Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Мискевич Прямое преобразование ядерной енергии 2011

.pdf
Скачиваний:
9
Добавлен:
12.11.2022
Размер:
4.57 Mб
Скачать

Е, эВ

Межядерное расстояние r, Å

Рис. 2.18. Рекомбинационная энергия молекулярного иона Х2+

Сечения процессов (2.38) и (2.39) увеличиваются с уменьшением относительной кинетической энергии сталкивающихся частиц. При тепловых энергиях большие сечения имеют место для тех уровней иона В+, которые отстоят от основного состояния иона на величину рекомбинационной энергии или меньше ее на 0,1−0,4 эВ. Характерные значения сечений перезарядки для оптимальных условий

– 10-15 см2.

 

б) Ионизация Пеннинга

 

В+ + А + е +

Е;

Аm + В →

(2.40)

(В+)*+ А + е + Е .

Здесь Аm метастабильные атомы буферного газа. Энергия метастабильного атома должна превышать потенциал ионизации атома примесного газа В.

Реакция (2.40) не требует строгого равенства энергий частиц до и после взаимодействия и не налагает больших ограничений на кинетические энергии сталкивающихся частиц, поскольку избыток энергии Е может уносить электрон в виде своей кинетической энергии. Например, при столкновениях (Неm+Cd) ионизация Пен-

71

нинга приводит к заселению как основного состояния иона СdII

( E = 10,8 эВ), так и возбужденных 5s2 2D5/2,3/2 уровней CdII ( E =1,6÷2,2 эВ), причем парциальные сечения возбуждения этих

уровней относятся между собой как статистические веса. Реакция не имеет порога и может происходить при тепловых скоростях частиц. Для реакции Пеннинга выполняется правило Вигнера сохранения в столкновениях полного спинового момента. Например, имеет место следующая реакция:

Не*23S1(↑↑)+Cd5s2 1S0(↑↓)→Не1S0(↑↓)+Cd+*5s2 2D5/2(↑)+ е(↑).

Характерная величина сечения ионизации Пеннинга – 5.10-16 ÷5.10-15см2. Ионизация Пеннинга оказывает заметный вклад в кинетику заселения уровней только при умеренных давлениях буферного газа ≤ 1−2 атм (для Не), так как при высоких давлениях преобладают реакции столкновительной ассоциации (2.30).

в) Удары второго рода с атомами примесного газа

 

А*(m) + В ↔ В*(n) + A ± Е.

(2.41)

Сечение этой реакции при тепловых скоростях зависит от дефекта энергии Е резонансным образом: при Е = 0 сечение максимально и достигает величин ~ 10-14см2, а при Е порядка нескольких kT оно уменьшается в 10 и более раз. Зависимость сечения от температуры газа: σ ~ Т-1. Для этого процесса выполняется правило Вигнера сохранения суммарного спинового момента до и после столкновения.

Реакция (2.41) может идти в прямом и обратном направлениях, что способствует эффективному перемешиванию и выравниванию заселенностей близко расположенных уровней в плазме. При этом термодинамическое равновесие устанавливается между теми уровнями, которые имеют дефект энергии Е ~ нескольких kT и не более 0,5 эВ. Если заселенности уровней атомов А* и В* не находятся в термодинамическом равновесии, то в зависимости от выполнения неравенства

С = ехр( Е/kT) . N2 . N3 . g2. g3 / N1.N4. g1. g4 > = < 1 (2.42)

72

происходит передача энергии от атомов А* атомам В (когда С < 1) или от атомов В* атомам А , когда С > 1. Случай, когда С = 1, соответствует термодинамическому равновесию.

