книги из ГПНТБ / Соммер А. Фото-эмиссионные материалы
.pdfпа с серебром, поскольку при длинах волн выше 4 000 А
Cs->0 не |
обнаруживает |
ни поглощения |
света, ни |
фото- |
эмиссии. |
Серебро также |
не обладает |
фоточувствитель- |
|
ностыо в видимой области спектра из-за большой |
рабо |
|||
ты выхода; поэтому для объяснения |
механизма |
фото |
эмиссии предлагается следующая модель. Поглощение света и возбуждение фотоэлектронов происходят в се ребре. Фотоэлектроны могут с малыми энергетическими потерями выйти в окись цезия, окружающую серебро. Чистая окись цезия, пли Cs2 0, содержащая стехиометрический избыток цезия, обладает очень малым поверх ностным барьером, что позволяет фотоэлектронам выйти в вакуум.
Более подробная интерпретация фотоэмиссионных ха-
рактеристик Ag-0-Cs в области длин волн выше 4 ООО А должна принимать во внимание следующие эксперимен тальные факты:
для получения чувствительности в инфракрасной об ласти спектра требуется, чтобы количество Ag превыша ло некоторую минимальную величину;
увеличение толщины фотокатода выше оптимальной
приводит к уменьшению |
фоточувствительностн, |
даже |
если свет падает со стороны вакуума; |
|
|
при замене Ag другим |
металлом получается фотока |
|
тод с порогом, лежащим |
в более коротковолновой |
обла |
сти спектра; |
|
|
дополнительное испарение серебра увеличивает кван товый выход в ближней инфракрасной области спектра, однако при этом порог фотоэмиссии смещается в более
коротковолновую область, а термоэлектронная |
эмиссия |
||||
уменьшается; |
|
|
|
|
|
квантовый |
выход в области |
спектра |
между 4 |
000 и |
|
о |
|
энергии |
фотонов, |
а ос |
|
9 000 А не растет с увеличением |
|||||
тается практически постоянным и составляет |
1 — 5 - Ю - 3 . |
||||
На основе предлагаемой модели эти эксперименталь |
|||||
ные факты можно объяснить следующим |
образом. |
|
|||
1. В § 7-4 |
отмечалось, что серебро в фотокатоде при |
сутствует в виде отдельных мелких частиц. Можно пред положить, что присутствие этих частиц имеет очень боль шое значение для получения чувствительности в инфра красной области (например, для образования благопри ятной конфигурации Ag-Cs2 0) и что для образования частиц требуется определенная минимальная поверхност
н о
ная плотность серебра. При этих предположениях стано вится понятным, почему для получения чувствительности в инфракрасной области требуется, чтобы количество се ребра превышало некоторую минимальную величину.
2. Уменьшение чувствительности фотокатода при уве личении его толщины выше оптимальной указывает на то, что существует оптимальный размер частиц серебра, соответствующий определенной толщине фотокатода.
3. Замена Ag другим металлом может быть неэф фективна по ряду причин. Например, другие металлы могут не образовывать частиц или не образовывать ча стиц нужного размера. Кроме того, энергетический барь ер между металлом и Cs2 0 может быть более высоким, чем в случае серебра, в результате чего длинноволновая граница фотоэмиссии сдвигается в более коротковолно вую область.
4. Влияние дополнительного испарения серебра до сих пор полностью не объяснено. Несомненно, что этот эффект заключается не просто в изменении отношения Ag: Cs в объеме до получения оптимального соотноше ния, поскольку эффект не исчезает при введении избытка серебра на более ранней стадии процесса. Уменьшение порога фотоэмиссии и термоэлектронной эмиссии показы вает, что напыление серебра увеличивает работу выхода, возможно, в результате уничтожения пятен с очень низ кой работой выхода. Полезный эффект испарения сереб ра, т. е. увеличение квантового выхода в более коротко волновой области спектра, до сих пор объяснить не уда лось.
