Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Frisk_2

.pdf
Скачиваний:
217
Добавлен:
27.05.2023
Размер:
18.99 Mб
Скачать

Рис.10.37

Рассчитайте АЧХ двухкаскадного усилителя, охваченного АРУ, коэффициент передачи на резонансной частоте и полосу пропускания усилителя (рис.10.38), установив указанные пределы анализа, и, воспользовавшись встроенным калькулятором.

Рис.10.38

540

Значение резонансного коэффициента усиления двухкаскадного усилителя определяется при активизации пиктограммы (v10.3.25) (Peak). Воспользоваться встроенным

калькулятором можно, нажав пиктограмму (v10.3.51). Введя в подменю значение резонансного коэффициента усиления, вычислим его значение по уровню 0,707. Активизиро-

вав пиктограмму (v10.3.52) (Go To Y) на закладке (v10.3.24) выпадающего подменю (v10.3.53) вводим полученное значение. Затем поочередным нажатием на кнопки (v10.3.54) и (v10.3.55) переводим левый и правый курсор

на указанное значение (v10.3.56).

Полоса пропускания считывается в столбце (v10.3.57) на строке частот в окне результатов.

Результаты моделирования внесите в таблицу 1

 

 

 

С2, мкФ

Таблица 1

К1

П0,7, кГц

К ус

С4, мкФ

I к01 ≈ 1,5 мА

Uкэ01 ≈ 3,9 В

I к01 ≈ 8,7 мА

Uкэ01 ≈ 6 В

4.2.5 Амплитудная характеристика регулируемого усилителя

Для построения амплитудной характеристики усилителя, охваченного системой АРУ, воспользуемся принципиальной схемой (рис.10.39). В качестве источника входного воздействия используем генератор гармонических сигналов, параметры которого приведены

в подменю (v10.3.12) (рис.10.39). Амплитуда входного напряжения выбрана малой величины, а частота сигнала – 465 кГц.

Рис.10.39

541

Моделирование проводится с выводом на экран напряжения на контуре (V(14)) второго каскада и модуля напряжения в узле на базе (V(5)) регулируемого усилителя и выводом установившегося значения напряжения на базе транзистора Q1 на очень малом промежутке времени t = 1 мкс (рис.10.40).

Рис.10.40

Амплитуда напряжения входного сигнала при этом изменялась на порядок, что определя-

лось условиями, заданными в подменю (v10.3.27) (рис.10.41). Находясь в окне схем и последовательно выполнив, Analysis → Transient …→ Transient Analysis Limits → Stepping, перейдем в режим задания условий варьирования амплитуды входного сигнала.

а)

б)

Рис.10.41

С помощью линейки прокрутки в левом окне выбираем варьируемый компонент (V1), а в правом окне, его параметр – амплитуду (А). Установив в левом окне, пределы и шаг изменения амплитуды источника входного сигнала, подтверждаем режим варьирования, нажав

(v10.3.45). Результаты анализа представлены на рис.10.42.

542

Рис.10.42

Установите верхний предел изменения амплитуды генератора (GS) в подменю

(v10.3.27) до 12 мВ (v10.3.58) , сохранив остальные параметра неизменными, повторите моделирование во временной области (рис.10.42). Скорректируйте значения переделов изменения амплитуды сигнала на входе усилителя (Plot 1 и Plot

4 подменю (v10.3.59)), обеспечив вывод на экран монитора весь диапазон изменения амплитуды генератора GS. При этом на экран монитора выводится значение амплитуды напряжения на контуре, без постоянной составляющей,

вблизи

его

максимального

значения

(v10.3.60)

 

 

 

(v10.3.61) .

 

На полученном семействе, используя верхний график, для каждого значения амплитуды напряжения (например, 4.292 мВ на рис.10.42) на входе усилителя (не величины ЭДС источника сигнала GS), используемого в качестве аргумента, определите величину амплитуды напряжения на контуре детектора АРУ (13,824 В) и с помощью программы MathCad или вручную постройте амплитудную характеристику.

Используя аналогичный график (нижний на рис.10.42) постройте характеристику регулирования К (Е р), где Е р – напряжение на выходе детектора АРУ (V(5)) на момент окончания моделирования для выбранного значения амплитуды генератора Т = 5 мс.