г) Ион-ионная рекомбинация

При столкновениях некоторых атомов (F, Cl, Br, I, H, O и др.) с электронами могут образовываться устойчивые отрицательные ионы. Этот процесс сопровождается выделением энергии, поскольку энергия устойчивого отрицательного иона меньше, чем энергия исходного атома. Энергия связи избыточного электрона называется энергией сродства атома к электрону. Если газовая смесь содержит такие электроотрицательные газы (О2 , SF6 , UF6 и т.д.) в виде лазирующего газа или вредной примеси, то может происходить процесс нейтрализации зарядов положительных и отрицательных ионов:

А+ + В- → А* + В + Е;

(2.43)

А+ + В- → А + В* +

Е.

Выделяющаяся энергия рекомбинации затрачивается на возбуждение одной из частиц, а также переходит в кинетическую энергию их разлета. При высоких плотностях газа реакция протекает при тройных столкновениях через образование промежуточной мо-

лекулы

А+ + В-+ А → (АВ)* → А*+ В + А + Е ;

(2.44)

А+ + В-+ А → (АВ)* → А + В* + А + Е.

Реакция (2.44) является основным каналом образования эксимерных молекул на основе галогенидов инертных газов.

Сечение этой реакции очень велико – σ = 10-12 ÷10-13 см2, когда разность энергий Е между состояниями ионов А+ и В- около 1 эВ. Выделяющаяся в реакции (2.44) энергия

[ А* + В ] – [ A+ + (B)];

Е =

[А + В*] – [ A+ + (B)].

73

Здесь В+ − потенциал ионизации атома В; (B) сродство к электрону атома В; А* , В* − энергии возбуждения атомов А и В.

2.4. Методика расчета параметров ядерно-возбуждаемой плазмы

2.4.1. Активная среда Ar –Xe лазера с ядерной накачкой [5]

Общая характеристика Лазер работает на переходах 5d6p атома ХеI c длинами волн 1,73 мкм, 2,026 мкм , 2,65 мкм. Буферный газ – Аr с высоким потенциалом ионизации и возбуждения, Хе – лазирующий газ с более низким потенциалом ионизации и возбуждения. Для генерации на длине волны 1,73 мкм оптимальный состав активной среды Ar:Xe = 380:1, суммарное давление – 0,5 атм. При накачке продуктами деления ядер 235U коэффициент преобразования ядерной энергии в лазерное излучение составляет ~ 2,5 % .

При ядерной накачке полное число возможных плазмохимических реакций в Ar–Xe смеси может превышать несколько сотен. Однако для удовлетворительного описания работы Ar–Xe лазера достаточно включить в плазмохимическую модель только те реакции, которые имеют при данных конкретных условиях накачки наивысшие скорости.

Заселение верхнего 5d [3/2]1o XeI уровня происходит в ходе плазмохимических реакций (1–11, 18) (табл. 2.2).

Скорости реакций R рассчитываются по формуле: R = k . [X] – для двухчастичных реакций и R = k . [X] . [Y] – для трехчастичных. Здесь [X] и [Y]- концентрации нейтральных компонент активной среды или электронов, участвующих в реакциях. Цифры, указанные в третьей колонке табл. 2.2, получены для следующих усло-

вий: состав Ar:Xe = 100:1, концентрации [Ar] = 1,35.1019 см-3,

[Xe] = 1,35.1017 см-3, ne = 2.1010 см-3,

температура Te = 103

К, Tg =

= 300 K. Реакции (12–17) участвуют в релаксации нижних

возбуж-

денных состояний атомов Ar и Хе . Генерация лазерного излучения на переходах 5d [3/2]1o – 6р [5/2, 3/2, 1/2] происходит за счет процесса (21).

