Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Соммер А. Фото-эмиссионные материалы

.pdf
Скачиваний:
8
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
8.14 Mб
Скачать

па с серебром, поскольку при длинах волн выше 4 000 А

Cs->0 не

обнаруживает

ни поглощения

света, ни

фото-

эмиссии.

Серебро также

не обладает

фоточувствитель-

ностыо в видимой области спектра из-за большой

рабо­

ты выхода; поэтому для объяснения

механизма

фото­

эмиссии предлагается следующая модель. Поглощение света и возбуждение фотоэлектронов происходят в се­ ребре. Фотоэлектроны могут с малыми энергетическими потерями выйти в окись цезия, окружающую серебро. Чистая окись цезия, пли Cs2 0, содержащая стехиометрический избыток цезия, обладает очень малым поверх­ ностным барьером, что позволяет фотоэлектронам выйти в вакуум.

Более подробная интерпретация фотоэмиссионных ха-

рактеристик Ag-0-Cs в области длин волн выше 4 ООО А должна принимать во внимание следующие эксперимен­ тальные факты:

для получения чувствительности в инфракрасной об­ ласти спектра требуется, чтобы количество Ag превыша­ ло некоторую минимальную величину;

увеличение толщины фотокатода выше оптимальной

приводит к уменьшению

фоточувствительностн,

даже

если свет падает со стороны вакуума;

 

при замене Ag другим

металлом получается фотока­

тод с порогом, лежащим

в более коротковолновой

обла­

сти спектра;

 

 

дополнительное испарение серебра увеличивает кван­ товый выход в ближней инфракрасной области спектра, однако при этом порог фотоэмиссии смещается в более

коротковолновую область, а термоэлектронная

эмиссия

уменьшается;

 

 

 

 

 

квантовый

выход в области

спектра

между 4

000 и

о

 

энергии

фотонов,

а ос­

9 000 А не растет с увеличением

тается практически постоянным и составляет

1 5 - Ю - 3 .

На основе предлагаемой модели эти эксперименталь­

ные факты можно объяснить следующим

образом.

 

1. В § 7-4

отмечалось, что серебро в фотокатоде при­

сутствует в виде отдельных мелких частиц. Можно пред­ положить, что присутствие этих частиц имеет очень боль­ шое значение для получения чувствительности в инфра­ красной области (например, для образования благопри­ ятной конфигурации Ag-Cs2 0) и что для образования частиц требуется определенная минимальная поверхност­

н о

ная плотность серебра. При этих предположениях стано­ вится понятным, почему для получения чувствительности в инфракрасной области требуется, чтобы количество се­ ребра превышало некоторую минимальную величину.

2. Уменьшение чувствительности фотокатода при уве­ личении его толщины выше оптимальной указывает на то, что существует оптимальный размер частиц серебра, соответствующий определенной толщине фотокатода.

3. Замена Ag другим металлом может быть неэф­ фективна по ряду причин. Например, другие металлы могут не образовывать частиц или не образовывать ча­ стиц нужного размера. Кроме того, энергетический барь­ ер между металлом и Cs2 0 может быть более высоким, чем в случае серебра, в результате чего длинноволновая граница фотоэмиссии сдвигается в более коротковолно­ вую область.

4. Влияние дополнительного испарения серебра до сих пор полностью не объяснено. Несомненно, что этот эффект заключается не просто в изменении отношения Ag: Cs в объеме до получения оптимального соотноше­ ния, поскольку эффект не исчезает при введении избытка серебра на более ранней стадии процесса. Уменьшение порога фотоэмиссии и термоэлектронной эмиссии показы­ вает, что напыление серебра увеличивает работу выхода, возможно, в результате уничтожения пятен с очень низ­ кой работой выхода. Полезный эффект испарения сереб­ ра, т. е. увеличение квантового выхода в более коротко­ волновой области спектра, до сих пор объяснить не уда­ лось.

