Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Троицкий О.А. Радиация и прочность твердых тел

.pdf
Скачиваний:
12
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
5.14 Mб
Скачать

2,66 А

Р и с . 3. Схема атомных столкновении в решетке цинка. Направление неплотной упаковки N—N;

плотной упаковки Лі—М.

ложения равновесия и движется в направление удара до соприкосновения со сферой второго атома. В момент соп­ рикосновения шаров направление импульса резко изменяется, причем новое направление задается прямой, соединяющей точку касания шаров с центром еще не возбужденного ато­ ма. Дальнейшее распространение импульса зависит уже ис­ ключительно от свойств самой цепочки (например, от энер­ гетической выгодности и емкости направления). При боль­ шом межатомном расстоянии вдоль ряда N— N передача быстро расстраивается, поскольку последовательные столк­

новения происходят

под

все

более возрастающим углом

(vx < v a < v 3 < . . . ) .

При

малом

же

межатомном

расстоянии

М — М угол

направления

удара

непрерывно

уменьшается

( v 1 > v 2 > v 3 >

...)

и в

пределе

стремится к нулю.

Таким образом, несмотря на то, что углы первичного удара могут лежать в известном интервале значений (при­ мерно v = 0 -г- 30° от кристаллографического направления) в случае плотной упаковки процесс заканчивается линей-

ным распространением импульса вдоль цепочки атомов. Сле­ довательно, происходит фокусировка импульса вдоль опре­ деленного кристаллографического направления.

Теперь, когда стало понятным происхождение экзо­ тического слова «фокусом», уместно задать вопрос, реа­

лен

ли этот феномен

или он

является

плодом

нашей

фантазии?

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В формировании фокусоиов

принимают

участие

де­

сятки и сотни атомов. Можно было бы

 

надеяться

на

прямое их наблюдение, подобно тому как

наблюдаются

дислокации в кристаллах. Однако на пути

такого

экспе­

римента

стоит

преграда — фокусоны,

о

которых

 

идет

речь, не

стационарны

и обладают весьма

 

малыми

 

вре­

менами

жизни,

порядка

1 0 _ п — Ю - 1 0

сек.

Следователь­

но, искать фокусоны необходимо в кинетических

явле­

ниях, например,

при

диффузии

и упорядочении сплавов,

в

актах

пластической

деформации

кристаллов,

при

внутреннем трении, при распылении, растворении твер­ дых тел и т. д.

Впервые Венер, распыляя монокристаллы Pt, Ag, W, Mo и a — Fe ионами ртути, наблюдал на коллекторе вблизи распыляемого образца осадки в виде симметричных пятен, соответствующих плотным направлениям кристаллической решетки.

Оказалось, что возмущение, вызванное ионной бом­ бардировкой, более эффективно передается вдоль плотноупакованных направлений, т. е. за счет фокусонов. В результате наибольшие импульсы получают поверхност­ ные атомы в плотных рядах и именно они формируют пятна Венера.

Рассмотрим, как фокусирующиеся столкновения мо­ гут конкурировать с каскадным процессом. Если в не­ которых из соударений атомов в ходе каскада направ ­ ления удара приходятся вдоль плотного направлениярешетки, то по этому направлению начнется предпочти­ тельная передача импульса и энергия из «пика смеще­ ния» частично будет потеряна. Если учесть еще то обстоятельство, что плотных направлений в кристалличес­ кой решетке довольно много, а форма «пика смещения» шарообразная или овальная, то таких ручейков, исто­ щающих основной резервуар энергии, будет много. В результате энергия, выделившаяся первоначально в чрезвычайно узкой области решетки, неизбежно расте-

•чется на более далекие расстояния, чем могло бы быть в аморфном твердом теле, где атомы расположены хао­ тично. Очевидно, в этом случае происходит сокращение масштабов катастрофы в твердом теле, вызванной на­ летевшей энергичной частицей или процессом деления •ядра.

Кто часто бывал в горах, вероятно, видел, как рас­ пространяется снежная лавина или камнепад. Встреча­ ющиеся отдельные уступы и скалы могут расчленить и

ослабить лавину, могут

д а ж е

привести к остановке

дви­

ж е н и я массы. Если на

склоне

горы поставить

достаточ­

но прочные высокие

ребра,

тянущиеся в направлении

.движения лавин, то

это

устройство, казалось

бы

долж ­

но облегчить движение лавин. Однако в действительно­ сти оно приведет к противоположному эффекту — пога­ шению скорости лавины. Так и в случае решетки атомов фокусировка столкновений в плотнейших направлениях истощает энергию хаотических соударений в области

«пика смещения» и

сокращает

размеры

катастрофы

в кристаллической

решетке, вызванные

действием об­

лучения.