74

Таблица 2.2 Основные плазмохимические реакции, скорости реакций (с-1)

и константы скоростей реакций (см3/c, cм6/c, с) для ArXe активной среды ЛЯН

 

 

Коэффициенты

Скорость

 

 

и константы

реакции,

Плазмохимическая реакция

скоростей

с-1

 

 

реакций,

 

 

 

см6/с. см3/с, с

 

1

Ar+ + 2Ar → Ar2+ + Ar

k1=2,5.10-31

4,55.107

2

Ar2++ Xe → Xe+ + 2Ar

k2=1,2.10-9

1,62.108

3

Ar2+ + e → Ar* + Ar

k3=3,9 10-5Тe0,6

7,62.103

4

Xe+ + Xe + Ar → Хе2+ + Ar

k4=2,0.10-31

3,64.105

5

Ar* + Xe → Xe* + Ar

k5=6,8.10-10

9,18.107

6

Xe2+ + e → Xe* + Xe

k6=8,1.10-5.Te0,5

2,56.104

7

Xe+ + 2Ar → ArXe+ + Ar

k7=1,0.10-31

1,82.107

8

Ar2++ Xe → ArXe+ + Ar

k8=2,0.10-10

2,7..107

9

ArXe+ + Xe → Xe2+ + Ar

k9=7,0.10-10

9,45.107

10

ArXe+ + Ar → Xe+ +2Ar

k10=5,0.10-11

6,75.108

11

ArXe+ + e → Xe* + Ar

k11=1,7.105.Te0,5

1,07 .104

12

Ar*(3P1) + 2Ar → Ar2*( 1Σu+ ) + Ar

k12=1,5.10-33

 

13

Ar*(3P2) + 2Ar → Ar2*( 3 Σu+ ) + Ar

k13=1,3.10-32

 

14

Ar2*( 1Σu+ ) →2Ar + hν (126 нм )

k14 = 4,2 .10-9

 

15

Ar2*( 3Σu+ ) →2Ar + hν

k15 =2,22.10-6

 

16

Xe2*(1Σu+)→2Xe+hν(172нм)

k16 = 5,5 .10-9

 

17

Xe2*(3Σu+)→2Xe+hν

k17 =10-7

 

18

Ar2* + Xe → Xe* + 2 Ar

k18 =3.10-10

 

19

Xe*(3P2) + Xe + Ar → Xe2* + Ar

k19 =2.10-32

 

20

Xe*(3P2) + Ar → Xe + Ar

k20 =4.10-16

 

21

Хе* → Хе**+ hν (1,73;2,026;2,6мкм)

k21=(0,32,4).106

 

22

Хе**→Хе(3Р2) + hν (0,904; 916 мкм)

k22

 

23

Xe* + Xe → тушение

k23

 

24

Xe* + Ar → тушение

k24

 

Для расчета параметров плазмы используют систему дифференциальных уравнений, описывающих баланс скоростей образования и распада отдельных компонент плазмы – ионов Ar+, Ar2+, Xe+, Xe2+, ArXe+, молекул Ar2*, Xe2*, возбужденных атомов Ar*, Xe* (Хе* обозначает возбужденные состояния конфигурации 5p55d XeI). В некоторых моделях количество учитываемых плазмо-

75

химических реакций достигает нескольких сотен. Мы будем использовать упрощенную модель, основанную на реакциях табл. 2.2:

d[Ar+] /dt = f+ - k1.[ Ar+].[Ar]2;

(2.45)

d[Ar*] /dt=f*+k3.[Ar2+].nek5.[Ar*].[Xe]– k13. [Ar]2.[Ar*];

(2.46)

d[Ar2+] /dt=k1.[Ar+].[Ar]2 – k2.[Ar2+].[Xe] – k3.[Ar2+].ne

 

– k8.[Ar2+].[Xe];

(2.47)

d[Ar2*] /dt=k13.[Ar*].[Ar]2 – k14.[Ar2*]– k15.[Ar2*]

 

– k15.[Ar2*].[Xe] – k18.[ Ar2*].[Xe];

(2.48)

d[Xe+]/dt=k2.[Ar2+].[Xe] – k4.[Xe+].[Xe].[Ar]

 

– k7.[Xe+].[Ar]2;

(2.49)

d[Xe2+]/dt= k4.[Xe+].[Xe].[Ar] +k9.[ArXe+].[Xe]

 

– k6 . [Xe2+].ne;