5. Чувствительность Ag-0-Cs фотокатода в длинно­ волновой области спектра часто связывают с примесным фотоэффектом (см., например, [Л. 194]). Как уже от­ мечалось, трудно рассматривать серебро как примесь в Ag-0-Cs, поскольку Ag является одной из основных составных частей этого материала. Кроме того, хотя примесный и поверхностный эффекты, несомненно, влия­ ют на фотоэмиссионные характеристики вблизи длинно­ волновой границы, почти постоянный и относительно вы­ сокий квантовый выход фотоэмиссии Ag-0-Cs в области

о

фотоэмиссии.

4 000—9 000 А не типичен для примесной

Примесная фотоэмиссия наблюдалась и

исследовалась

в различных материалах, таких, как антимониды щелоч­ ных металлов {Л. 127] и теллуриды щелочных металлов

[Л. 195], и характеризуется быстрым ростом квантового выхода при увеличении энергии фотонов, а также очень низкой абсолютной величиной квантового выхода, обыч­ но ниже Ю - 4 . В отличие от этого фотоэмиссия из Ag-0-Cs практически постоянна при изменении энергии фотонов примерно на 1,6 эв, а величина квантового вы­ хода близка к 10~2.

Механизм фотоэмиссии из Ag-0-Cs. Обсуждение ха­ рактеристик Ag-0-Cs фотокатода приводит к выводу, что чувствительность в длинноволновой области спектра опре­ деляется объемным эффектом в частицах серебра. Ка­

жется удивительным,

что квантовый выход из серебра

в Ag-0-Cs фотокатоде

близок к 10~2, в то время как

обычно квантовый выход из металлов не превышает 10~4 вследствие высокого оптического отражения и малой глубины выхода фотоэлектронов (см. гл. 1). Однако фо­

тоэмиссия из серебра в окись

цезия в Ag-0-Cs фотока­

тоде существенно отличается

от фотоэмпссып из серебра

в вакуум.

 

Во-первых, квантовый выход фотоэмиссии из массив­ ного серебра в расчете па падающий свет мал вследст­ вие того, что только небольшая часть падающего света поглощается в металле. Например, в видимой области спектра от поверхности серебра отражается до 97% па­ дающего света. В отличие от этого тонкие серебряные пленки имеют значительно меньший коэффициент отра­ жения и характеризуются более высоким оптическим по­

глощением

(рис. 48). Поглощение в Ag-0-Cs

фотока­

тоде может

достигать

50% (рис. 47). Таким

образом,

увеличение

оптического

поглощения

может

объяснить

в 10—20 раз более высокое значение

квантового

выхода

в Ag-0-Cs фотокатоде по сравнению с квантовым выхо­ дом фотоэмиссии из массивного серебра.

Вторая причина различий в величине квантового вы­ хода состоит в том, что для получения фотоэмиссии из серебра в вакуум требуются фотоны с энергией, большей, чем работа выхода металла, т. е. с энергией выше 4,5 эв, Как известно, средняя длина свободного пробега и, еле. дователыю, глубина выхода «горячих» электронов быстт ро уменьшаются с увеличением энергии фотонов. Экспе­

рименты на золоте [Л.

134] показали,

что при энергии

фотонов, превышающей

работу выхода

золота ( ~ 5 эв),

глубина выхода фотоэлектронов составляет всего 70 А-

122

В то Же время электроны с энергией меньше 1 эв имеют

о

глубину выхода больше 1 ООО А. Глубина выхода фото­ электронов с высокими энергиями из серебра неизвестна. Однако для электронов с энергиями порядка 1 эв глу­ бина выхода по данным Кроуэлла и др. (Л. 196] состав-

о

ляст примерно 440 А.

Малая глубина выхода приводит к низкому значению квантового выхода фотоэмиссии из металлов в вакуум, даже в расчете на число поглощенных, а не падающих фотонов.