 

 

 

Любопытно, что

фокусировка

столкновений может

происходить только при относительно небольших энер­

гиях

смещенных

атомов,

порядка

100

эв,

при больших

ж е

энергиях удары моментально

расфокусируются.

Иными словами, ручейки энергии, которые

представляют

•собой

фокусирующиеся

столкновения

не

очень-то энер­

гоемки. Энергия,

которая

может

протекать по

одному

т а к о м у

ручейку,

примерно в тысячу

раз

меньше энер­

гии «пика смешения». Поэтому только

одновременное

действие многих.десятков таких

ручейков

может

замет­

но убавить энергию в основном резервуаре. Поскольку время жизни «пика смещения» равно примерно 100 атомным колебаниям, а время старта одного фокуси­ рующего соударения должно совпадать со временем од­ ного колебания (протяженность одного фокусона здесь не принимается во внимание, поскольку, выпустив из

горячей

зоны порцию энергии, нам безразлично, как

д а л е к о

она уйдет, если рассматривается только истоще­

ние зоны), за время одного «пика смещения» только в одном плотном направлении может в принципе старто­ вать 100 фокусонов. В действительности, в построенную схему истощения зоны смещения надо включить е щ е в е -

роятность возникновения фокусонов в том или ином плотном направлении, которая в атомном масштабе, при­ вязываясь к одному колебанию атома, много меньше единицы. Тем не менее фокусирующие столкновения ре­ ально истощают зоны «пиков смещения» и делают вли­

яние

облучения

более

объемным.

 

 

 

 

Из

предыдущего ясно,

что

фокусирование

атомных-

столкновений в

решетке — весьма

тонкое явление, хотя

оно

играет существенную

роль

в

механизме

радиацион­

ных повреждений. В свою

очередь дефекты,

возникшие

в результате облучения,

т а к ж е

влияют

на

распростра­

нение

фокусирующихся

 

столкновений.

Предположим,

что

в

цепочке

атомов,

расположенных

вдоль

плотной

упаковки граиецентрированноп кубической решетки, от­ сутствует один атом, выбитый незадолго до этого нале­ тевшей частицей. На рис. 4 пустое место показано свет-

Ри с . 4. Распространение фокусона Е цепочке А—At может

быть оставлено в связи с отсутствием атома в центре

грани решетки.

лым кружком . В этом случае, если направление фоку­

сирующихся

столкновений

идет от

А к А ь то атом А

прежде чем

столкнуться с

атомом

At д о л ж е н пройти

сквозь три «линзы» атомов, показанные на рисунке заштрихованными площадями . Теоретические расчеты показывают, что ячейка с тремя такими атомными «линзами» обладает настолько-большим фокусным рас­

стоянием,

что

после ее

прохождения полностью

нару­

шаются

условия фокусировки

столкновений.

Если

т а к а я ячейка

находится

в начале

цепочки атомов, то фо-

кусировка столкновений наблюдаться не будет. Если ж е она расположена внутри цепочки, то в этом месте оста­

новится пробег

фокусона.

 

 

 

 

 

 

 

 

Таким

образом,

порядок

в кристаллической

решетке

отвлекает часть энергии бомбардирующих частиц

на

бесполезные,

с

точки

зрения

выбивания атомов,

 

процес­

сы фокусирования

ударов вдоль плотных

направлении.

Д о л я

этой

бесполезной

работы

возрастает

в

идеальных

участках решетки и, напротив, уменьшается

в

дефект­

ных участках решетки, где нет

условий для распростра­

нения

фокусирующихся

столкновений

на большие

рас­

стояния.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Повышение

температуры

твердого

тела,

так

 

же

как

и его дефектность, уменьшает длину свободного

пробега

фокусонов. В

этом нет ничего

удивительного. Повышение

температуры,

 

как

известно,

уменьшает

анизотропные

свойства

кристаллов

и

приближает

кристаллическое

строение к аморфному. Повышение температуры

 

приво­

дит к увеличению амплитуды колебаний атомов

около

положений

равновесия.