(2.50)

d[ArXe+] /dt=k7.[Ar]2.[Xe+]+k8.[Ar2+].[Xe] – k9.[ArXe+].[Xe]

– k10.[ArXe+].[Ar]– k11.[ArXe+].ne;

(2.51)

d[Xe*] /dt = k11 .[ArXe+].ne + k6.[Xe2+].ne +

 

+k18.[Ar2*].[Xe] – k21.[Xe*]– k20.[Ar].[Xe*]– k19.[Ar].[Xe].[Xe*];

(2.52)

d[Xe2*] /dt = k19.[Ar].[Xe].[Xe*]– k16.[Хе2*]– k17.[Хе2*];

(2.53)

ne =[Ar+] + [Ar2+] + [Xe+] +.[Xe2+].

(2.54)

Уравнение (2.54) описывает условие квазинейтральности плазмы. Кинетические уравнения(2.45)–(2.54) должны быть дополнены уравнением баланса энергии электронов Для смеси ArXe уравнение баланса энергии электронов учитывает следующие процессы: а) ионизацию газа, в результате которой со скоростью f+ = q / wi возникают подпороговые электроны с энергией Е1 = 0,31.I = 4,88 эВ (здесь q – удельный энерговклад в газ; wi=1,7.I – средняя энергия

образования иона буферного газа); б) неупругие соударения электронов с молекулярными ионами

Ar2+, которые могут передать электронам максимальную энергию Е2= 1 эВ (глубина потенциальной ямы молекулы Ar2+);

в) упругие соударения электронов с атомами аргона, в результате которых происходят охлаждение и термализация электронов;

76

г) из-за низкой степени ионизации газа (~ 10-7) электрон-ионные столкновения не рассматриваются.

Уравнение баланса энергии электронов имеет вид

d(3/2kTe. ne ) /dt = f+.Е1 +k1.[Ar+].[Ar]2.Е2

δa .νea .ne .3/2 . k(Te -T). (2.55)

Здесь δa = 2me/MAr - доля энергии, теряемая электроном при упругом соударении с атомом Ar; νea = 4/3. [Ar].σe.(8kTeme)0,5 – эффек-

тивная частота соударений электрона с атомами Ar; σe = = 9,9.10-16 .exp(-40.Ee) + 1,7.10-16.Ee – сечение упругого рассеяния

электронов на атомах Ar; Ее= 3/2kTe энергия электронов. Характерное время процесса ядерной накачки – от 50 мкс до

10 мс и более. Оно значительно превышает характерные времена установления равновесия в плазме. Поэтому в уравнениях (2.45)– (2.55) можно положить все производные по времени равными нулю. Типичные результаты расчетов приведены на рис. 2.19.

Рис. 2.19. Зависимости параметров плазмы от парциального давления Xe

для смеси Ar–Xe [5]:

1 ne; 2 – [Xe+]; 3 – [Xe2+]; 4 – [ArXe+]; 5 – [Ar+]; 6 – [Ar2+]; 7 Te.

77

Зная эти параметры плазмы, можно рассчитать основные характеристики лазера. Например, населенности верхних (N2) и нижних (N1) рабочих уровней лазера определяются из решения системы уравнений, учитывающих основные процессы заселения и дезактивации лазерных уровней:

d[N2] /dt = k11.[ArXe+] + k6.[Xe2+] – k21.[N2] –

k23.[Xe].[N2] – k24.[Ar].[N2];

d[N1] /dt = k21.[N2] – k23.[Xe] .[N1] – k24.[Ar] .[N1] – k22.[N1].

Здесь [N1] и [N2] означают концентрацию возбужденных атомов Хе на нижнем и верхнeм рабочем уровне.

В квазистационарном случае производные равны нулю и задача сводится к решению системы алгебраических уравнений.

2.4.2. Активная среда НеCd лазера с ядерной накачкой [50]

Общая характеристика. Парометаллический Не–Сd лазер работает на переходах иона CdII (λ = 441,6 , 533,7, 537,8 нм) и атома Сd I (λ = 1,4мкм, 1,6мкм).

