Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Троицкий О.А. Радиация и прочность твердых тел

.pdf
Скачиваний:
12
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
5.14 Mб
Скачать

другой стороны, легкость движения дислокаций

объяс­

няется еще и тем, что при этом не происходит

перемеще­

ние

масс.

 

 

 

 

 

 

 

Дислокации в кристаллической

решетке

могут дви­

гаться с различными скоростями. Предельная

скорость

движения дислокаций

в твердом

теле — это

скорость

звука, т. е. порядка

105

см/сек.

В последнее

время

появи­

лись

теоретические

работы,

предсказывающие

возмож ­

ность движения дислокаций с более высокими скоростя­

ми, гораздо большими, чем

скорость звука в

твердом

теле. Дислокации

двигаются

со скоростями

порядка

105 см/сек очень редко, например, в случае ударного

нагру-

жения. Большей ж е

частью при обычных методах

реза­

ния, продавливания и волочения металла скорость дви­

жения дислокаций находится в пределах от самых малых

скоростей

10 - 4 Н - 10—3

см/сек до 102 4-103 см/сек.

Опыт

показывает,

что краевые дислокации двигаются

быстрее, чем винтовые. Подвижность дислокаций опреде­

ляется величиной

потенциальных

барьеров,

которые ей

приходится преодолевать

каждый

раз

при перемещении

по решетке. Эти

барьеры

называются

барьерами П а й -

ерлса - Набарро или потенциальным

рельефом

решетки.

Чем выше барьеры Пайерлса - Набарро, тем труднее дви­ гаться дислокации. Область искажений решетки вокруг дислокации в случае высоких барьеров резко сужается. Здесь уместно определить понятие ширины дислокации. Под шириной дислокации понимают расстояние в плос­ кости скольжения и в направлении скольжения, на кото­ ром смещение атомов от вставленной лишней атомной плоскости превышает половину максимального смещения.

Кристаллы

с большими

барьерами П а й е р л с а - Н а б а р р о

характеризуются более

узкими

дислокациями,

чем кри­

сталлы с

малыми барьерами.

Характерным

примером

первых структур являются кристаллы кремния и герма­ ния, а примером вторых — кристаллы большинства ме­ таллов . Чем шире дислокация, тем легче она двигается. Это особенно характерно для гранецентрированных куби­

ческих

и гексагональных

металлических кристаллов.

Еще

одна особенность

в поведении дислокаций в кри­

сталлах

с высокими барьерами Пайерлса - Набарро . Дис ­

локации

в таких кристаллах малоподвижны и стремятся

расположиться вдоль определенных кристаллографиче­ ских направлений. Ч а щ е всего прорыв барьера дислока-

G0

цией происходит в одном каком-нибудь месте, а затем образовавшийся перегиб на линии дислокации путем дви­ ж е н и я его вдоль линии дислокации перетягивает дислока­ цию в новую канавку потенциального'рельефа. По этой причине дислокации, как правило, не лежат в одной ка­ навке потенциального рельефа, а имеют множество пере­ гибов. Боковое'движение перегибов при термической активации требует очень малых напряжений, и такой ме­ ханизм движения дислокаций реализуется для кристал­ лов с высокими барьерами Пайерлса - Набарро, которые имеют узкие дислокации и значительную, зависящую от •температуры компоненту напряжений пластического тече­

ния. Д л я кристаллов плотноупакованиых

металлов

с ши­

рокими легкоподвижными дислокациями

роль барьеров

П а й е р л с а - Н а б а р р о невелика и решающее

значение

при­

обретает взаимодействие дислокаций как между собой,

так и с фонониыми и электронными

возбуждениями в

кристаллической

решетке.