5. Чувствительность Ag-0-Cs фотокатода в длинно волновой области спектра часто связывают с примесным фотоэффектом (см., например, [Л. 194]). Как уже от мечалось, трудно рассматривать серебро как примесь в Ag-0-Cs, поскольку Ag является одной из основных составных частей этого материала. Кроме того, хотя примесный и поверхностный эффекты, несомненно, влия ют на фотоэмиссионные характеристики вблизи длинно волновой границы, почти постоянный и относительно вы сокий квантовый выход фотоэмиссии Ag-0-Cs в области
о |
фотоэмиссии. |
4 000—9 000 А не типичен для примесной |
|
Примесная фотоэмиссия наблюдалась и |
исследовалась |
в различных материалах, таких, как антимониды щелоч ных металлов {Л. 127] и теллуриды щелочных металлов
[Л. 195], и характеризуется быстрым ростом квантового выхода при увеличении энергии фотонов, а также очень низкой абсолютной величиной квантового выхода, обыч но ниже Ю - 4 . В отличие от этого фотоэмиссия из Ag-0-Cs практически постоянна при изменении энергии фотонов примерно на 1,6 эв, а величина квантового вы хода близка к 10~2.
Механизм фотоэмиссии из Ag-0-Cs. Обсуждение ха рактеристик Ag-0-Cs фотокатода приводит к выводу, что чувствительность в длинноволновой области спектра опре деляется объемным эффектом в частицах серебра. Ка
жется удивительным, |
что квантовый выход из серебра |
в Ag-0-Cs фотокатоде |
близок к 10~2, в то время как |
обычно квантовый выход из металлов не превышает 10~4 вследствие высокого оптического отражения и малой глубины выхода фотоэлектронов (см. гл. 1). Однако фо
тоэмиссия из серебра в окись |
цезия в Ag-0-Cs фотока |
тоде существенно отличается |
от фотоэмпссып из серебра |
в вакуум. |
|
Во-первых, квантовый выход фотоэмиссии из массив ного серебра в расчете па падающий свет мал вследст вие того, что только небольшая часть падающего света поглощается в металле. Например, в видимой области спектра от поверхности серебра отражается до 97% па дающего света. В отличие от этого тонкие серебряные пленки имеют значительно меньший коэффициент отра жения и характеризуются более высоким оптическим по
глощением |
(рис. 48). Поглощение в Ag-0-Cs |
фотока |
|||
тоде может |
достигать |
50% (рис. 47). Таким |
образом, |
||
увеличение |
оптического |
поглощения |
может |
объяснить |
|
в 10—20 раз более высокое значение |
квантового |
выхода |
в Ag-0-Cs фотокатоде по сравнению с квантовым выхо дом фотоэмиссии из массивного серебра.
Вторая причина различий в величине квантового вы хода состоит в том, что для получения фотоэмиссии из серебра в вакуум требуются фотоны с энергией, большей, чем работа выхода металла, т. е. с энергией выше 4,5 эв, Как известно, средняя длина свободного пробега и, еле. дователыю, глубина выхода «горячих» электронов быстт ро уменьшаются с увеличением энергии фотонов. Экспе
рименты на золоте [Л. |
134] показали, |
что при энергии |
фотонов, превышающей |
работу выхода |
золота ( ~ 5 эв), |
глубина выхода фотоэлектронов составляет всего 70 А-
122
В то Же время электроны с энергией меньше 1 эв имеют
о
глубину выхода больше 1 ООО А. Глубина выхода фото электронов с высокими энергиями из серебра неизвестна. Однако для электронов с энергиями порядка 1 эв глу бина выхода по данным Кроуэлла и др. (Л. 196] состав-
о
ляст примерно 440 А.
Малая глубина выхода приводит к низкому значению квантового выхода фотоэмиссии из металлов в вакуум, даже в расчете на число поглощенных, а не падающих фотонов.