Наличие чувствительности в длинноволновой области у Ag-0-Cs фотокатода показывает, что фотоэлектроны эмиттируются из серебра в окись цезия со значительно

более низкими энергиями,

чем требуется для эмиссии

в вакуум (для объяснения

малой энергии, требуемой для

выхода электронов из металла с высокой работой выхо­ да в полупроводник с низкой работой выхода, по-види­ мому, следует предположить туннельный механизм). При

таких низких

энергиях

(<0,5

эв)

глубина

выхода элек-

тронов, вероятно, превышает

100

о

ограничивает

А и не

существенно

величину

квантового

выхода.

 

Величина

глубины

выхода

фотоэлектронов порядка

нескольких сотен ангстрем была получена также пз того факта, что полупрозрачный Ag-0-Cs фотокатод такой толщины обладает одинаковой чувствительностью при освещении видимым светом как со стороны подложки, так и со стороны вакуума. Для того чтобы доказать, что фотоэлектроны, характеризуемые такой большой глуби­ ной выхода, действительно возникают в серебре, был проведен следующий эксперимент {Л. 192]. Работа выхо­ да испаренных пленок серебра толщиной в несколько со­ тен ангстрем уменьшалась нанесением поверхностной пленки Cs. Таким образом, была получена достаточная чувствительность в видимой области спектра. Фотоэмис­ сионные измерения, проведенные при освещении пленки со стороны подложки и со стороны вакуума, показали примерно одинаковую чувствительность в обоих случаях аналогично результатам, полученным с Ag-0-Cs (см. выше). Это может служить убедительным доказательст­ вом объемного фотоэффекта в металлическом серебре с большой глубиной выхода фотоэлектронов при условии, если энергия фотонов и, следовательно, энергия электро­ нов достаточно низка.

В проведенной дискуссии была сделана попытка объ­ яснить, почему квантовый выход серебра в Ag-0-Cs фо­ токатоде на несколько порядков выше, чем квантовый выход массивного серебра. Если, как предполагается, вы­ сокий квантовый выход связан с увеличением поглоще­ ния света и глубины выхода фотоэлектронов, возникает другой вопрос, а именно: почему квантовый выход Ag-0-Cs фотокатода все же низок по сравнению с кван­ товым выходом таких материалов, как антимониды ще­ лочных металлов. Возможное объяснение этого факта [Л. 197] состоит в том, что возбуждение фотоэлектронов на энергетические уровни выше уровня вакуума более вероятно, если поглощение света определяется межзониыми, а не внутризонными (поглощение на свободных носителях) переходами. Поскольку межзонные переходы в серебре возможны только при энергии фотонов выше 3,5 эв [Л. 46], поглощение света в серебре в Ag-0-Cs фо-

о

токатоде в области длин волн выше 3 500 А должно быть связано с внутризонными переходами; вследствие этого квантовый выход относительно невелик.

Проведенный анализ показывает, что можно привести аргументы, имеющие, правда, гипотетический характер, которые объясняют абсолютную величину квантового выхода фотокатода в видимой области спектра. Однако, остается открытым вопрос о причинах почти постоянного значения квантового выхода в области спектра от 4 000

о

до 9 000 А, т. е. в спектральном интервале, в котором энергия фотона изменяется более чем на 1,5 эв. Вели­ чина эмиссии всегда ограничивается потерями тех элек­ тронов, которые достигают границы с вакуумом, обла­ дая скоростью, нормальная составляющая которой не­ достаточна для выхода в вакуум. Поэтому обычно кван­ товый выход фотоэмиссии растет с увеличением энергии фотонов. В |[Л. 192] приведена интерпретация отсутствия такого роста в Ag-O-Cs фотокатоде в области спектра

о

между 4 000 и 9 000 А. Эта интерпретация имеет дискус­ сионный характер и состоит в том, что в этой области спектра ожидаемое увеличение квантового выхода с ро­ стом энергии фотонов компенсируется уменьшением глу­ бины выхода электронов с большей энергией.

Г л а в а в о с ь м а я

Bi-Cs и Bi-Ag-O-Cs ФОТОКАТОДЫ

8-1. ВИСМУТО-ЦЕЗИЕВЫЙ ФОТОКАТОД

Висмуто-цезиевый фотокатод изготовляется обработ­ кой испаренной пленки висмута в парах цезия при тем­ пературе 150—180 °С до получения максимума фотоэмиссни. Наиболее чувствительное соединение висмута с це­

зием

соответствует стехиометрической

формуле

Cs3 Bi.

