
Frisk_2
.pdf
Рис.11.25
Для схемы замещения четырехполюсника в системе Y – параметров обратная проводимость активного четырехполюсника, охваченного цепью нейтрализации должна обладать
проводимостью |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Y |
= I1 |
|
= (I |
1y |
+ I |
1н |
)U |
2 |
= Y |
12 |
+Y |
н |
(11.1) |
12н |
U 2 U1 |
= 0 |
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Обратная связь отсутствует, если |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
Y12н |
= Y12 +Y н + = 0, т.е. выполняется условие:Y12 = −Y н |
(11.2) |
Отсюда следует, что цепь нейтрализации должна иметь схему, аналогичную цепи внутренней ОС усилительного прибора. При этом напряжение на входе УП, создаваемое цепью нейтрализации должно быть противофазно напряжению, поступающему по цепи внутренней ОС. Практически, задача создания на входе УП противофазных напряжений, решается включением между выходом и входом УП трансформаторного или автотрансформаторного фазоинвертера.
Существующая частотная зависимость внутренней проводимости обратной связи [1,3] не позволяет осуществлять ее нейтрализацию в широком диапазоне частот.
Наряду с параллельной цепью нейтрализации в узкополосных усилителях промежуточной частоты (УПЧ), например, на биполярных транзисторах (БТ), может применяться также последовательная цепь нейтрализации, обеспечивающая нейтрализацию на одной (обычно резонансной) частоте (рис.11.26).
Рис.11.26
Цепь внешней ОС, состоящей из RнCн, создает на входе усилителя ток, который по величине равен, а по фазе противоположен, создаваемому внутренней ОС.
Большей стабильностью формы АЧХ в схемах усилителей на одном БТ обладают схемы (рис.11.27) при включении БТ по схеме с общей базой (ОБ).
611

Рис.11.27
Коэффициент усиления таких каскадов оказывается меньшим, по сравнению с включением БТ по схеме с ОЭ (рис.11.27), так же меньшим входным сопротивлением и тем, что проводимость внутренней ОС транзистора, обусловленная в основном параметрами коллекторно-базового перехода, подключена через Сб к общей шине (земле). Выходная мощность, создаваемая в коллекторной цепи, оказывается значительно меньшего уровня на базо-эмиттерном промежутке, по сравнению с включением БТ по схеме с ОЭ.
Значительно большее распространение, в том числе и в интегральном исполнении, получило каскодное включение активных элементов, при котором выход одного активного элемента через разделительный конденсатор или гальванически соединяется с входом второго. Среди каскодных схем лучшими показателями обладают включения типа ОЭ-ОБ (рис.11.1) для параллельной и (рис.11.28) последовательной схемы питания транзисторов.
Рис.11.28
Протекание постоянных составляющих токов транзисторов при параллельной схеме питания ничем не отличается от рассмотренных ранее [3, лаб. р-та №1] путей протекания токов в однокаскадных усилителях. Независимое питание транзисторов позволяет использовать источники с пониженным напряжением питания, в отличие от схемы с последовательным питанием каскадов.
При гальванической связи между транзисторами ток эмиттера транзистора VT1 является суммарным током эмиттера транзистора VT2 и базового тока собственного транзистора. Кроме того, если напряжение смещения на транзисторе VT1 обеспечивается с помощью делителя R1 и R2+R3, то для транзистора VT2 роль делителя играет резистор R3 и параллельное соединение резистора R1 и резистора R2, включенное последовательно сопротивление открытого базо-эмиттерного перехода VT1 вместе с сопротивлением резистора Rэ. Выходные цепи каскадов при схеме последовательного питания образуют вместе с источником питания единую последовательную цепь. В результате через оба транзистора протекают практически одинаковые коллекторно-эмиттерные токи, т.е. Iк01 = Iэ02 = Iк02 . Значение токов определяет каскад, выполненный по схеме с ОЭ, на тран-
зисторе VT1. Назначение остальных компонентов схемы соответствует схеме обычного
612