Это

в

свою

очередь

вызывает

нарушение

последовательности

фиксирующихся

 

столк­

новений.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Влияние

кристаллической

решетки

может

проявить­

ся не только в передаче импульса энергии,

что

имеет

место

при

распрострапенни

фокусирующихся

столкно­

вений,

но

и

в

передаче

массы

вещества.

Можно

себе

представить,

что при

распространении

столкновений

по

решетке каждый атом, получивший импульс энергии, становится на место соседнего в направлении удара, а это и есть перемещение массы. Такое явление в физи­ ческой литературе получило название «динамический кроудион». Кроудионы, как это следует из их физичес­ кого содержания, должны распространяться при более высоких энергиях, чем фокусоны, хотя они могут зале ­ гать в одних и тех ж е направлениях. Так ж е как и фо­ кусоны, динамические кроудионы разрушаются при

встрече с несовершенствами структуры, т.

е. в этом слу­

чае

т а к ж е

весьма важно,

чтобы решетка

имела идеаль­

ное

строение.

 

 

 

Однако

вернемся к

фокусирующимся

столкновени­

ям. Наиболее в а ж н ы м вопросом при оценке этого явле­ ния и возможного влияния его на свойства облученного материала, является длина пробега фокусонов. Чем

длиннее пробег фокусонов, тем сильнее должно

сказать­

ся влияние кристаллической решетки. Длина

пробега

фокусонов

зависит от целого ряда энергетических

потерь

во время

распространения его на решетке. Это

в пер­

вую очередь потери энергии на «трение» об соседние атомные ряды. Только под влиянием этих потерь пробег самых энергичных фокусонов ограничивается 150—200

межатомными

расстояниями.

 

 

 

 

Как уже указывалось,

тепловые

колебания решетки

т а к ж е мешают

 

распространению

фокусирующихся

столкновений. В связи с

этим

температура

облучения

кристаллической

решетки

может влиять как на число,

так и на

распределение

дефектов

в каскаде

смещений.

Существует

еще

один

механизм

 

влияния

кристалли­

ческой решетки

на

процесс радиационного

дефектооб-

разования.

В

известной

мере

он

противоположен рас-

столкновений,

 

которые

наблюдаются в

плотнейших

смотренным механизмам фокусирующихся икроудионных направлениях, и связан с наиболее свободными направ­ лениями в решетке, каналами «атомной» пустоты. От­

сюда и название

этого

эффекта «каналирование».

К а ж ­

д а я решетка

содержит, наряду с

плотными

направле ­

ниями,

каналы,

слабо

заполненные

атомами.

Частица

или первично выбитый

атом

могут

оказаться

отражен ­

ными

внутрь

такого канала

и будут двигаться

в нем,

испытывая направляющее влияние стенок канала . Не­ которые атомы могут покинуть канал, а затем вновь вернуться в него или в соседний такой ж е канал . Таким образом, каналирование частиц и выбитых атомов должно носить черты стабильного процесса, поскольку

скользящие

столкновения

внутри канала не расстраи­

вают

каналирование, а, наоборот, способствуют движе­

нию

частицы или

атома

в

определенном направлении.

Атом, попавший в

канал,

может полностью

погасить в

нем

свою

энергию, так и

не приведя к новым смещени­

ям.

Следовательно,

эффект

каналирования

уменьшает

дефектообразование при облучении. Таким образом, мы опять сталкиваемся с таким влиянием кристаллической решетки, при котором упорядоченное расположение атомов отвлекает энергию бомбардирующих частиц и первично смещенных атомов на бесполезные с точки зрения выбивания атомов процессы. Только теперь энергия рассеивается не за счет атомных ручейков им-

пульсов энергии вдоль плотных направлений, а за счет захвата частиц и «горячих» атомов в каналы и сдержи­ вания их там до полной остановки.

Эффект каналирования не в меньшей степени, чем фокусирование влияет на радиационное дефектообразование, а потеря кристалличности или уменьшение иде­ альности решетки т а к ж е уменьшает этот эффект. Дей­ ствительно, легко себе представить, что в испорченных участках решетки, при отсутствии порядка в укладке атомов, в хаосе и нагромождении атомных слоев, каналирование не возникнет. В условиях, когда каналы ока­ зываются загроможденными и искривленными, никако­ го захвата частиц в каналы не приходится ожидать или этот процесс будет настолько скоротечным, что не отра­

зится на

потерях энергии

частицы и

поэтому не сыгра­

ет существенной роли в дефектообразовании.