Структура Cs3 Bi установле­

 

 

 

 

на путем исследования

диф­

 

 

 

 

ракции

рентгеновских

 

лучей

 

 

 

 

[Л.

198] и

дифракции

 

элек­

 

 

 

 

тронов

(Л.

199].

Подобно

 

 

 

 

Cs3Sb и некоторым

много­

 

 

 

 

щелочным

 

антимонидам

 

 

 

 

Cs3 Bi кристаллизуется

 

в ку­

 

 

 

 

бической 003 -структуре.

 

 

 

 

Типичная

спектральная

 

 

 

 

характеристика

фотоэмис­

 

 

 

 

сии

Cs3 Bi

 

приведена

на

 

l*h

2,2 3,0

3,8эВ

рис.

 

52.

 

Максимальный

Рис.

52. Спектральная

харак­

квантовый

выход

фотоэмис­

сии не

превышает

Ю - 2 , т. е.

теристика

квантового

выхода

фотоэмиссии из Cs3 Bi

'[Л. 200].

более чем на порядок ни­

Сплошная

линия экспери­

же

квантового выхода, по­

ментальная

кривая. Пунктир­

лученного

с

Cs3Sb.

Фото­

ная

линия — теоретическая

проводимость в Cs3 Bi не

 

 

кривая.

 

 

 

 

 

наблюдалась

(Л. 200]. Ма­

 

 

 

 

териал с максимальной чувствительностью имеет прово­ димость р-типа и обладает небольшим стехиометрическим избытком Bi.

Оптическое поглощение в Cs3 Bi было измерено Клер­ ком и Уолисом [Л. 201], Сарбеем {Л. 202], а также Соммером и Спайсером {Л. 200]. Исходя из длинноволновой границы оптического поглощения, эти авторы установи­ ли, что ширина запрещенной зоны Cs3 Bi лежит в пре­ делах от 0,5 до 0,7 эв. Используя эту величину, а также определив значение длинноволнового порога фотоэмис­ сии (около 2 эв) сравнением теоретической и экспери­ ментальной характеристик квантового выхода, Соммер и Спайсер [Л. 200] получили, что электронное сродство Cs3 Bi превышает 1,3 эв.

Низкий квантовый выход Cs3 Bi .качественно объяс­ няется большой величиной электронного сродства по сравнению с шириной запрещенной зоны. Как уже отме­ чалось в гл. 1, весьма вероятно, что в Cs3 Bi большая часть электронов, оптически возбужденных из валентной зоны в зону проводимости, производит электронно-ды­ рочные .пары и, потеряв при этом значительную часть своей энергии, не выходит в вакуум.

 

8-2. Bi-Ag-0-Cs Ф О Т О К А Т О Д

Изготовление

Bi-Ag-0-Cs

фотокатода [Л. 200].

Bi-Ag-0-Cs фотокатод может быть изготовлен различ­

ными методами. Они отличаются

последовательностью,

в которой комбинируют четыре

составных элемента,

а также относительным количеством элементов в активи­ рованном фотокатоде. Ниже описаны разные процессы изготовления фотокатода, причем в названии процесса отражена последовательность, в которой вводятся ком­ поненты.

1. Bi-Ag-O (тлеющий разряд)-Cs. Эта последователь­ ность технологических операций представляет собой ис­ ходный процесс, который привел к открытию фотокатода. Висмут испаряется на стеклянную подложку до тех лор, пока пропускание света в видимой области спектра не уменьшается приблизительно до 60% первоначальной

о

величины. Это соответствует толщине пленки около 50 А

[Л.

203]. Затем

испаряется

серебро. При этом

пропуска­

ние

света падает

до 40%,

что соответствует

толщине

пленки серебра,

 

 

о

равной приблизительно 40 А. Пленка

Ag окисляется

в тлеющем разряде в кислороде.

