Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Богомолов А.М. Судовая полупроводниковая электроника

.pdf
Скачиваний:
26
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
7.97 Mб
Скачать

точку на входных характеристиках на участок, имею­ щий меньшую кривизну, в результате чего нелинейные искажения уменьшаются. Такой режим работы транзи­ стора, при котором в начальной рабочей точке базовый ток не равен нулю, а имеет небольшое положительное значение, называется режимом класса АВ. В режиме класса АВ коллекторный ток в режиме покоя существен­ но выше неуправляемого коллекторного тока /к. э.о , а на­ пряжение на коллекторе UK.3.0 несколько меньше на­ пряжения коллекторного питания Ек.

Однотактные усилители класса А применяются в основном в каскадах предварительного усиления и вы­ полняют функцию усилителей напряжения. В выходных каскадах усилительных схем применяются двухтактные усилители класса В, класса АВ и, очень редко, класса А. Еще реже применяются двухтактные усилители класса С. В этом режиме усиления в начальной рабочей точке транзисторы усилителя надежно заперты за счет введе­ ния цепи запирающего смещения. Для этого режима ха­ рактерно превышение времени закрытого состояния трио­ дов над временем их токового состояния. Усилители класса С имеют высокий КПД и используются в тех слу­ чаях, когда допустимо значительное искажение сигнала.

§2. Стабилизация рабочей точки усилителя

Врежиме линейного усиления коллекторный переход транзистора смещен в запирающем направлении и через

него протекает незначительный обратный ток / к.0. Этот ток в базовой цепи триода распределяется в соответст­ вии с первым законом Кирхгофа между общим сопро­ тивлением резистивных элементов R6, подключенных к базе транзистора и входным сопротивлением транзи­

стора Д вх (рис. 27, б).

Если внешние сопротивления в базовой цепи отсут­ ствуют, то обратный ток коллектора полностью прохо­ дит в базу транзистора, в результате чего в коллектор­ ной цепи протекает ток:

Лс. э. о = Р 1к. о 1к. о = 11 4" Р) ^к. о

 

Если эмиттерный переход закорочен извне

(R6 = 0Д

то обратный ток коллектора будет отобран

внешней

71

Рис. 27. Нестабильность рабочей точки усилительного каскада на транзисторе:

а

— токи

в усилительной

схеме

при

отсутствии

управляющего

сигнала;

б

— схема

замещения усилителя

при

отсутствии

управляющего

сигнала;

в — влияние неуправляемого тока коллектора на положение рабочей точки

ветвью базовой цепи и в базу тока не поступит.

В этом

случае в коллекторной цепи протекает ток / к.0.

сигнала

 

Таким

образом,

при

отсутствии

входного

коллекторный ток не равен нулю, а имеет некоторую ве­ личину, меняющуюся в зависимости от степени шунти­

рования

входа транзистора от / к.0 до (1 + Р) Д.о.

Этот

ток, который можно назвать неуправляемым то­

ком коллектора / к.э.0, вызывает сдвиг начальной рабо­ чей точки транзистора, или, иными словами, нестабиль­ ность рабочей точки.

Для уменьшения неуправляемого тока коллектора в эмиттерную цепь транзистора вводят добавочный ре­

зистор R3

(рис. 28, а). Введение этого резистора увели­

чивает при

заданной величине R 6 степень шунтирова­

ния входа транзистора.

72

Кратность влияния обратного

тока коллектора /к.0

на неуправляемый коллекторный

ток транзистора Л.э.о

может служить мерой температурной нестабильности каскада.

