Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Бобровников Л.З. Радиотехника и электроника учебник

.pdf
Скачиваний:
39
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
15.7 Mб
Скачать

усилительных каскадов на полевых транзисторах аналогичен рас­ чету каскадов на электронных лампах. На рис. 65, а приведена схема усилителя с общим стоком на полевом транзисторе с каналом п

ст

- И - т У - з г -

иа

I I -1

J

проводимости. Для этой схемы коэффициент усиления по напря­ жению

«I J '

-SRCT.

 

Коэффициент усиления с учетом сопротивления автоматического смещения (сопротивления ООС) R„ в цепи истока при отсутствии конденсатора Ся равен

Ки (/со) = -SRCT

[ l + SR» + Д с т + Д " J1 ~-SRCT

[1 - f S R » r \

150

Полная входная

проводимость

 

 

 

yw

= ja>C3KU

= ja> С3

С,

SRC

(189)

 

 

 

 

 

 

Rt

Выходное

сопротивление

 

 

 

Усилительные каскады по схеме с общим затвором, имеющие малое входное сопротивление, применяются исключительно редко, так как в этом случае не реализуется основное свойство полевого транзистора — высокое входное сопротивление.

Схема истокового повторителя на полевом транзисторе с изоли­ рованным затвором и его эквивалентная схема приведена на рис.65, б. Коэффициент передачи по напряжению определяется как

Ки (/со) ^ R„ (8+)шС3.

и ) [ l + (S И- ~

+ тС3_ и ) i?H

(190)

На низких частотах и при малом сопротивлении источника сиг­

нала

К и (/«) = К0

~ SRU [1 +

S R J - i ^

1.

(191)

 

Полная

входная

проводимость

 

 

 

 

 

2/вх =

/юСэк» =

/«»[С8 . с +

С % и

(1 —

К0)].

(192)

Полное

выходное

сопротивление

 

 

 

 

 

zBb,x = R„ [1 + (ВТ1 - f 5 + /©С3 . „) Я , ] " 1

~

(193)

Параметры полевых транзисторов зависят от

температуры,

как

и у биполярных транзисторов, но в некоторых режимах работы изменения параметров могут друг друга скомпенсировать. Напри­ мер, у полевого транзистора типа КП102Е термостабильная рабочая точка наблюдается при напряжении на затворе около 1,2 в и токе стока 0,1 ма.

У с и л и т е л и н а т у н н е л ь н ы х д и о д а х . Туннель­ ные диоды обладают участком вольт-амперной характеристики с отри­ цательным дифференциальным сопротивлением. Это позволяет соз­ давать относительно простые, экономичные, надежные, малогаба­ ритные усилители, работающие нормально при температуре в не­ сколько сотен градусов (например, в сверхглубоких скважинах) и выдерживающие проникающую радиацию.

На рис. 66, а приведена принципиальная схема простейшего усилителя на основе туннельного диода. На рис. 66, б дается его эквивалентная схема без цепи питания, которая заменена эквивалент­ ным сопротивлением Rn = Rl || R2.

151

Для тока, обусловленного переменной составляющей входного сигнала, имеем

Отсюда

 

I^EzARi

 

 

+

Rn-B-Y1-

 

 

 

 

 

 

 

(194)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

£/ЕЫХ

=

IRn =•- EBXRn

 

[Ri

+

R

a

-

R-}'1;

 

 

 

 

 

K0

=

^

=

R n l

R

. +

R n

- B . ] - \

 

 

 

 

(195)

Если

 

•С BX

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

\R_\-*(Ri

 

Rn),

 

то

 

K0-*oo.

 

 

 

 

 

 

В практических

+

 

 

 

 

 

 

коэф­

схемах

усилителей

(рис. 66, в) величина

фициента усиления

по напряжению

ограничена несколькими десят­

 

 

 

 

ками.

При

большем

усилении ста­

 

 

 

 

бильность

работы

усилителя

может

 

 

 

 

оказаться

недостаточной.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Особенностью усилителей на тун­

 

 

 

 

нельных диодах является то, что

 

 

 

 

входное

и

 

выходное

сопротивления

 

 

 

 

у

 

них

являются

отрицательными.