Если ж е

решетка

имеет правильное

строение,

то эффект

канали­

рования может уменьшить число выбитых атомов, т. к.

захваченные в каналы атомы выбывают из

игры.

Из сказанного

относительно

эффекта

каналирова­

ния ясно, что оно

представляет

собой еще

один меха­

низм переноса энергии на сравнительно большие рас­

стояния,

не сопровождающиеся образованием

смещен­

ных атомов и вакансий. При движении атома

в

канале

он теряет

энергию

на возбуждение

электронов

и на

скользящие соударения об стенки канала .

Наиболее

важным

свойством

каналирования

является

возмож­

ность этого эффекта практически при всех энергиях час­ тиц. Если при фокусирующихся столкновениях эстафет­ ная передача энергии становилась возможной только при энергиях, меньших 100 эв, то энергия каиалированных атомов может быть практически любой, вплоть до мак­

симально возможной энергии,, которая передается

атому

при

первичном

столкновении.

 

 

Основной эффект каналирования — это

увеличение

пробега

атомов

после столкновения. Объясняется это

тем,

что

потери

энергии в системе электронов

для

каиа­

лированных и неканалированных атомов существенно

различны,

так

как плотность

электронов в к а н а л а х

ни­

ж е средней

плотности

электронов по решетке. На процесс

каналирования

могут

влиять

т а к ж е инородные

час­

тицы, такие как примеси. При этом эффект каналиро­ вания будет ослабевать.

§ 5. Простейшие и сложные комплексы дефектов^

образующиеся при облучении

И з предыдущего у ж е стало понятно, что во время облучения кристаллической решетки происходят чрез­

вычайно

сложные

процессы, которые

зачастую

конку­

рируют

между собой. Исход облучения

зависит от многих

факторов — в первую

очередь

от

типа

кристаллической

решетки,

от

типа

частиц,

от

энергии

и интенсивности

облучения, а т а к ж е

от температуры

опыта. На

второе

место можно

поставить

такие

факторы,

как

направ­

ление

облучения

внутри

кристаллической

решетки

и

степень

 

ее

дефектности.

Под

действием

облучения

в

твердом теле возникают самые разнообразные измене­

ния, в зависимости

от

действия перечисленных

факто­

ров. Могут

д а ж е

не

возникать смещения

атомов

и дело

ограничивается

лишь

возбуждением кристаллической

решетки и

системы

свободных электронов

металлах) .

Это случай

чистого

радиационного

нагрева.

Но

могут

т а к ж е произойти

катастрофические

явления,

близкие к

локальным

расплавлениям кристаллической

решетки,

т а к ж е сопровождающиеся сильным радиационным на­ гревом. В промежутке между этими крайними случая­ ми существует целый спектр различных радиационных повреждений —.от одиночных вакансий и внутренних атомов до скоплений радиационных дефектов, приобре­ тающих новые свойства, характерные для ансамблей то­

чечных

дефектов.

 

 

 

 

Простейшими

радиационными дефектами

являются

вакансия и междоузельные или внедренные

атомы. Во

время

облучения

возникают обычно

внедренные

атомы

и вакансии одновременно, поскольку

выбивание

атома

из положения равновесия в решетке сопряжено с тем, что

в этом

месте решетки возникает пустое место или

ва­

кансия.

В силу того, что окружающие атомы имеют

воз­

можность релаксировать

и занять

вакантное место,

а

внедренный атом в свою очередь может начать

движе­

ние по решетке, итог облучения сразу предсказать

труд­

но. В зависимости от температуры

материала

и

типа

кристаллической решетки

часть дефектов может

 

вооб­

ще исчезнуть, аннигилируя на противоположных

по

ти­

пу дефектах, сливаясь с дислокациями или выходя

на

поверхность.

 

 

 

 

 

и/

Д р у г ая часть дефектов может объединиться в скоп­ ления, состоящих из однотипных дефектов. Таким обра­ зом, могут возникнуть скопления вакансии, которые сначала «съедают» часть какой-нибудь плоскости в крис­ таллической решетке, а затем образуют поры внутри твердого тела. В свою очередь внутренние атомы могут т а к ж е объединиться и образовать участки лишней атом­

ной

плоскости. Это искажает решетку, создает

внутрен­

ние

напряжения

и затрудняет

пластическую

деформа­

цию материала.