Эта

величина называется коэффициентом темпера­

турной

нестабильности

и определяется как

 

 

S

= ^ - -

(47)

 

 

* К. О

 

Коэффициент нестабильности 5 можно

определить

так же, как производную коллекторного тока транзисто­ ра по обратному току коллектора:

 

d I K

 

(48)

 

d / к . о

 

 

 

 

 

Для определения коэффициента нестабильности .S

можно по схеме замещения

входной

цепи усилителя

с

добавочным резистором

в

эмиттерной

цепи

(рис. 28, б) определить входной ток усилителя /вх,

най­

ти

коллекторный ток / к = 4 хР + Д.о

и, дифференцируя

Рис. 28. Термостабилизация транзисторного усилителя включением эмиттерного резистора:

а — принципиальная схема термостабилизированного усилителя; б — схе­ мы замещения термостабилизированного усилителя

73

далее по / к.о выражение для коллекторного тока, полу­ чить формулу для 5.

Гораздо проще, однако, в этой схеме замещения не учитывать ток / г, задаваемый ветвью установки рабо­ чей точки, и определять непосредственно неуправляемую

часть

входного

тока /„х.неупр,

как долю

обратного

то­

ка коллектора,

входящую в базовую цепь:

 

 

 

 

1вх. неулр

/к . О G BX

 

 

(49)

 

 

 

GCM

GB

 

 

 

 

Gp, т +

 

 

 

Далее можно найти неуправляемый коллекторный

ток

 

 

Л э.о —- /вх. неупр Р ~\г /к.о

 

 

(50)

 

 

 

 

 

и коэффициент S:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

G

3

 

|_ \

 

 

 

 

 

 

вх ,

 

 

(51)

 

 

 

Gp. т + GCM+ GBX

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Обозначая

Gр. т а

 

как

G6,

учитывая,

что

г _

а

, и

произведя

элементарные

преобразова-

 

i + ?

 

 

 

 

 

 

 

лия, получаем:

 

 

1+ Re

 

 

 

 

 

1+ Я 6

 

 

 

 

 

s =

я .

1+

R*

 

(52)

 

 

1 +

R 6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Кэ

 

( 1 +Р)Яэ

 

 

Из этой формулы видно, что коэффициент нестабиль-

 

 

 

 

 

R(,

 

характеризующе-

ности зависит от соотношения ---- ,

 

 

 

 

 

R э

 

 

 

 

го степень шунтирования входа.

 

 

 

 

Очень малую величину 5, близкую к 1, задавать при

расчете нецелесообразно,

так

как

уменьшение S дости­

гается за счет уменьшения коэффициента усиления кас­

када.

Принято считать величину S равную 4-у7 наиболее оптимальной.

В усилительных схемах с большой величиной коллек­ торного сопротивления RK для температурной стабили­ зации рабочей точки может применяться отрицательная

74

’обратная связь по напряже­

 

 

 

 

нию (рис. 29). В этой схеме

 

 

 

 

сопротивление

R0. с

выбира­

 

 

 

 

ется такой величины, чтобы

 

 

 

 

обеспечить заданное коллек­

 

 

 

 

торное напряжение

рабочей

 

 

 

' Вы ход

точки и к.р.т и,

соответствен­

 

 

 

 

но, коллекторный

ток рабо­

 

 

 

 

чей точки /к .р .т . Пренебрегая

Рис.

29. Стабилизация

рабочей

величиной

/?к,

 

поскольку

в любом случае Ro.c^ R k, и

точки отрицательной

обратной

величиной

падения

напря­

 

связью по напряжению

переходе,

можно

опреде­

жения на базово-эмиттерном

лить величину сопротивления R0. с по формуле:

 

 

 

 

Roc~ U b ! L l l .

 

(53)

 

 

 

 

I К. р. т

 

 

 

Коэффициент

нестабильности

этой схемы не

может

быть малым и обычно бывает не менее 10.

 

Температурная

стабилизация

транзисторного

усили­

тельного каскада

может выполняться

не только путем

уменьшения влияния обратного тока коллектора на кол­ лекторный ток, но и компенсацией обратного тока кол­ лектора с помощью вспомогательного источника тока. Температурный коэффициент этого источника должен быть равен температурному коэффициенту обратного тока коллектора.