Буферный газ – гелий при давлении 0,5–5,0 атм, давление паров кадмия зависит от температуры активного элемента и обычно составляет 0,1–1,0 Торр, что соответствует рабочим температурам 300–500°С. КПД лазера на синей линии 441,6 нм составил 0,5 % .

Основные кинетические процессы в 3Не–Cd смеси, возбуждаемой продуктами 3Не(n,p)3T ядерной реакции, приведены в табл. 2.3. На основе выбранных плазмохимических реакций составляются уравнения баланса усредненных по возбужденным состояниям компонент Не-Сd плазмы – концентраций атомов и молекул Не, Сd, Неm, Не2*, Cd*, Cdm, Cd2*, Cd3*, ионов и молекулярных ионов Не+, Не2+, Сd+, Cd2+, концентрации и температуры электронов ne и Те

С учетом уравнений сохранения заряда и баланса энергии электронов система уравнений для Не-Сd среды имеет вид:

d[He+] /dt= f+k3.[He+].[He]2k4.[He+].[Cd];

(2.56)

d[Hem] /dt = f*k6.[Hem].[Cd] – k2.[Hem].[He]2k7.[Hem].[Cdm]

(2.57)

d[He2+] /dt= k3.[He+].[He]2k5.[He2+].[Cd]

(2.58)

d[Cd+] /dt = k4.[He+].[Cd] + k5.[He2+].[Cd] + k6.[Hem].[Cd] + k7.[Hem].[Cdm] – k8.[Cd+].[He].[Cd]– k13.[Cd+].ne2

78

k18.[Cd+].[He].ne

(2.59)

d[Cd*] /dt= k9.[Cd2+].ne+ k13.[Cd+].ne2+ k18.[Cd+].[He].ne

k10.[Cd+].[He].[Cd]– k12.[Cd*].nek11.[Cd*].[Cd]2

k7.[Hem].[Cdm]

(2.60)

d[Cd2+] /dt= k8.[Cd+].[He].[Cd]–k9.[Cd2+].ne;

(2.61)

d[Cd2*] /dt = k10.[Cd*].[He].[Cd] + k11.[Cd*].[Cd]2 A16

. [Cd2*] –

k14..[Cd2*].[He].[Cd]–k17.[Cd2*].ne;

(2.62)

d[Cd3*] /dt= k14.[Cd2*].[He].[Cd] – A15 . [Cd3*];

(2.63)

ne= [He+] + [He2+] + [Cd+] + [Cd2+];

(2.64)

d/dt (3/2. kTe.ne) = f+.E1 + k3 .[He+].[He]2 .E2 + k7 .[Hem].[Cdm].E3 +

+ k6.[Hem].[Cd].E4 – δea.ne.3/2.k(Te–T).

(2.65)

Здесь Те – температуры электронов и газа, К; k

постоянная

Больцмана, эВ.град-1; Е1 = 0,31.I = 7,62 эВ – энергия надтепловых

электронов; Е2 = 2,4 эВ – глубина потенциальной ямы молекулы

Не2+; Е3 , Е4 – энергия пеннинговских электронов, образующихся в

реакциях 6, 7;

δea= 2me/M = 2,74.10-4 – доля энергии электрона, те-

ряемая при

упругом

соударении с атомом

Не; νea =

= 4/3 [Не].σe.(8kTe /πme)0,5

– эффективная частота соударений элек-

трона с атомами Не, с-1;

σe – сечение упругих столкновений элек-

трона с атомами Не, см2.