 

 

 

 

Это

широко

используется

в

изби­

 

 

 

 

рательных

 

усилителях

и

активных

 

 

 

 

фильтрах.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ф у н к ц и о н а л ь н ы е

у с и ­

 

 

 

 

л и т е л ь н ы е

у з л ы .

 

Совре­

 

 

 

 

менная

радиоэлектронная

аппара­

 

 

 

 

тура

все

более и

более

становится

 

 

 

 

интегральной,

т.

е.

 

выполняется

 

 

 

 

с

использованием

функциональных

 

 

 

 

узлов — модулей,

микромодулей

и

 

 

 

 

интегральных

схем,

технологически

Рис. 66.

 

 

 

выполняемых

как

единое

целое

не­

 

 

 

посредственно

на

заводах.

Однако

 

 

 

 

при существующем уровне

техноло­

гии не все функциональные

узлы

целесообразно

получать

в

инте­

гральном исполнении вследствие сравнительно большого технологи­ ческого разброса параметров. В частности, целесообразно создавать в виде интегральных узлов различные импульсные и логические

устройства,

для

которых разброс

параметров, равный 10—30%,

не имеет существенного значения.

В интегральном

исполнении

пока нецелесообразно

создавать, например,

низкочастотные усили­

тели с малым уровнем

собственных

шумов.

Подобные функциональ­

ные узлы обычно приходится собирать из

отдельных

дискретных

элементов

в виде

модулей.

 

 

 

При создании модулей апериодических усилителей звуковых частот обычно используют биполярные и полевые транзисторы, соединяя их в гальванически связанные «двойки» и «тройки». Это позволяет: уменьшить габариты, вследствие применения минималь-

152

ного числа разделительных конденсаторов; увеличить температур­ ную стабильность за счет применения глубокой ООС по постоян­ ному току. На рис. 67 приведены наиболее характерные схемы уси­ лительных «двоек».

Особенностью первой схемы (рис. 67, а) является использование в качестве эмиттерного сопротивления второго транзистора стабили­ трона КС139, что обеспечивает глубокую ООС по постоянному току

Рис. 67.

и минимальную ООС по переменному току. Коэффициент усиления по напряжению не превышает нескольких сотен. Усилитель, пока­

занный на рис. 67, б, отличается от первого

лишь

тем, что собран

на транзисторах п — р — и и р — п — р

типов.

Особенностью

третьей схемы (рис. 67, в) является то, что первый транзистор вклю­ чен по схеме с общим эмиттером, второй — по схеме с общей базой. Поскольку усилительный каскад с общей базой не инвертирует фазу, сигнал на выходе «двойки» противофазен входному. Это поз­ воляет замкнуть цепь стабилизирующей ООС между выходом и входом (через резистор R3).

153

В отличие от первых трех схем, входное сопротивление в кото­ рых не более нескольких сотен омов, четвертая схема (рис. 67, г) имеет входное сопротивление не менее 3 Мом. Это обеспечивается за счет использования полевого транзистора с п — р переходом (типа КП103М).

На рис. 68, а приведена схема усилительной «тройки», охвачен­ ной глубокой стабилизирующей ООС непосредственно с выхода на вход через фильтр нижних частот (R4, С2, R5), который устраняет

HI

ИЗ

J не-0 4 да

Я2

 

 

 

Ь.Зк

1.3*

20.0

03

 

 

ПXT' 1301 т2T30I

1

ш

ш\

0.6в

73л

 

± I

• х.

т

JT

М Л

КС156 Л /

U

",i

Liz

Рис. 68.

ООС по переменному току. Особенностью схемы рис. 68, б является двухпетдевая ООС по постоянному току: эмиттер второго транзис­ тора — база первого (через резистор RT) и эмиттер третьего транзи­ стора — база второго (через резистор R2). Входное сопротивление обеих схем примерно одинаковое и не превышает 1 ком. Коэффици­ енты усиления по напряжению около 103 .