Амплитудную характеристику и характеристику регулирования для малого шага моделирования приложите к отчету.

4.2.6 Исследование свойств усилителя с обратной АРУ во временной области при воздействии АМ – сигнала.

Исследование свойств усилителя, охваченного АРУ, во временной области проводится при воздействии на входе усилителя АМ — сигнала. Для этого вначале удалим генератор гармонических колебаний GS. Параметры функционально управляемого генератора бу-

543

дем задавать последовательно выполнив: Component→ Analog Primitives → Function Sources→ NFV войдем в подменю

(v10.3.62) (рис.10.43)

Рис.10.43

Подменю обладает стандартной формой, с присущими ему функциями. Свойства создаваемого сигнала описываются аналитическим выражением, вводимым в строке

(v10.3.13). Нажатие на кнопку (v10.2.17) позволяет получить график АМ-сигнала для частоты модулирующего (1000 Гц) и несущего колебания (465 кГц) и значения глубины модуляции (m=0,8) при амплитуде несущего колебания U = 0,005 В.

Установив генератор Е1 на место генератора GS и, выполнив команды: Analysis → Transient …→ Transient Analysis Limits → Run, проведем анализ свойств резонансного усилителя, охваченного режимной АРУ, для условий, описанных в подменю

(v10.3.63) (рис.10.44)

544

Рис.10.44

Используя форму сигнала на выходе усилителя (V(14)), оцените величину уменьшения глубины модуляции на выходе усилителя по сравнению с входной. Рассчитайте, используя полученные кривые, величину постоянной времени фильтра цепи АРУ для различных значений емкости С5 в цепи фильтра и сравните с результатами предварительного расчета. Полученные сведения занесите в таблицу 2

 

 

 

Таблица 2

Расчет

Эксперимент

I к01 =1,5 мА, Uкэ01 =3,9 В

I к01 = 8,7 мА, Uкэ01 = 6 В

 

С5=10мкФ С5=1 нФ

С5=10мкФ

С5=1 нФ

τ ф, c

m 1

m 2

Ω, рад/с

U, В

Примечание: для получения большей наглядности можно ограничиться выводом лишь одной кривой на экран монитора и изменить масштаб по оси ординат.

4.2.7 Анализ эффективности системы обратной АРУ для оптимального режима усиления

Как видно из рис.10.19 возможен выбор положения исходной рабочей точки с большей величиной Iк01 ≈ 8,7 мА (рис.10.45), обеспечивающей больший коэффициент усиления первого каскада и соответствующей линейному участку крутизны проходной характеристики.

545

Рис.10.45

Напряжение питания в коллекторной цепи составляет Uкэ01 ≈ Uкэ02 = 6 В (рис.10.46).

Рис.10.46

Для выбранного режима транзисторов по постоянному току АЧХ каждого из каскадов имеют вид (рис.10.47). Процедура проведения анализа схемы усилителя в частотной области аналогична, используемой в п.4.2.4.

546

Рис.10.47

Примечание: в случае отличий в величине постоянных токов в рабочей точке (больше чем на 0,1 мА от выбранных значений) или резонансных частот (больше чем на 1 кГц от fпр= 465 кГц) проверьте правильность введенных компонентов и параметров моделей.

Для входного воздействия, определяемого (рис.10.48), и условий анализа (подменю

(v10.3.63)) проведите моделирование двухкаскадного усилителя, охваченного АРУ, и результаты моделирования внесите в таблицу 2, вычислив необходимые значения.

Рис.10.48

547

По результатам моделирования сформулируйте выводы, где отразите эффективность АРУ при больших токах в рабочей точке по сравнению с малыми питающими токами.

Б) Исследование схемы автоматического регулирования усиления изменением глубины отрицательной обратной связи

4.2.1 Сборка принципиальной схемы усилителя с регулированием коэффициента усиления изменением глубины ООС

Описание принципиальной схемы усилителя

Принципиальная схема усилителя, регулирование усиления в котором основано на применении изменяемой глубины отрицательной обратной связи по постоянному току, является фрагментом многофункциональной ИМС К174ХА2 [6]. Эта схема предназначена для работы в радиоприемниках АМ-сигналов второй группы сложности с внешним гетеродином и содержит однокаскадный резисторный дифференциальный усилитель радиосигналов и четыре дифференциальных каскада в тракте ПЧ.