 

 

§ 4. Переползание дислокаций

Переползание

дислокаций

или, как его еще называют,

неконсервативное

движение

возникает

чаще всего, когда

кристалл деформируется медленно, а температурные ус­ ловия таковы, что легко проходит диффузия атомов. При этом чистое скольжение дислокаций, когда они двигаются в строго определенных плоскостях и направлениях (кон­ сервативное движение), почти не происходит. В процессе переползания дислокации край лишней атомной плоско­ сти может удлиниться или, наоборот, укоротиться, и в ре­ зультате краевая дислокация покинет свою плоскость скольжения и переберется в другую. Укорочение или уд­ линение лишней атомной плоскости происходит в про­ цессе диффузии атомов или пустых мест (вакансий) при взаимодействии их с краем лишней атомной плоскости. Ч а щ е всего в этом процессе участвуют вакансии. Приход вакансий к краю лишней плоскости укорачивает ее. Очевидно, диффузия атомов приводит к противополож­

ному эффекту и присоединение дополнительных атомов . удлинит лишнюю атомную плоскость, т. е. переползание дислокации произойдет в противоположную сторону.

Поскольку процесс диффузии атомов и вакансий тре­ бует термической активации, неконсервативное движение

дислокаций или переползание имеет место при средних л высоких температурах, а т а к ж е требует для своего раз­ вития длительное время. В процессе переползания дисло­ каций край лишней атомной плоскости укорачивается или удлиняется неодновременно на весь очередной ряд ато­

 

 

 

мов,

а постепенно, сту­

 

 

 

пеньками. Эти ступень­

 

 

 

ки

называются

порога­

 

 

 

ми. Одна и та ж е дисло­

 

 

 

кация своими порогами

 

 

 

может

 

находиться

 

 

 

одновременно

на

не­

 

 

 

скольких

плоскостях

 

 

 

скольжения. Н а

рис. 1

 

 

 

показан

 

пример

кра­

 

 

 

евой

дислокации

с по­

 

 

 

рогами на разных

плос­

 

 

 

костях

 

скольжения

Р и с .

16. Краевая дислокация с

поро-

О

1 1

2) .

 

 

 

 

гамн,

расположенными в разных

плос-

 

Пороги

на дислока-

 

костях скольжения.

 

ц н я

х

являются

источ­

 

 

 

никами

и местами

сто­

ка вакансий. З а счет движения

порогов

происходит по­

степенное переползание дислокации в другую плоскость, Порог обычно двигается вдоль линии дислокации и по­ степенно перетягивает ее на новую плоскость.

Скорость движения порогов определяется приложен­ ными напряжениями и температурой. Избыточные вакан­ сии при повышении температуры стремятся взаимодей­ ствовать с порогами, что приводит последние в движение.

Переползание дислокаций можно легко проследить на примере так называемых призматических дислокаций, которые образуются, например, при отсутствии в какомто участке решетки куска атомной плоскости. На рис. 17

Рис . 17. Призматическая дислокация.

G2

показана призматическая дислокация. Неконсервативное движение или переползание является единственно воз­ можным способом движения таких дислокации. Д в и ж е ­ ние происходит за счет расширения или сжатия дислока­ ционной петли. Приток вакансий расширяет петлю, а отток, наоборот, ее стягивает.

§ 5. Упругие свойства дислокаций

Вокруг каждой дислокации существует поле упругих напряжений. Это объясняется тем, что лишняя атомная плоскость в случае краевой дислокации сжимает область решетки выше плоскости скольжения и растягивает об­ ласть решетки ниже плоскости скольжения (для положи­ тельной дислокации) .

Вблизи винтовых дислокаций преобладают только сдвиговые компоненты напряжений, а простые растяги­

вающие и сжимающие напряжения отсутствуют.

 

 

Поле напряжений вокруг краевой дислокации

более

сложно. Оно содержит как сдвиговые (касательные

к

ка­

кой-либо плоскости), так и нормальные компоненты

на­

пряжений. Наибольшее нормальное напряжение в

этом

случае действует параллельно вектору Бюргерса,

т. е.

вектору сдвига. Д л я краевой дислокации максимальные сжимающие напряжения действуют непосредственно вы­

ше плоскости скольжения, а максимальные

растягиваю­

щие напряжения — непосредственно ниже

плоскости

скольжения. Это видно из рис. 12, где схематически пока­ зан изгиб атомных плоскостей вблизи линии дислокации выше и ниже плоскости скольжения. Именно в эти места высоких локальных перенапряжений стремятся попасть одиночные блуждающие по решетке атомы или вакансии. Это стремление связано с тем, что попадание точечных дефектов в такие перенапряженные места приводит к снижению энергии системы — происходит ослабление на­ пряжений сжатия (в случае оседания вакансий) или на­ пряжений растяжения (в случае оседания внедренных атомов) .