Наличие чувствительности в длинноволновой области у Ag-0-Cs фотокатода показывает, что фотоэлектроны эмиттируются из серебра в окись цезия со значительно
более низкими энергиями, |
чем требуется для эмиссии |
в вакуум (для объяснения |
малой энергии, требуемой для |
выхода электронов из металла с высокой работой выхо да в полупроводник с низкой работой выхода, по-види мому, следует предположить туннельный механизм). При
таких низких |
энергиях |
(<0,5 |
эв) |
глубина |
выхода элек- |
тронов, вероятно, превышает |
100 |
о |
ограничивает |
||
А и не |
|||||
существенно |
величину |
квантового |
выхода. |
|
|
Величина |
глубины |
выхода |
фотоэлектронов порядка |
нескольких сотен ангстрем была получена также пз того факта, что полупрозрачный Ag-0-Cs фотокатод такой толщины обладает одинаковой чувствительностью при освещении видимым светом как со стороны подложки, так и со стороны вакуума. Для того чтобы доказать, что фотоэлектроны, характеризуемые такой большой глуби ной выхода, действительно возникают в серебре, был проведен следующий эксперимент {Л. 192]. Работа выхо да испаренных пленок серебра толщиной в несколько со тен ангстрем уменьшалась нанесением поверхностной пленки Cs. Таким образом, была получена достаточная чувствительность в видимой области спектра. Фотоэмис сионные измерения, проведенные при освещении пленки со стороны подложки и со стороны вакуума, показали примерно одинаковую чувствительность в обоих случаях аналогично результатам, полученным с Ag-0-Cs (см. выше). Это может служить убедительным доказательст вом объемного фотоэффекта в металлическом серебре с большой глубиной выхода фотоэлектронов при условии, если энергия фотонов и, следовательно, энергия электро нов достаточно низка.
В проведенной дискуссии была сделана попытка объ яснить, почему квантовый выход серебра в Ag-0-Cs фо токатоде на несколько порядков выше, чем квантовый выход массивного серебра. Если, как предполагается, вы сокий квантовый выход связан с увеличением поглоще ния света и глубины выхода фотоэлектронов, возникает другой вопрос, а именно: почему квантовый выход Ag-0-Cs фотокатода все же низок по сравнению с кван товым выходом таких материалов, как антимониды ще лочных металлов. Возможное объяснение этого факта [Л. 197] состоит в том, что возбуждение фотоэлектронов на энергетические уровни выше уровня вакуума более вероятно, если поглощение света определяется межзониыми, а не внутризонными (поглощение на свободных носителях) переходами. Поскольку межзонные переходы в серебре возможны только при энергии фотонов выше 3,5 эв [Л. 46], поглощение света в серебре в Ag-0-Cs фо-
о
токатоде в области длин волн выше 3 500 А должно быть связано с внутризонными переходами; вследствие этого квантовый выход относительно невелик.
Проведенный анализ показывает, что можно привести аргументы, имеющие, правда, гипотетический характер, которые объясняют абсолютную величину квантового выхода фотокатода в видимой области спектра. Однако, остается открытым вопрос о причинах почти постоянного значения квантового выхода в области спектра от 4 000
о
до 9 000 А, т. е. в спектральном интервале, в котором энергия фотона изменяется более чем на 1,5 эв. Вели чина эмиссии всегда ограничивается потерями тех элек тронов, которые достигают границы с вакуумом, обла дая скоростью, нормальная составляющая которой не достаточна для выхода в вакуум. Поэтому обычно кван товый выход фотоэмиссии растет с увеличением энергии фотонов. В |[Л. 192] приведена интерпретация отсутствия такого роста в Ag-O-Cs фотокатоде в области спектра
о
между 4 000 и 9 000 А. Эта интерпретация имеет дискус сионный характер и состоит в том, что в этой области спектра ожидаемое увеличение квантового выхода с ро стом энергии фотонов компенсируется уменьшением глу бины выхода электронов с большей энергией.