 

Поскольку

тлеющий разряд не оказывает

заметного

влияния на пленку висмута, а окись серебра практически прозрачна для видимого света, пропускание света после окисления становится таким же, как и до испарения се­

ребра.

 

 

 

На следующем этапе процесса прибор нагревается до

140—170 °С и Bi-Ag2 0 пленка

обрабатывается парами Cs

до

получения максимума фотоэмиссии.

Было сделано

предположение, подтвержденное другими

эксперимента­

ми

[Л. 200], что при этом

протекает

реакция 2ВІ +

+

3Ag2 0—HBi2 03 +6Ag.

 

 

Последующая обработка цезием сопровождается ре­ акцией

Bi2 03 +12Cs—»2Cs3 Bi + 3Cs2 0.

При этом серебро остается в элементарной форме. Таким образом, готовый фотокатод должен состоять пз трех основных составных частей: Cs3 Bi, Cs2 0 и Ag (см. ниже).

2. Bi-Ag-0-Cs. Обработка

в тлеющем

разряде в кис­

лороде, в результате которой большая

часть

или вся

пленка висмута (через Ag2 0)

превращается в Ві 2 0 3 , мо­

жет быть заменена простой

экспозицией

Bi-Ag

пленки

в кислороде. При этом окисляется, по-видимому, только несколько слоев висмута, поскольку происходит лишь небольшое увеличение прозрачности пленки. Специаль­ ные эксперименты показали, что экспозиция в кислороде не окисляет серебра, т. е. кислород диффундирует сквозь пленку серебра и окисляет висмут. Этот процесс благо­ даря исключению тлеющего разряда значительно проще, чем процесс, описанный в предыдущем пункте, и поэтому обычно используется для изготовления Bi-Ag-0-Cs фото­ катодов.

Очевидно, что конечный продукт этого процесса со­ держит значительно меньшее количество Cs2 0, чем фото­ катод, изготовленный с помощью, процесса 1.

3.Ві-0-Ag-Cs. Поскольку при экспозиции в кислоро­ де окисляется только Bi, а не Ag, неудивительно, что эта операция может предшествовать испарению Ag.

4.Ag-Bi-O-Cs. Изменение последовательности испаре­ ния Bi и Ag не оказывает существенного влияния на фо­ точувствительность готового фотокатода.

5.Ag-Bi-Cs-O. При обработке Ag-Bi слоя цезием об­ разуется фотокатод со сравнительно низкой чувствитель­ ностью (см. ниже). Однако при тщательно контролируе­ мой экспозиции в кислороде получается фотокатод с нор­ мальной чувствительностью.

6.Ві-0-Cs-Ag. Если слой Ві после экспозиции в кис­ лороде обработать цезием, образуется фотокатод со сравнительно низкой чувствительностью. Контролируе­ мое испарение серебра на этот фотокатод повышает его чувствительность до значения, соответствующего нор­ мальному Bi-Ag-0-Cs фотокатоду.

7.Bi-Cs-0-Ag и Bi-Cs-Ag-O. Ни один из этих двух процессов не приводит к образованию нормального

Рис. 53. Спектральная ха­ рактеристика квантового выхода Bi-Ag-O-Cs фотока­ тода {Л. 200). Сплошная линия — эксперименталь­ ная кривая. Пунктирная
линия — теоретическая кривая.

Bi-Ag-0-Cs фотокатода. По-видимому, имеет значение, что оба процесса начинаются с образования Cs3 Bi и этим отличаются от всех других процессов.

Химический состав. Как уже упоминалось, готовый фо­ токатод содержит Cs3 Bi, C S 2 O и элементарное серебро. В то время как присутствие Cs3 Bi и Ag подтверждено рентгеноструктурным анализом [Л. 153], не имеется никаких убедительных доказательств того, что окись цезия, образо­ ванная в-результате реакции, представляет собой Cs2 0. Не­ известно также, присутствуют ли в фотокатоде другие окиси цезия или элементарный Cs.