Использование полевого транзистора (рис. 68, в) позволяет уве­ личить входное сопротивление до 3 Мом. Коэффициент усиления по напряжению не превышает нескольких сотен, поскольку полевой транзистор работает при достаточно большом (3,3 в) напряжении смещения на затворе.

Особенностью рассмотренных функциональных усилительных уз­ лов является «ненулевые» вход и выход: у всех схем даже при отсут­ ствии входного сигнала имеется на входе и выходе постоянное на­ пряжение (кроме усилителя на рис. 68, в , у которого постоянное напряжение на входе равно нулю). Это вынуждает применять на

154

входе и выходе схем разделительные конденсаторы, не пропуска­ ющие постоянное напряжение и ограничивающие снизу полосу про­ пускаемых усилителем частот. Если бы вход и выход были бы нуле­ выми, то разделительные конденсаторы можно было бы не применять и усилители усиливали бы напряжение любых низких частот, начи­ ная от постоянного тока.

Подобные усилительные функциональные узлы принято называть операционными усилителями. Операционные усилители рассматри­ ваются ниже в § 56 «Усилители постоянных и медленно меня­ ющихся напряжений».

§ 53. Широкополосные апериодические усилители

Наличие входной, выходной и монтажной емкостей в обычных апериодических усилителях приводит к снижению величины сопро­ тивления нагрузки и, следовательно, коэффициента усиления с по­ вышением частоты

 

 

zK = ни

|| [ / © С Г 1 = / М 1 + / « С й н Г 1

 

 

при

со - > ОО | 2 Н

| —>- 0.

 

 

 

 

 

Для усилителя с индуктивно-резистивной

_^

нагрузкой

(рис. 69)

 

 

 

 

^ -~с *

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

 

= (Ra + j®L)[l-tfLCK

 

+ ja>RaCM\-\

(196)

 

Можно

так

подобрать

величину

индуктивно­

 

сти,

что

в

диапазоне частот от нуля

до некото-

Рис. 69.

рой

частоты

о)Е

величина

z„

будет

мало

зави­

 

сеть

от

частоты.

В частности,

при L == 0,42См /?н

горизонтальный

участок амплитудно-частотной характеристики в области высоких частот будет наибольшим, но при этом фазово-частотная характери­ стика не будет линейной. Поэтому в тех случаях, когда необходима линейность фазово-частотной характеристики, выбирают L — (0,32 -f- -^-0,35) CMR%, при этом полоса пропускания несколько сужается.

Помимо коррекции с помощью индуктивности в цепи нагрузки, в широкополостных усилителях используются другие способы, основанные на применении корректирующих фильтров, частотнозависимой положительной и отрицательной обратных связей и т. д. Однако даже применение сложных схем коррекции не позволяет создавать усилители с полосой пропускания свыше 0—100 Мгц, так как при такой широкой полосе пропускания сопротивления нагрузки должны быть столь малы, что коэффициент усиления каждого кас­ када оказывается близким к единице. Поскольку коэффициент уси­ ления усилителя определяется как произведение коэффициентов

усиления

отдельных

каскадов Къ

— К^гК5...

Кп,

то при Ki ->•

1, . . .,

К2 -*• 1 и

т. д. А% ^

1 практически

при

любом числе

каскадов.

 

 

 

 

 

Таким образом, существует некоторый предел полосы пропуска­ ния, который усилители, выполненные по обычным схемам со сколь угодно сложной коррекцией, преодолеть не могут. Для того чтобы расширить полосу пропускания свыше 100 Мгц, необходимо отка­ заться от обычного каскадного соединения усилительных элементов и применять усилители-сумматоры, коэффициент усиления в кото­

рых

определяется не произведением, а суммой Ks — К j + К2 - f

+ Ка

+...+

Кп.

Такие усилители называются усилителями с распределенным усилением или усилителями бегущей волны. Современные усилители с распределенным усилением имеют полосу пропускания от нуля до нескольких тысяч мегагерц.