Исследуемая схема (рис.10.49) является прототипом части тракта промежуточной

частоты, что обусловлено ограниченными возможностями программы МС9demo и отсутствием PSpice моделей pnp – биполярных транзисторов и полупроводниковых диодов, применяемых в ИМС.

Примечание: все транзисторы npn проводимости типа K159NT1 [7], а биполярные транзисторы с проводимостью типа pnp КТ3103А1 и диоды KD103A заменяют реальные полупроводниковые компоненты в структуре ИМС.

Рис.10.49

Прямоугольник, ограниченной сплошной линией, содержит часть компонентов принципиальной схемы ИМС К174ХА2 и обладает нумерацией, совпадающей с нумерацией

548

выводов ИМС. Входной сигнал, подключаемый к точкам 12 – 13, подается через делитель R1, R2 (R10,R11) на входы дифференциального усилителя, выполненного на транзисторах K159NT1 [7] Q2, Q3. Через буферные каскады (эмиттерные повторители) на транзисторах Q1, Q4 напряжение поступает на дифференциальный усилитель, выполненный на pnp транзисторах Q5, Q6 типа КТ3103А1. Нагрузкой одного плеча дифференциального каскада на транзисторе Q5 является контур детектора, подключенный к выводу 7. В реальных приемниках диодный детектор одновременно выполняет функцию детектора сигнала и системы АРУ. Через фильтр АРУ (C6, R19) медленно изменяющееся напряжение АРУ поступает (вывод 9) на усилитель постоянного тока, реализованный на транзисторах Q8, Q9

иQ7. Регулирующий усиление сигнал подается с транзистора Q7 на дифференциальный каскад (транзисторы Q2,Q3), усиление которого определяется сопротивлением диодов D1

иD2. Питание ИМС осуществляется (вывод 14) от источника постоянного напряжения – батареи с напряжением 12 В.

Ввод принципиальной схемы усилителя

Перед выполнении п.2.2.1. следует загрузить систему схемотехнического проектирования МС9 и вызвать в главное окно (рис.10.2) принципиальную схему усилителя (рис.10.49), находящегося в файле VАРУос10.CIR.

Для этого необходимо выбрать режим (v10.2.1) основного меню (рис.10.2), в выпадающем окне выбрать файл C:\MC9DEMO\data\VАРУос10.1.CIR, вызвав его в основное окно редактора (рис.10.3).

При отсутствии в списке указанного файла необходимо обратиться к схемному фай-

лу, нажав на пиктограмму

(v10.2.2)

в окне

схем.

В диалоговом окне

(v10.2.3) обратиться к папке

(v10.2.4)

и, открыв ее, отыскать файл

VАРУос.CIR.

 

 

 

 

В окне схем указаны основные команды и вспомогательные пиктограммы, позволяющие “ собирать” принципиальные или эквивалентные схемы устройств, для последующего анализа по постоянному току, во временной или частотной области и др. Возможности системы схемотехнического моделирования МС9, реализованные в МС8, и, подробно описанные в [2], расширены, дополнены примерами анализа аналоговых и цифровых схем и в некоторых случаях применена другая форма представления моделей компонентов. Например, библиотека диодов, транзисторов, ОУ в отличие от МС8 теперь сформирована

в текстовом файле (v10.2.5) в папке(v10.2.6) .

После загрузки файла C:\MC9DEMO\data\VАРУос10.CIR, в центральном окне редактора должна появиться (рис.10.49) принципиальная схема усилителя (если она была ранее записана в эту папку).

Следует убедиться в соответствии параметров компонентов вызванной схемы и, приведенных в описании.

Если полученные методические материалы не содержат дискету с

файлом принци-

пиальной схемы усилителя, то ее следует ввести самостоятельно, выбрав команду

FILE

в меню главного окна (рис.10.2).

 

 

Методика ввода компонентов принципиальной схемы усилителя

(прототип

ИМС

К174ХА2) подробно описаны в разделе 4.2.3 при вводе компонентов схемы двухкаскадного усилителя, охваченного режимной АРУ.

При вводе моделей биполярных транзисторов и диодов необходимо воспользоваться описанием моделей [4]

549

Соседние файлы в предмете Теоретические основы электротехники