Как уже упоминалось в связи с Ag-0-Cs фотокатодом, не су­ ществует никаких аналитиче­ ских методов, способных отли­ чить различные окиси цезия в столь малых количествах или установить присутствие эле­ ментарного цезия.

В отношении количествен­ ного состава Bi-Ag-0-Cs сле­ дует отметить, что поверхност­

ная плотность Cs3 Bi имеет оптимальную величину (для полупрозрачных фотокатодов), которая может варьиро­ ваться в очень узких пределах. В то же время количе­ ство серебра, определенное из измерений оптического пропускания, может изменяться по крайней мере в 6 раз без заметного влияния на фотоэмиссшо [Л. 200]. Аналогичные изменения допустимы и в отношении количества кислорода и тем самым количества окиси цезия.

Электрические и оптические свойства. Типичная спек­ тральная характеристика квантового выхода фотоэмис­ сии из Bi-Ag-0-Cs фотокатода приведена на рис. 53. Сравнение рис. 52 и 53 показывает, что максимум кван­ тового выхода этого фотокатода в 10 раз выше, чем в случае Cs3 Bi, а длинноволновый порог сдвинут пример­ но на 0,4 эв в сторону фотонов с более низкими энергия­ ми. Для определения порога фотоэмиссии Соммер и Спайсер [Л. 200] использовали тот же метод, что и для

Cs3Sb (см. § 4-9). Таким образом, было получено,

что

(Eg + Ea) = 1,6 эв. Мостовский и др. [Л. 204] привели

зна­

чение порога, равное 1,5 эв, не указав, как была полу­ чена эта величина.

Поскольку фотопроводимость в Bi-Ag-0-Cs фотока­ тодах не наблюдается {Л. 200, 205], измерение порога оптического поглощения — единственный метод определе­ ния ширины запрещенной зоны этого материала. Соммер и Спайсер [Л. 200] нашли, что спектральные харак­ теристики поглощения не отличаются заметно от анало­ гичных характеристик для Cs3 Bi. Отсюда они сделали вывод, что оба материала имеют одинаковую ширину

запрещенной

зоны Eg^.0,7

эв. Это

хорошо

согласуется

со

значением

£^ = 0,6

эв,

полученным Мостовский и др.

[Л.

204].

 

 

 

 

 

 

Исходя из

порога

фотоэмиссии

и ширины

запрещен­

ной зоны, можно сделать вывод, что электронное срод­ ство Bi-Ag-O-Cs фотокатода Еа^0,9 эв.

Мостовский и др. [Л. '205] измерили знак термо-э. д. с. и сделали вывод, что Bi-Ag-O-Cs, так же как Cs3 Bi, яв­ ляется полупроводником /7-типа.

Интерпретация характеристик Bi-Ag-O-Cs. Нет сомне­ ний в том, что соединение Cs3 Bi является основной со­ ставной частью Bi-Ag-O-Cs фотокатода. Это подтверж­

дается

следующими фактами: во-первых, присутствие

Cs3 Bi

было подтверждено рентгёноструктурным анали­

зом; во-вторых, количество Cs3 Bi, необходимое для полу­ чения максимальной чувствительности фотокатода, яв­ ляется критическим. В-третьих, спектральные характери­ стики оптического поглощения Cs3 Bi и Bi-Ag-O-Cs очень

близки. Это указывает на то, что ширина

запрещенной

зоны у этих двух материалов

одинакова.

В-четвертых,

замена Bi другим элементом,

особенно

Sb, приводит

к уменьшению чувствительности. Остается вопрос, каким образом добавление элементарного серебра и окиси це­ зия (причем количество обоих веществ не.является кри­

тическим) приводит к увеличению квантового

выхода

фотоэмиссии и продвижению длинноволновой

границы

Cs3 Bi.

 

Пытаясь ответить на этот вопрос, Соммер и Спайсер [Л. 200] попробовали разделить эффекты, связанные с влиянием серебра и окиси цезия на фотоэмиссионные свойства Cs3 Bi. С этой целью они измерили спектраль­ ные характеристики фотоэмиссии фотокатодов, имеющих

9—10

129