Г л а в а в о с ь м а я
Bi-Cs и Bi-Ag-O-Cs ФОТОКАТОДЫ
8-1. ВИСМУТО-ЦЕЗИЕВЫЙ ФОТОКАТОД
Висмуто-цезиевый фотокатод изготовляется обработ кой испаренной пленки висмута в парах цезия при тем пературе 150—180 °С до получения максимума фотоэмиссни. Наиболее чувствительное соединение висмута с це
зием |
соответствует стехиометрической |
формуле |
Cs3 Bi. |
||||||||
Структура Cs3 Bi установле |
|
|
|
|
|||||||
на путем исследования |
диф |
|
|
|
|
||||||
ракции |
рентгеновских |
|
лучей |
|
|
|
|
||||
[Л. |
198] и |
дифракции |
|
элек |
|
|
|
|
|||
тронов |
(Л. |
199]. |
Подобно |
|
|
|
|
||||
Cs3Sb и некоторым |
много |
|
|
|
|
||||||
щелочным |
|
антимонидам |
|
|
|
|
|||||
Cs3 Bi кристаллизуется |
|
в ку |
|
|
|
|
|||||
бической 003 -структуре. |
|
|
|
|
|||||||
Типичная |
спектральная |
|
|
|
|
||||||
характеристика |
фотоэмис |
|
|
|
|
||||||
сии |
Cs3 Bi |
|
приведена |
на |
|
l*h |
2,2 3,0 |
3,8эВ |
|||
рис. |
|
52. |
|
Максимальный |
Рис. |
52. Спектральная |
харак |
||||
квантовый |
выход |
фотоэмис |
|||||||||
сии не |
превышает |
Ю - 2 , т. е. |
теристика |
квантового |
выхода |
||||||
фотоэмиссии из Cs3 Bi |
'[Л. 200]. |
||||||||||
более чем на порядок ни |
Сплошная |
линия — экспери |
|||||||||
же |
квантового выхода, по |
ментальная |
кривая. Пунктир |
||||||||
лученного |
с |
Cs3Sb. |
Фото |
ная |
линия — теоретическая |
||||||
проводимость в Cs3 Bi не |
|
|
кривая. |
|
|||||||
|
|
|
|
||||||||
наблюдалась |
(Л. 200]. Ма |
|
|
|
|
териал с максимальной чувствительностью имеет прово димость р-типа и обладает небольшим стехиометрическим избытком Bi.
Оптическое поглощение в Cs3 Bi было измерено Клер ком и Уолисом [Л. 201], Сарбеем {Л. 202], а также Соммером и Спайсером {Л. 200]. Исходя из длинноволновой границы оптического поглощения, эти авторы установи ли, что ширина запрещенной зоны Cs3 Bi лежит в пре делах от 0,5 до 0,7 эв. Используя эту величину, а также определив значение длинноволнового порога фотоэмис сии (около 2 эв) сравнением теоретической и экспери ментальной характеристик квантового выхода, Соммер и Спайсер [Л. 200] получили, что электронное сродство Cs3 Bi превышает 1,3 эв.
Низкий квантовый выход Cs3 Bi .качественно объяс няется большой величиной электронного сродства по сравнению с шириной запрещенной зоны. Как уже отме чалось в гл. 1, весьма вероятно, что в Cs3 Bi большая часть электронов, оптически возбужденных из валентной зоны в зону проводимости, производит электронно-ды рочные .пары и, потеряв при этом значительную часть своей энергии, не выходит в вакуум.
|
8-2. Bi-Ag-0-Cs Ф О Т О К А Т О Д |
|
Изготовление |
Bi-Ag-0-Cs |
фотокатода [Л. 200]. |
Bi-Ag-0-Cs фотокатод может быть изготовлен различ
ными методами. Они отличаются |
последовательностью, |
в которой комбинируют четыре |
составных элемента, |
а также относительным количеством элементов в активи рованном фотокатоде. Ниже описаны разные процессы изготовления фотокатода, причем в названии процесса отражена последовательность, в которой вводятся ком поненты.