§ 54. Усилительные каскады с минимальными

собственными шумами'

Входные каскады апериодических усилителей, как правило, выполняются по несколько иным схемам, чем основные усилитель­ ные каскады. Это объясняется тем, что входные каскады или рабо­ тают при весьма малых уровнях сигнала и поэтому их собственные

 

шумы должны

быть

минималь­

 

ными,

или

должны

оптималь­

 

ным образом быть согласованы

 

с

источником

сигнала (или

 

с

несколькими

источниками).

 

Часто

эти требования ставятся

 

одновременно,

что значительно

Рис. 70.

усложняет

задачу.

 

 

Уровень собственных шумов

 

 

 

усилительных

ламп,

биполяр­

ных и униполярных транзисторов, туннельных диодов и т. д. опреде­ ляется их конструкцией, качеством изготовления, режимом работы и температурой окружающей среды. При этом даже если все требова­ ния по уменьшению шумов электронного прибора выполнены, то при создании на его основе усилителя с минимальными шумами необ­ ходимо оптимальное согласование с источником сигнала. В част­ ности, определим коэффициент шума линейного усилителя (рис.70, а), «читая его идеальным, а все создаваемые им шумы отнесем ко входу (рис. 70, б), представив их в виде эквивалентных генераторов шумо­ вого тока im и шумового напряжения Um.

Мощность тепловых шумов, генерируемых на внутреннем сопро­

тивлении источника входного сигнала,

 

 

• = 4М1

А/.

(197)

Ri

 

 

156

Мощность эквивалентных шумов усилителя, выделяющихся на внутреннем сопротивлении источника сигнала,

•^экв— j^. Т~'ш-*Ч.

Коэффициент шума усилителя в целом

г

Рс

AkTRi^f

Ц У О ' '

Определим значение внутреннего сопротивления источника сиг­ нала, при котором коэффициент шума минимален. Для этого решим уравнение

 

•щ- = 0,

откуда

находим RionT =

—-.

(199)

При

этом коэффициент

шума

равен

 

 

 

 

^ " = 1 + W i 7

 

( 2 0 0 >

Таким образом, коэффициент шума усилителя зависит от внутрен­

него

сопротивления источника

сигнала — для

каждого

усилителя

имеется оптимальное внутреннее сопротивление источника сигнала, величина которого определяется характером и уровнем шумов усилительных элементов. Но в некоторых случаях сопротивление, оптимальное с точки зрения шумов, не является оптимальным с точки зрения передачи мощности от источника сигнала входной цепи усилителя.

Определим оптимальное сопротивление усилительного каскада на полевом транзисторе и на усилительной лампе (триоде). Для упро­ щения анализа дробовые шумы представим в виде эквивалентного шумового сопротивления

Um д = 4 М 7 ? § к в Д / ,

где

^ э к в = AS 1;

А — коэффициент (для электронных ламп 2,1, для полевых тран­ зисторов 0,6—0,8).

Шумы эффекта мерцания также можно представить в виде экви­ валентного шумового сопротивления, величина которого обратно пропорциональна частоте:

ЯэМкв = Я ? к в - ^ - ,

(201)

где (оо — частота, на которой напряжение дробовых шумов равно напряжению шумов эффекта мерцания;

со — текущее значение частоты.

157

Таким образом, э. д. с. эквивалентного генератора

шумового-

напряжения

 

 

 

ит=

~4кТ

AfAS-^l-r--^-)

(202>

Ток эквивалентного

генератора

шумового тока

 

 

i m = [ 2 e 0 / C 0 A / p ,

 

откуда

 

 

 

 

^ o n T = - ^ = [ - | ¥ 4 - ( l + ^ ) ] 2 .

Определим

оптимальное

сопротивление

источника

нувистора 6С52Н

в режиме

работы S =

5

ма/в, I c 0 =

= 300° к.

 

 

 

(203), имеем

Подставив

эти

значения

в формулу

(203)

сигнала для

10"s а, Т =

 

 

 

 

 

Л / о п Т

« 1,5.10»

+

 

 

 

 

 

Для

лампы

6С52Н

величина

со0

=

2я/ =

6,28-1000

рад/сек,

поэтому

на

частоте 1000

гц

JF?X- о

п т =

210

ком.