Компенсационный элемент можно включать в коллек­ торную цепь полупроводникового триода (рис. 30, а), либо в базовую цепь (рис. 30, б, в). В качестве компен­ сационного элемента применяют транзистор, полупро­ водниковый диод либо термистор (полупроводниковое температурочувствительное сопротивление с отрицатель­ ным температурным коэффициентом). Естественная температурная компенсация выполняется в двухкаскад­ ных усилителях с резистивной межкаскадной связью (рис. 30, г). Для того чтобы двухкаскадный усилитель обладал свойствами температурной компенсации, необхо­ димо, чтобы транзисторы последовательно соединенных каскадов усилительной схемы были включены в следую­ щем сочетании: а) общий эмиттер — общий эмиттер; б) общий эмиттер — общий коллектор; в) общий

75

Рис. 30. Температурная компенсация обратного тока коллектора:

а

— термокомпенсация обратно смещенным диодом в коллекторной цепи;

б

— термокомпенсация терморезистором в цепи смещения; в — термоком-

пенсация обратно смещенным диодом в цепи смещения; г — естественная температурная компенсация в двухкаскадном усилителе с резистивной связью

коллектор — общая база; г) общая база — общий эмит­ тер; д) общая база — общий коллектор.

В двухкаскадных усилителях с резистивной межкас­ кадной связью при других сочетаниях включения тран­ зисторов компенсации обратного тока коллектора не происходит, и даже наоборот, температурная нестабиль­ ность коллекторного тока значительно выше, чем у одно­ каскадного усилителя. Однако двухкаскадные усили­ тельные схемы с перечисленными сочетаниями включе­

76

ния транзисторов теряют свойство термокомпенсации при использовании транзисторов с различным типом проводимости. И наоборот, сочетания схем включения транзисторов, дающие низкую температурную стабиль­ ность при использовании транзисторов различного типа проводимости, становятся термокомпенсированными.

§ 3. Расчет усилительного каскада класса А

Вначале определяется сопротивление коллекторного резистора через требуемый коэффициент усиления по напряжению:

п

Км h\\ э

_

R K=

— ---------

(54)

Необходимо помнить при этом, что максимальное сопротивление RK ограничивается некоторым допусти­ мым паразитным падением напряжения UK. неуПр, разви­ вающимся за счет действия обратного тока коллектора:

А к . м а к с С

( 5 5 )

 

*к. о. макс

 

Далее необходимо задаться величиной падения нап­ ряжения на эмиттерном резисторе Иэ.р.т= т Е к и найти коллекторный ток рабочей точки.

К. р. т —

т Ек

( 5 6 )

 

2RK

По величинам / к . Р.т и £Л>.Р. т определяется сопротивле­ ние эмиттерного резистора:

_

т Е ка

( 5 7 )

3

/

 

- к. р. т

 

Из формулы (52) следует, что

Rs (S -

1)

R 6

( 5 8 )

i — i - i + P

77

Если задаться величиной

Яр.т= щ Я см,

то можно

определить RCMкак

 

 

 

/П| +

1

(59)

 

Яс

 

Выражая

величину U3.p.r = m E K через

параметры

схемы замещения, можно найти коэффициент 1Щ\

т, = А(Р -f 1)(1 — та) — т (S — 1)

(60)

 

тА (р + l)~ m (S— 1)

 

где

м =

 

 

Коэффициент mi используется при определении ве­ личины RCMпо формуле (59) и величины Rp. т = тх R CM.

Входное сопротивление усилителя с учетом влияния цепи входного делителя определяется:

RВХ

Я б ^11э

(61)

 

Яб + ^иэ

Уместно отметить, что в формулах (54) и (61) в це­ лях упрощения не учитывается зависимость входного сопротивления транзистора h n3 от нагрузки выходной цепи.