Центральная область вокруг линии дислокации диа­ метром примерно 5-М OA называется ядром дислокации-. Одним из замечательных свойств ядра дислокации явля­ ется то, что оно образует своеобразные трубки внутри твердого тела, по которым могут легко диффундировать

а т о м ы . В частности, по таким трубкам могут быстро про­ никать внутрь тела атомы поверхностно-активного ве­ щества.

Таким образом, дислокации несут на себе не только функции перемещений сдвигов в решетке и передачи ме­ ханических напряжений, но и являются своеобразными транспортными каналами дл я диффундирующего вещест­ ва в твердом теле. Следовательно, роль дислокаций в а ж ­ на не только д л я механических свойств кристаллов, но

т а к ж е для ряда других физико-химических

свойств

твер­

дого тела.

 

 

 

Упругая энергия

краевой дислокации

больше,

чем

упругая энергия винтовой дислокации. Она

равна

при­

мерно 5- 10~4 эрг/см2

или около 8 эв на кажду ю атомную

плоскость,-пересекающую дислокацию. Эта чрезвычайно •большая величина свидетельствует 6 том, что дислока­ ции не могут возникнуть в результате термических акти­ ваций, которые дают большей частью только доли эв. В я д р е дислокации содержится примерно 10—12% энергии дислокации. Остальную часть упругой энергии поглоща­ ю т упругие поля напряжений вокруг дислокации.

Если бы в кристалле к а ж д а я дислокация несла в себе всю «положенную» ей энергию, не затрачивая часть ее на взаимодействие с соседними дислокациями, то в сильно

деформированной решетке

при

плотности

дислокаций

10и -т-101 2 см~2 накопилось

бы 108 —109 эрг

в

единице

объема кристалла, что могло бы привести к

значитель­

ным тепловыделениям во время

отжига. Этого

на

прак­

тик е не отмечается. Следовательно, в кристаллах,

содер­

ж а щ и х много дислокаций, упругие поля отдельных

дисло­

каций стремятся скомпенсировать друг друга и о б щ а я

запасенная

упругая

энергия в скоплениях

дислокаций

уменьшается .

 

 

 

Упругая энергия дислокаций определяется простой фор­

мулой Е =

aGb-, где а — коэффициент,

равный

0 , 5 — 1,0;

<} — модуль

упругости,

равный ~ 1 0 й

дин/слР;

b — вектор

Бюргерса,

порядка ~

10~8 см.. Отсюда видно, что упругая

энергия дислокаций пропорциональна квадрату вектора Бюргерса . Было замечено, что дислокации охотно всту­ пают друг с другом в реакцию, если в результате возни­ кает новая дислокация с вектором Бюргерса, квадрат которого будет меньше суммы квадратов вектора Б ю р ­ герса двух исходных дислокаций. Это правило квадрата

вектора Бюргерса (правило Франка) позволяет безоши­ бочно определять, возможна ли та или иная дислокаци­ онная реакция.

Комплексы из нескольких дислокации обладают зна­ чительными полями напряжений, поскольку общее поле напряжений комплекса получается суммированием по­ лей напряжении отдельных дислокаций (с некоторой взаимной компенсацией). Протяженность полей напря­ жений комплексов зависит от числа дислокации, величи­ ны их векторов Бюргерса и от взаимной ориентации дислокаций.

§6. Силы, действующие на дислокации

Сдвижением дислокаций связано зарождение и разви­ тие пластической деформации кристаллов. При действии внешних сил на кристалл на каждую индивидуальную дис­ локацию также действует сила, заставляющая ее двигаться вперед. Эта сила определяется как работа, необходимая д л я перемещения единицы дли­ ны дислокации на единич­ ное расстояние. Она равна

F—xb, где т—приложенное внешнее напряжение в b — вектор Бюргерса.

Помимо этого па

дисло­

 

 

 

 

 

 

 

 

кацию

действует

сила

ли­

 

 

 

 

 

 

 

 

нейного натяжения.