На частоте 0,1 гц

Л; опт =

15

Мом.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Минимальный

 

коэффициент

шума при

этом

равен

 

 

^ i n

= l + [ ^ ( l + ^ ) ] 2 - l + 4 . 1 0 - * [ l +

^

 

Для

полевого

транзистора

с

изолированным затвором ТН-6

S =

1,0

ма/в, / с

0

= 1 0 " 1 2

а,

Т =

300°

К.

сигнала

 

 

Оптимальное

сопротивление

источника

 

 

 

 

 

 

tf,onx

= 6 . 1 0 ' [ l + B L ]

 

 

Частота, на которой дробовые шумы и шумы мерцания равны,

для

транзистора

ТН-6

равна

400

гц,

при

этом

R i o n r =

85,5 Мом.

На

частоте

1 гц

i ? , o n x

=

1200

Мом.

 

 

 

 

 

При сопротивлении источника сигнала, значительно меньшем

оптимального, можно пренебречь

током

утечки

затвора

(управля­

ющей сетки), тогда коэффициент шума выражается в виде

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(204)

Если сопротивление источника сигнала отличается от оптималь­ ного, то коэффициент шума резко возрастает. Например, при опти­ мальном сопротивлении источника сигнала на частоте 0,1 гц коэф-

158

фрщиент шума

нувистора

6С51Н ^ т ! п =

1,02

(0,86 дб),

а при

Ц(

=

=

103 ом F =

0,42-10*

(36,2 дб).

 

 

 

 

 

 

 

 

В общем случае, если известен коэффициент шума усилитель­

ного устройства Fa,

измеренный

на некоторой частоте сои

< с о 0 ,

можно определить коэффициент шума

на

любой частоте со ^

со0 :

 

 

 

^ = [ l + ( F H - l ) ^ ] .

 

 

 

 

При этом абсолютное значение шумового напряжения (приве­

денного ко входу), если Rt <^ RionT,

в полосе частот от сон до

сов <

<

со0 равно

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и*ш =

f {VI

+ imRi) cico =

4И7?,/ И

[FB

- 1] Ig £

,

(206)

 

2я ' 7 н ~ ~ 2Д ' / и

2я *

работе

на

частотах

ниже 10

кгц

 

Расчеты показывают,

что при

для усилителей на биполярных транзисторах минимальный коэффи­ циент шума наблюдается при сопротивлении источника сигнала 1 — 20 ком. Для электронных ламп оптимальное сопротивление источ­ ника сигнала 0,2—20 Мом, для полевых транзисторов с п — р пере­ ходом — 1—200 Мом, для полевых транзисторов с изолированным затвором RionT = 0,5 -^-10 Гом.

Чтобы снизить шумы электронных ламп, биполярных и полевых транзисторов в области низких частот (ниже 10 кгц), необходимо

снижать напряжение питания: у ламп — до 10—20 в, у

биполярных

транзисторов — до 0,2—1,0 в (при токе

эмиттера 0,1—1 ма) и до

1—2 в — у полевых

транзисторов. Напряжение смещения на упра­

вляющей сетке электронных ламп и затворе полевых

транзисторов

также должно быть

минимальным — в

пределах 0,2—1,0 в. На­

пряжение накала

у

электронных ламп должно быть уменьшено на

1 0 - 2 0 % .

 

 

 

 

Коэффициент

шума многокаскадного

усилителя

определяется

в основном шумами первого каскада. Однако если коэффициент усиления первого каскада по мощности сравнительно мал, то необ­

ходимо учитывать шумы второго,

третьего и т. д. каскадов.

В х о д н ы е у с и л и т е л ь н ы е к а с к а д ы н а

б и п о ­

л я р н ы х т р а н з и с т о р а х .

На рис. 71, а приведена

каскод-

ная схема транзисторного малошумящего усилительного каскада. Особенностью усилителя является то, что через оба транзистора протекают одни и те же переменная и постоянная составляющие кол­ лекторного тока, вследствие чего верхний транзистор выполняет роль динамического сопротивления нагрузки для нижнего транзи­ стора. При этом нижний транзистор включен по схеме с общим эмит­ тером, а верхний — по схеме с общей базой. Коэффициент усиления

159

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