 

 

Для Не–Сd

смеси систему уравнений(2.56)–(2.65)

можно ре-

шать в квазистационарном приближении, полагая все производные равными нулю, что непосредственно вытекает из большой продолжительности процессов ядерной накачки, во много раз превышаю-

щей характерные времена атомных процессов. Результаты расчетов для [He] = 2,69.1019 -3, f + = 3.1018см-3-1 как функции концентра-

ции паров кадмия в смеси, приводятся на рис. 2.20. Зная эти концентрации компонент плазмы, можно рассчитать спектры люминесценции и определить заселенность отдельных уровней. Для этого для каждого уровня, начиная с самого верхнего, который может возбуждаться при данной схеме накачке, необходимо составить уравнение баланса частиц с учетом всех процессов заселения и очистки данного уровня. Например, заселенности самого верхнего

6g 2G9/2 уровня CdII (N1) (переход 6g 2G9/2 4f 2F7/2, λ = 636 нм) и

нижнего 4f 2F7/2 CdII (N2) будут:

79

[N1]={к4.[He+].[Cd]+к7.[Hem].[Cdm]}/{A1+k8.[He].[Cd] +k13.ne2+ + k18.[He].nе;

[N2]={[N1].A1 + к5.[He2+].[Cd] + к7.[Hem].[Cdm]} /{ A2 + k8.[He].[Cd]+ + k13.ne2 + k18.[He ].

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 2.3

 

 

 

 

 

 

 

 

Основные кинетические процессы в 3НеCd смеси,

 

 

 

 

 

 

 

возбуждаемой продуктами 3Не(n,p)3T ядерной реакции

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Коэффициенты и константы

 

 

Плазмохимическая реакция

скоростей реакций,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

см6/с. см3/с, с, с-1

1.

Не+ (р/T)Не+ + (р/T) +e

 

w=E/N(Не+)=1,7.I=42,5 эВ

 

Не + (р/T)Не* + (р/T)

 

N(He*)=0,53 .N(He+) см-3

 

 

E1=0,31.I =7,6 эВ

 

 

Не + е

 

 

Не++ 2е

 

 

 

 

 

 

 

Не + е

 

 

Не*+ е

 

k2 = 3. 1033.ехр (-780/T)

2.

 

 

 

 

 

 

 

 

*

+Не

 

k3 =7,2.10-30.(T)-0,75

 

Не*+2Не Не2

 

.

 

-10

 

 

3.

Не++2Не Не2++Не

 

k4=7,24 10

 

 

 

 

k5=2,6.10-9

 

 

 

 

+

 

 

 

 

 

+

 

 

 

k6 =1,0.10-9

 

 

4.

He

 

+ Cd (Cd )*+He

 

k7 =3,0.10-9

 

 

5.

He2+ + Cd (Cd+)*+ 2He

 

k8 =8,0.10-30

 

 

 

 

 

 

3

S)

 

+ Cd

 

+

 

k9 =10-6 .(300/T). (300/Те)0,7

6.

Нe(2

 

 

(Cd )*+He+ е

k10=3,0.10-31

 

 

7. He(23S) +Cd*(5 3P)(Cd+)*+He+ e

k11=3,0.10-32

 

 

 

Cd+ + Cd +He Cd2+ + He

.

-8

 

 

8.

k12=5,0.10-20 .

(300/Tе)

4,5

 

Cd2+

 

 

 

 

 

 

 

k13=6,8 10

 

 

 

9.

+

e

 

Cd* + Cd

k14=9,8.10-31

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

*

 

A15=2,0.103

 

 

10. Cd*(5

 

P) + Cd +HeCd2

+ He

A16=5.104

 

 

 

 

11. Cd*(53P) + Cd +CdCd2* + Cd

A17=1,0.10-6

 

 

12. Cd* (5

3

P) + e Cd + e

 

k18=1,7.10-21.(Te)-2,5

 

 

 

k19= 4,0 .10-7

 

 

13. Cd+ + 2e Cd* + e

 

k19обр= 1,2 .10-7

 

14.Cd2 + Cd + He Cd3* +He

15.Cd3* 3Cd + hv (645 nm)

16.Cd2* 2Cd + hv (480 nm)

80

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]