 

 

 

 

 

Вместе с

тем

процессы

объединения однотипных де­

фектов могут

не

заходить

так

далеко (до образования

пор и внедренных атомных плоскостей), и дело ограни­

чивается

 

скоплением

вакансий

в одних областях

решет­

ки и внедренных

атомов в других. Такие процессы

чаще

всего наблюдаются, если в твердом

теле

существует

неравномерное

распределение

внутренних

напряжений.

В

этом

случае

вакансии стремятся

сконцентрироваться

в

сжатых

областях

решетки,

а внедренные атомы — в

растянутых. Причину этого понять

нетрудно — посколь­

ку

с

вакансиями

связано появление «пустоты» в решет­

ке,

они

стремятся перейти в область,

где имеется

лиш­

ний

материал

и

напряжения

сжатия .

Прибытие

вакансий

в эти

области р а з р я ж а е т

обстановку и

стаби­

лизирует структуру. По аналогичным причинам внед­

ренные

атомы

стремятся в

растянутые области.

Именно

в этих

областях они могут

более

свободно

разместиться

и легко

перемещаться,

поскольку

каждый

внедренный

атом вносит тесноту в решетку и

бесцеремепно

растал­

кивает

своих

соседей,

создавая

локальные

перенапря­

жения

сжатия.

 

 

 

 

 

Теоретики оценили энергию образования и движения

вакансий и внедренных

атомов для плотноупакованных

металлов. Энергия образования вакансии примерно сов­

падает

с энергией

активации ее движения и равна

~ 1 эв.

Что

касается

внедренных атомов, то энергия их

образования

составляет

~ 5 зе,

а энергия активации

движения — всего 0,1

эв.

Расчеты

энергии образования

вакансий и внедренных атомов проводились для случая

теплового возникновения этих дефектов. Из

приведен­

ных

данных видно, что

внедренные атомы

образуются

в пять раз труднее, а двигаются

в десять раз

легче. От­

сюда

вывод — вакансии

должны

встречаться

в решетке

гораздо

чаще, чем

внедренные

атомы. Внедренные

ж е

атомы

с трудом

возникают и быстро исчезают. Во

вре­

мя облучения

вероятности возникновения

внедренных

атомов

и вакансии

примерно

одинаковы,

поскольку . в

каждом элементарном акте столкновения частицы с уз­

лом решетки

возникает внедренный

атом

и

вакансия.

При этом, как указывалось, затрачивается

энергия при­

мерно 25 эв

(в силу динамичности

процесса).

Однако

дальнейшая судьба вакансий и внедренных атомов зави­ сит от скорости передвижения их по решетке.

Приведенные выше теоретические оценки энергии активации перемещения дефектов остаются в силе. Ва­

кансии перемещаются с энергией активации ~

1 эв, а

внедренные

атомы ~ 0,1 эв. Таким образом,

внедрен­

ные атомы

при данном уровне теплового возбуждения

решетки получают возможность первыми начать движе ­

ние и закончить свой путь, объединившись со

своей или

чужой вакансией, либо выйдя на поверхность

образца,

на линию дислокации или в растянутую область

решет­

ки. Практически дело выглядит так. Внедренные

атомы

начинают быстро двигаться, лихорадочно искать

место

в решетке, где избыточная энергия, связанная

с

их

су­

ществованием, могла бы разрядиться. Вакансии

ж е

в

это время остаются на месте или двигаются очень мед­ ленно. В результате часть мечущихся внедренных ато­ мов попадет в свои или чужие вакансии и там успоко­ ится, но большая часть уйдет от вакансий и вообще по­ кинет эту область решетки.

Если бы внедренные атомы и вакансии имели одина­ ковую энергию активации, то результат облучения был бы совсем иной, точнее никакого результата могло бы вообще не быть. Действительно, вообразим себе, что ва­ кансии и внедренные атомы после окончания облучения начинают одинаково интенсивно метаться по решетке.

Вэтом случае почти со стопроцентной вероятностью

можно было бы ожидать, что

каждый

партнер

найдёт

свой или

чужой

антипод и аннигилирует на нем, т. е.

никакого

остаточного

эффекта

не было

бы. Однако в

действительности

это не происходит,

и

основная

причи­

на остаточных явлений

в облученных

материалах зак­

лючается

именно

в разных энергиях

активации

движе ­

ния точечных дефектов. Благодаря этому в облученных материалах при средних и высоких температурах оста-

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