Это допущение по сравнению с представлением не­ линейного сопротивления h\\3 его фиксированным пас­ портным значением является не столь уж грубым. Кро­ ме того, в данной методике расчета предполагается, что эмиттерный резистор Яэ шунтирован конденсатором большой емкости, благодаря чему сопротивление R3 не влияет на входное сопротивление каскада по переменно­ му току.

§ 4. Частотные особенности многокаскадных низкочастотных усилителей с емкостной связью

Емкости, содержащиеся в схеме усилительного кас­ када (емкость связи, емкость, шунтирующая эмиттерное сопротивление, а также паразитные емкости входной и выходной цепи), влияют на форму амплитудно-частот­ ной и фазово-частотной характеристики усилителя,

78

уменьшая коэффициент усиления на границах частот­ ного диапазона, а также вызывая фазовый сдвиг выход­ ного сигнала, зависящий от частоты.

Однако, поскольку усилители, применяемые в схемах автоматики, в основном низкочастотные, то влиянием паразитных емкостей на верхнюю границу частотного

диапазона

можно пренебречь

и рассматривать толь­

ко влияние

емкости связи и

блокировочной емкости

эмиттерной цепи на нижнюю границу частотного диапазона.

На средних частотах влиянием емкостей также мож­ но пренебречь и считать коэффициент усиления по нап­ ряжению и коэффициент усиления по току зависящим только от величин сопротивлений резистивных элемен­ тов схемы. При всех частотах на коэффициент усиления схемы сильно влияет эквивалентное сопротивление цепи входного делителя R 6. Для повышения коэффициента усиления желательно, чтобы эквивалентное сопротивле­ ние цепи входного делителя было намного больше вход­ ного сопротивления схемы по переменному току:

^вх ~ (1 + Р) г 3 .

При всех частотах коэффициент усиления по току и коэффициент усиления по напряжению схемы зависят прямо пропорционально от коэффициента усилителя транзистора |3. На очень низких частотах на коэффи­ циент усиления сильно влияют частотные свойства ем­ костной цепи связи.

Если задана нижняя частота шн и коэффициент ча­ стотных искажений на этой частоте Мн, то можно найти минимальную величину постоянной времени реостатно­ емкостной связи:

М и

(62)

>

% V \ -

м1

Постоянная времени цепи связи определяется как произведение емкости Ссв на сумму сопротивления ис­ точника сигнала 7?ги эквивалентного входного сопротив­ ления усилителя (рис. 31, а).

R e г э (1 +

Р)

(63)

чв —

 

R e + гэ(1 + £0 .

 

79

Рис. 31.

У си л и тел ьн ы е к а с к а д ы с ем костн ой

связью :

а — о б ы ч н ы й

у с и л и т е л ь н ы й

к а с к а д

с ем костной с в я зь ю ;

б — у с и л и ­

т е л ь н ы й к а с к а д со

схем ой

к о р р ек ц и и н и з к и х ч а сто т

Отсюда минимальную величину емкости связи можно определить как

Ссв>

_________

(64)

£б гэ о

~Ь ft)

 

N il

 

 

с«н У 1 -

 

& б + г э

(I + ft)

 

Если источником сигнала является выходная цепь транзисторного усилителя, то величину Rr можно при­ нять равной сопротивлению коллекторной цепи этого каскада: R r = RK-

Если усилитель низкой частоты с емкостной связью состоит из N однотипных каскадов, то нижняя гранич­ ная частота всего усилителя сон.л’ будет выше граничной частоты о)„ отдельного каскада. При однотипных кас­ кадах допустимо считать, что

гр. N

ин. гр У N .

(65)

Блокировочная емкость в эмиттерной цепи Сэ

также

влияет на частотные свойства усилителя, ограничивая его нижнюю частоту.

Задаваясь коэффициентом частотных искажений М н на некоторой нижней частоте «„ частотного диапа­ зона, можно определить минимальную величину блоки­ ровочной емкости Сэ по следующей формуле:

1 ~г ft

_

М„

( 6 6 )

Rr + #вх

 

»HK i _

 

Ml

80

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