

(\~ui)C(x)dx^=C,2

 

f

(и,

u2)

dx

Jo

Й Х

 

 

 

 

 

 

 

Jo

 

 

 

или

 

 

 

/ dut

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+

(1

и,) С (х)

dx-

:0.

(6-44)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Jo

 

 

 

 

 

 

Учитывая (6-44) в (6-43), получаем:

 

 

 

 

 

 

С э — С,, j '

(и, — «2) dx — К

^du,dx

 

 

(6-45)

Очевидно, чем больше выровнено распределение на­

пряжения

в обмотке,

 

тем выше

ее входная

емкость.

Для любой

точки

 

X неколеблющейся слоевой обмот­

ки можно

записать:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

« 1 — « 2 = 1—«г(0) = 1/п,

 

 

(6-46)

15*

227

откуда получим:

(6-47)

Сэі21/п + КІпІ,

где n — число слоев.

Отнеся величины емкостей ко всей длине обмотки, получим вместо (6-47)

где с'і2 — результирующая емкость от межслоевых емко­ стей, соединенных последовательно, a k' — результирую­ щая продольная емкость всех слоев.

Для входной емкости неэкранированной слоевой об­ мотки имеем:

 

СЭ=Ѵ[К(С

+ ІСІ2)],

(6-48а)

где

С — емкость на единицу

длины первого слоя

на зем­

лю,

а коэффициент

£ < 1 .

 

 

 

Сравнение (6-48)

и (6-48а) показывает, что

входная

емкость полностью экранированной обмотки 'много боль­ ше, чем неэкранированной.

Расчет входной емкости и в этом случае может быть дополнен учетом емкости экрана на землю.

Глава седьмая

ИМПУЛЬСНЫЕ ПРОЦЕССЫ В РЕГУЛИРУЕМЫХ ТРАНСФОРМАТОРАХ,

ТРАНСФОРМАТОРАХ НАПРЯЖЕНИЯ И ТРАНСФОРМАТОРАХ ОСОБОГО ИСПОЛНЕНИЯ

7-1. Импульсные процессы в регулируемых

трансформаторах

Трансформаторы с регулированием напряжения под нагрузкой благодаря их благоприятным характеристи­ кам часто используются в энергосистемах. Они могут быть разделены на два типа: с малым диапазоном регу­ лирования, когда регулировочная часть обмотки нахо­ дится в основной обмотке, и с большим диапазоном ре­ гулирования, когда регулировочная часть обмотки рас­ положена в отдельном концентре вне основной обмотки.

228

В случае, когда включены не все регулировочные вит­ ки, процесс в регулируемом трансформаторе при им­ пульсном воздействии напоминает процесс в трансформа­ торе с изолированной нейтралью. На открытом конце регулировочной обмотки (соединенной с основной обмот­ кой только одним концом) могут возникнуть заметные перенапряжения, которые могут привести к большой разности потенциалов между регулировочной и основной обмотками или между регулиро­ вочной обмоткой и землей.

Анализ импульсных

процессов

 

 

 

 

 

в трансформаторах, в которых ре­

 

 

 

 

 

гулировочная

обмотка

выполнена

 

 

 

 

 

отдельным

концентром,

сложен,

 

 

 

 

 

поскольку

 

здесь

имеются

две це­

 

 

 

 

 

пи с

распределенными

 

парамет­

 

 

 

 

 

рами, влияющие одна на другую

 

 

 

 

 

как электрически, так и магнитно.

 

 

 

 

 

Ниже

 

будут

рассмотрены

пе­

 

 

 

 

 

ренапряжения

в

регулировочной

 

 

 

 

 

обмотке при воздействии

импуль­

 

 

 

 

 

са для наиболее

неблагоприятно­

Рис. 7-1. Схема

регули­

го случая,

когда

регулировочная

руемого

 

трансформа­

обмотка

включена

на

минимум

тора.

 

 

 

 

/ — основная

 

обмотка; 2 —

и подключена одним концом к ос­

 

регулировочная

обмотка;

новной

обмотке

(Л.

7-5].

На

3 — обмотка

низшего напря­

жения.

 

 

 

 

рис. 7-1 показаны:

1 — основная

 

 

 

 

 

обмотка;

 

2— регулировочная обмотка

и 3 — обмотка

низшего напряжения. К обмотке

низшего

напряжения

могут

быть

присоединены

генераторы

или

большая

сеть.

Поэтому

при

импульсе

напряжения

на

вхо­

де обмотки

высшего

напряжения обмотку

низшего

напряжения можно считать короткозамкнутой, принимая во внимание большую емкость на землю подключенной нагрузки и малое волновое сопротивление линий, при­ соединенных к этой обмотке.

На рис. 7-1 регулировочная обмотка показана как обмотка с изолированным концом.

При прямоугольном импульсе напряжения в точке А в основной и регулировочной обмотках сначала полу­

чается

емкостное начальное распределение

напряжения,

а спустя некоторое время устанавливается

квазистацио­

нарное

конечное распределение напряжения,

обуслов­

ленное

магнитными связями, которое в обеих

обмотках

229

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