1. Bi-Ag-O (тлеющий разряд)-Cs. Эта последователь ность технологических операций представляет собой ис ходный процесс, который привел к открытию фотокатода. Висмут испаряется на стеклянную подложку до тех лор, пока пропускание света в видимой области спектра не уменьшается приблизительно до 60% первоначальной
о
величины. Это соответствует толщине пленки около 50 А
[Л. |
203]. Затем |
испаряется |
серебро. При этом |
пропуска |
|
ние |
света падает |
до 40%, |
что соответствует |
толщине |
|
пленки серебра, |
|
|
о |
||
равной приблизительно 40 А. Пленка |
|||||
Ag окисляется |
в тлеющем разряде в кислороде. |
||||
|
Поскольку |
тлеющий разряд не оказывает |
заметного |
влияния на пленку висмута, а окись серебра практически прозрачна для видимого света, пропускание света после окисления становится таким же, как и до испарения се
ребра. |
|
|
|
|
На следующем этапе процесса прибор нагревается до |
||
140—170 °С и Bi-Ag2 0 пленка |
обрабатывается парами Cs |
||
до |
получения максимума фотоэмиссии. |
Было сделано |
|
предположение, подтвержденное другими |
эксперимента |
||
ми |
[Л. 200], что при этом |
протекает |
реакция 2ВІ + |
+ |
3Ag2 0—HBi2 03 +6Ag. |
|
|
Последующая обработка цезием сопровождается ре акцией
Bi2 03 +12Cs—»2Cs3 Bi + 3Cs2 0.
При этом серебро остается в элементарной форме. Таким образом, готовый фотокатод должен состоять пз трех основных составных частей: Cs3 Bi, Cs2 0 и Ag (см. ниже).
2. Bi-Ag-0-Cs. Обработка |
в тлеющем |
разряде в кис |
|
лороде, в результате которой большая |
часть |
или вся |
|
пленка висмута (через Ag2 0) |
превращается в Ві 2 0 3 , мо |
||
жет быть заменена простой |
экспозицией |
Bi-Ag |
пленки |
в кислороде. При этом окисляется, по-видимому, только несколько слоев висмута, поскольку происходит лишь небольшое увеличение прозрачности пленки. Специаль ные эксперименты показали, что экспозиция в кислороде не окисляет серебра, т. е. кислород диффундирует сквозь пленку серебра и окисляет висмут. Этот процесс благо даря исключению тлеющего разряда значительно проще, чем процесс, описанный в предыдущем пункте, и поэтому обычно используется для изготовления Bi-Ag-0-Cs фото катодов.
Очевидно, что конечный продукт этого процесса со держит значительно меньшее количество Cs2 0, чем фото катод, изготовленный с помощью, процесса 1.
3.Ві-0-Ag-Cs. Поскольку при экспозиции в кислоро де окисляется только Bi, а не Ag, неудивительно, что эта операция может предшествовать испарению Ag.
4.Ag-Bi-O-Cs. Изменение последовательности испаре ния Bi и Ag не оказывает существенного влияния на фо точувствительность готового фотокатода.
5.Ag-Bi-Cs-O. При обработке Ag-Bi слоя цезием об разуется фотокатод со сравнительно низкой чувствитель ностью (см. ниже). Однако при тщательно контролируе мой экспозиции в кислороде получается фотокатод с нор мальной чувствительностью.
6.Ві-0-Cs-Ag. Если слой Ві после экспозиции в кис лороде обработать цезием, образуется фотокатод со сравнительно низкой чувствительностью. Контролируе мое испарение серебра на этот фотокатод повышает его чувствительность до значения, соответствующего нор мальному Bi-Ag-0-Cs фотокатоду.
7.Bi-Cs-0-Ag и Bi-Cs-Ag-O. Ни один из этих двух процессов не приводит к образованию нормального
Bi-Ag-0-Cs фотокатода. По-видимому, имеет значение, что оба процесса начинаются с образования Cs3 Bi и этим отличаются от всех других процессов.
Химический состав. Как уже упоминалось, готовый фо токатод содержит Cs3 Bi, C S 2 O и элементарное серебро. В то время как присутствие Cs3 Bi и Ag подтверждено рентгеноструктурным анализом [Л. 153], не имеется никаких убедительных доказательств того, что окись цезия, образо ванная в-результате реакции, представляет собой Cs2 0. Не известно также, присутствуют ли в фотокатоде другие окиси цезия или элементарный Cs.