Увели­

 

 

 

 

 

 

 

 

чение

длины

дислокации

 

 

 

 

 

 

 

 

связано

 

с

увеличением

 

ее

 

 

 

 

 

 

 

 

упругой

энергии.

Это обус­

 

 

 

 

 

 

 

 

ловливает

наличие

натяже­

 

 

 

 

 

 

 

 

ния линии дислокации. Ли­

 

 

 

 

 

 

 

 

нейное

натяжение

измеря­

 

 

 

 

 

 

 

 

ется в единицах

энергии

на

 

Р и с .

18.

Действие силы

линейного'

единицу

длины,

 

например,

 

натяжения

Т на линию

дислокации.

эрг/см.

На рис. 18

показано

 

 

 

 

 

 

 

 

действие

 

силы

 

линейного натяжения Т на изогнутую

линию дислокации.

Сила

Т

 

стремится выпрямить

 

линию

дислокации и уменьшить

ее

упругую

энергию.

Сила

F

от

внешних

 

сил

 

действует

в

обратную сторону

и

стре­

мится

выгнуть

 

дислокацию.

От

соотношения

этих

сил

зависит, начнет ли дислокация движение или останется

непо-

5-

 

 

 

 

 

 

 

 

65

 

 

 

 

 

 

движнеш. Таким образом, напряжения, обусловленные сила­ ми линейного натяжения, действуют в обратную сторону тем, что возникает от внешних сил. Величина этих сил сопротивления очевидно должна возрастать при увеличении кривизны дислокации, определяемой радиусом /?. Напря­ жения, обусловленные силами линейного натяжения, можно

записать в в и д е ^ . Отсюда видно, что с увеличением кри­

визны дислокации возрастает сопротивление ее перемещению. Дислокации интенсивно взаимодействуют между со­ бой. Это, в частности, приводит к уменьшению запасен­ ных в кристалле упругих искажений решетки. Дислока ­ ции разных знаков ведут себя по отношению друг к другу как электрические заряды . Дислокации одного знака отталкиваются, дислокации противоположных знаков притягиваются. На рис. 14 было показано, как в резуль­ тате встречи двух противоположных дислокаций в одной плоскости скольжения они аннигилируют, и участок кристаллической решетки освобождается от дислокаций. Иная ситуация возникает, если при встрече двух про­ тивоположных дислокаций они оказываются разделен­ ными несколькими атомными плоскостями, параллельны ­ ми их плоскостям скольжения. В этом случае слияние приводит к возникновению участка незаполненной атом­ ной плоскости, эквивалентного скоплению вакансий

(рис. 19)^

Р и с . 19

а, б Взаимодействие краевых

дислокаций

противо­

положных

знаков в разных плоскостях

скольжения

с образо­

ванием

скоплений вакансий (а) и внедренных атомов (б).

Если

ж е дислокации

идут, наоборот, внахлест, то

вместо скопления

вакансий

может

возникнуть

участок

лишней

плоскости

или

скопление

внедренных

атомов

(рис. 19 б ) .

 

 

 

 

 

Сила,

действующая

между дислокациями,

обратно

пропорциональна расстоянию между ними. Теоретические расчеты и эксперимент показывают, что ряд краевых дислокаций одного знака находится в стабильном состоя­ нии, если дислокации выстраиваются вертикально друг под другом.

§7. Взаимодействие дислокаций

Вкаждой плоскости скольжения кристалла двигаются свои дислокации. Пересечение плоскостей скольжения приводит к пересечению дислокаций. Помимо этого в кристалле существует целая система дислокаций, кото­ рые возникли при росте кристалла и остаются практиче­ ски неподвижными в процессе пластической деформации. Пересечение этих дислокаций со скользящими дислока­ циями приводит к торможению последних. Торможение

дислокаций происходит т а к ж е при пересечении скользя­ щих дислокаций, когда они двигаются в разных плоскос­ тях скольжения.

Таким

образом, к а ж д а я

плоскость скольжения кри­

сталла пронизана многими

поперечно

расположенными

дислокациями. Эти дислокации часто

образно называют

«дислокациями леса». Действительно,

возникает

ситуа­

ция, когда

дислокациям в плоскости скольжения

прихо­

дится пробираться сквозь лес других дислокаций, рас­ положенных в плоскостях, перпендикулярных или наклонных к плоскости скольжения.