Как уже упоминалось в связи с Ag-0-Cs фотокатодом, не су ществует никаких аналитиче ских методов, способных отли чить различные окиси цезия в столь малых количествах или установить присутствие эле ментарного цезия.
В отношении количествен ного состава Bi-Ag-0-Cs сле дует отметить, что поверхност
ная плотность Cs3 Bi имеет оптимальную величину (для полупрозрачных фотокатодов), которая может варьиро ваться в очень узких пределах. В то же время количе ство серебра, определенное из измерений оптического пропускания, может изменяться по крайней мере в 6 раз без заметного влияния на фотоэмиссшо [Л. 200]. Аналогичные изменения допустимы и в отношении количества кислорода и тем самым количества окиси цезия.
Электрические и оптические свойства. Типичная спек тральная характеристика квантового выхода фотоэмис сии из Bi-Ag-0-Cs фотокатода приведена на рис. 53. Сравнение рис. 52 и 53 показывает, что максимум кван тового выхода этого фотокатода в 10 раз выше, чем в случае Cs3 Bi, а длинноволновый порог сдвинут пример но на 0,4 эв в сторону фотонов с более низкими энергия ми. Для определения порога фотоэмиссии Соммер и Спайсер [Л. 200] использовали тот же метод, что и для
Cs3Sb (см. § 4-9). Таким образом, было получено, |
что |
(Eg + Ea) = 1,6 эв. Мостовский и др. [Л. 204] привели |
зна |
чение порога, равное 1,5 эв, не указав, как была полу чена эта величина.
Поскольку фотопроводимость в Bi-Ag-0-Cs фотока тодах не наблюдается {Л. 200, 205], измерение порога оптического поглощения — единственный метод определе ния ширины запрещенной зоны этого материала. Соммер и Спайсер [Л. 200] нашли, что спектральные харак теристики поглощения не отличаются заметно от анало гичных характеристик для Cs3 Bi. Отсюда они сделали вывод, что оба материала имеют одинаковую ширину
запрещенной |
зоны Eg^.0,7 |
эв. Это |
хорошо |
согласуется |
||
со |
значением |
£^ = 0,6 |
эв, |
полученным Мостовский и др. |
||
[Л. |
204]. |
|
|
|
|
|
|
Исходя из |
порога |
фотоэмиссии |
и ширины |
запрещен |
ной зоны, можно сделать вывод, что электронное срод ство Bi-Ag-O-Cs фотокатода Еа^0,9 эв.
Мостовский и др. [Л. '205] измерили знак термо-э. д. с. и сделали вывод, что Bi-Ag-O-Cs, так же как Cs3 Bi, яв ляется полупроводником /7-типа.
Интерпретация характеристик Bi-Ag-O-Cs. Нет сомне ний в том, что соединение Cs3 Bi является основной со ставной частью Bi-Ag-O-Cs фотокатода. Это подтверж
дается |
следующими фактами: во-первых, присутствие |
Cs3 Bi |
было подтверждено рентгёноструктурным анали |
зом; во-вторых, количество Cs3 Bi, необходимое для полу чения максимальной чувствительности фотокатода, яв ляется критическим. В-третьих, спектральные характери стики оптического поглощения Cs3 Bi и Bi-Ag-O-Cs очень
близки. Это указывает на то, что ширина |
запрещенной |
|
зоны у этих двух материалов |
одинакова. |
В-четвертых, |
замена Bi другим элементом, |
особенно |
Sb, приводит |
к уменьшению чувствительности. Остается вопрос, каким образом добавление элементарного серебра и окиси це зия (причем количество обоих веществ не.является кри
тическим) приводит к увеличению квантового |
выхода |
фотоэмиссии и продвижению длинноволновой |
границы |
Cs3 Bi. |
|
Пытаясь ответить на этот вопрос, Соммер и Спайсер [Л. 200] попробовали разделить эффекты, связанные с влиянием серебра и окиси цезия на фотоэмиссионные свойства Cs3 Bi. С этой целью они измерили спектраль ные характеристики фотоэмиссии фотокатодов, имеющих
9—10 |
129 |