Если пересекаются две действующие системы сколь­ жения, то плотность «дислокаций леса» в обоих плоскостях резко возрастает. В этом и заключается ме­ ханизм упрочнения кристаллов в процессе пластической деформации. «Дислокации леса» сильно тормозят движе ­ ние скользящих дислокаций и приводят к возрастанию усилий деформации, т. е. к деформационному упрочнению.

Легкость скольжения в том или ином элементе сколь­ жения зависит от способа преодоления движущимися дислокациями препятствий, связанных с «дислокациями леса». Скользящие дислокации должны перерезать «дис-

Р и с . 20. а) Движение скользящей дислокации в плоскости, пересекаемой дислокациями леса.

Ри с . 20- б) Пересечение двух крае­ вых дислокаций с образованием порогов:

1)—до пересечения; 2)—после пересечения.

локации леса» в данной

плоскости

скольжения.

При этом,

естественно,

возникают

пороги на дис­

локациях.

Это показано

на рис. 20. Обычно высо­ та 'порога равна вектору Бюргерса пересеченной дислокации или расстоя­ нию междуатомными плоскостями. Если порог, образованный на краевой

дислокации,

представляет

собой

небольшой

участок

т а к ж е

краевой

дислока­

ции с вектором

Бюргерса

в плоскости

скольжения,

то такой порог не препят­

ствует

скольжению основ­

ной

дислокации

и

сам

скользит

легко

вместе

с

ней. В

 

случае

винтовой

ориентации

порога

 

на

краевой

дислокации,

ког­

да

он

 

т а к ж е

лежит

в

плоскости

скольжения

той

дислокации,

на

кото­

рой

он

образовался,

так-?

ж е

не

возникает

тормо-'

жение

скользящей дисло­

кации.

 

Таким

образом,

краевые дислокации должны легко преодолевать «дисло­ кации леса», т. к. пороги на них не влияют на движение дислокаций.

С порогами на винтовых дислокациях дело обстоит сложнее. Они имеют краевую ориентацию и могут сколь­ зить лишь вдоль оси винтовой дислокации, тогда как вин­ товая дислокация может перемещаться в поперечном направлении. В связи с этим винтовая дислокация оказы­ вается заторможенной. Дальнейшее ее продвижение возможно лишь неконсервативным путем за счет термиче­

ских

активации. Если

ж е

за счет

значительных

напряже­

ний

винтовая дислокация

все

ж е

продолжает

двигаться

консервативно, т. е. в

своей

плоскости скольжения, то

порог оставляет за собой цепочку вакансий или внедрен­

ных а т о м о в —

в зависимости от типа дислокации и

на­

правления сдвига.

 

 

В реальных

условиях дислокации бывают испещрены

порогами, приобретенными при движении

сквозь

«лес

дислокаций». По тем же причинам вокруг

них всегда

на­

ходится рой вакансий или внедренных атомов (если, ко­ нечно, температура достаточно низка, чтобы точечные дефекты могли существовать в решетке самостоятельно). Противоположные пороги на дислокациях стремятся со­ единиться друг с другом и исчезнуть. В результате по истечении некоторого времени после окончания пластиче­ ской деформации к а ж д а я дислокация освобождается от большей части приобретенных порогов, а оставшиеся по­ роги, в основном, однотипны и стремятся расположиться на почтительном расстоянии друг от друга, как родствен­ ники, предпочитающие жить отдельно.

При низких температурах, когда мала роль термиче­ ских активаций и дислокации ие имеют возможности скользить консервативным путем в силу наличия порогов, под действием внешних сил происходит выгиб линий дислокаций между соседними порогами. Как у ж е указы­ валось в разделе, посвященном силам, действующим на дислокацию, при этом начинают противоборствовать си­ лы натяжения дислокации с внешним напряжением. При некотором критическом изгибе линии дислокации про­ изойдет отрыв ее от точки закрепления, в качестве кото­ рой выступает порог, и позади порога будет возникать це­ почка вакансий или внедренных атомов при каждом акте перемещения дислокации. Это видно из схемы, приведен-

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