Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Маслов Введение в физику ноноструктур 2011

.pdf
Скачиваний:
19
Добавлен:
12.11.2022
Размер:
1.98 Mб
Скачать

довольно существенно (в 10 и более раз) отличаться от нее в ту или иную сторону.

Периодические граничные условия Ψk (x)= Ψk (x + L) приводят

к тому, что величина k может принимать не любые значения (как в бесконечном пространстве – < x < +), а лишь дискретные: kn = 2πnL, где n = 0; ±1; ±2; … – целые числа. Соответственно, энергетический спектр свободного электрона имеет вид:

εn

= ε(kn ) = =2kn2

/ 2m = (=2 / 2m)(2π/ L)2 n2 .

Заметим, что

k = kn+1 kn

= 2π L 0 и Δεn = εn+1 −εn 0 при

L → ∞, то есть в макроскопической системе энергетический спектр

является, по существу, не дискретным, а квазинепрерывным. Тем не менее (в отличие от непрерывного спектра) можно “пересчитать” электронные состояния (и количество электронов в них), что часто бывает удобно.

Рассмотрим систему, в которой имеется макроскопическое число электронов Nel >> 1. При нулевой температуре полная энергия всей системы должна иметь минимальную возможную величину (основное состояние). Так будет, если электроны занимают уровни с энергией ε(k) ==2k2 / 2m ≤εF , где εF ==2kF2 / 2m – энергия Ферми, kF – волновой вектор Ферми. Все состояния с kF k kF при

этом заняты, а состояния с k > kF – свободны. С учетом того, что в

состоянии с данным k могут находиться два электрона (со спином “вверх” и “вниз”), получим для полного числа электронов:

Nel = 2 . Характеристики макроскопической системы не чувст-

|k|kF

вительны к виду граничных условий, поэтому выберем их периодическими. При этом “расстояние” k = 2πL между соседними значениями k очень мало, то есть энергетический спектр является квазинепрерывным, и можно перейти от суммы по kn = 2πnL к

 

 

k

 

2π

 

интегралу по k:

Nel = kF

2

dk

=

L

kF

2dk. Концентрация электро-

 

 

 

 

kF

 

 

 

 

kF

 

нов n = Nel L = 2kF π. Величина kF

монотонно увеличивается с

 

 

 

 

11

 

 

ростом n, так как при увеличении числа электронов заполняются состояния с большей энергией, см. рис. 2.1.

kF

0

n

Рис. 2.1. Зависимость концентрации электронов n в одномерном свободном электронном газе от волнового вектора Ферми kF

 

Поверхностью

Ферми называется множество точек в

kG

-пространстве,

удовлетворяющих условию ε(kG)= εF , где εF

энергия Ферми. При T = 0 все состояния с ε(kG)≤ εF заняты элек-

тронами, а состояния с ε(kG)>εF свободны. В одномерном слу-

чаеkG = keGx и ε(kG)==2k2 / 2m , поэтому “поверхность” Ферми представляет собой две точки: k = kF и k = −kF , см. рис. 2.2.

Рис. 2.2. При T = 0 электроны в одномерном свободном электронном газе занимают состояния с проекцией волнового вектора kF k kF на ось x

12

Плотностью электронных состояний g(ε) называется отношение числа состояний в “физически малом” интервале энергий [ε; ε+dε] к величине этого интервала dε. Для электрона с заданной проекцией спина “плотность состояний на спин” равна g (ε) = δ(ε −εn ),

n

где δ(x) – дельта-функция, n – набор квантовых чисел (исключая спиновое квантовое число), εn – собственные значения энергии электрона, которые находятся из решения уравнения Шредингера для рассматриваемой системы. Для одномерного электронного газа квантовым числом n можно считать проекцию k волнового вектора

на ось x. При этом εn (k) ==2k2 / 2m. Переходя от суммы по n к интегралу по k, получим:

 

m

 

1/2

1/2

 

g (ε)= L

 

 

 

 

ε

 

θ(ε),

2

=

2

 

 

2π

 

 

 

 

 

где θ(ε) – тета-функция: θ(ε)= 1 при ε > 0 и θ(ε)= 0 при ε < 0.

Плотность состояний расходится корневым образом при ε → 0 и монотонно уменьшается с ростом ε, см. рис. 2.3 (напомним, что для свободных электронов в трехмерном пространстве g (ε)~ ε1/2θ(ε)).

g(ε)

0

ε

Рис. 2.3. Плотность электронных состояний одномерного свободного электронного газа с законом дисперсии ε(k) = =2k2 / 2m

13

Так как мы считали потенциальную энергию электронов равной

нулю, то ε(k) ==2k2 / 2m 0.

 

Если же U(x)=Ec – отличная от нуля

константа, то ε(k) = Ec

+=2k2 / 2m Ec .

Плотность состояний при

этом равна:

 

 

 

 

 

 

 

g (ε)= L

 

m

 

1/ 2

(ε − E )1/2 θ(ε− E ),

 

2

 

2

 

 

=

c

c

 

 

2π

 

 

 

 

см. рис. 2.4.

g(ε)

0 Ec

ε

Рис. 2.4. Плотность электронных состояний одномерного свободного электронного газа с законом дисперсии ε(k) = Ec +=2k2 / 2m

Используем плотность состояний для расчета зависимости концентрации электронов n от волнового вектора Ферми kF. Поскольку 1) по определению плотности состояний, величина g(ε)dε равна числу состояний электрона с одной проекцией спина в интервале энергий [ε; ε+dε] и 2) при T = 0 электроны занимают все состояния

с энергией ε(k )≤ εF , причем в каждом состоянии, в соответствии с

принципом Паули, находятся два электрона (со спином “вверх” и

εF

“вниз”), то полное число электронов в системе Nel = 2 g(ε)dε.

−∞

Область энергий ε < 0 не дает вклада в интеграл, так как g(ε) = 0

14

при ε < 0. Вычисляя интеграл, получим n = Nel/L = 2kF/π, как и вы-

ше. Полная энергия всей системы электронов при T = 0 (энергия

 

 

ε

εg(ε)dε = 1

 

 

 

 

основного состояния) равна E0

= 2 F

εF Nel , тогда как в

 

 

−∞

 

 

3

 

 

 

 

трехмерном свободном электронном газе E =

3 ε

F

N

el

.

 

 

 

 

0

5

 

 

При T 0 среднее число электронов с одной проекцией спина в

состоянии с энергией ε равно:

 

ε−μ +1 1

 

 

 

 

 

f (ε,T ) = exp

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

kBT

 

 

 

 

 

 

где f (ε,T ) – функция распределения Ферми–Дирака (см. рис. 2.5),

μ – химический потенциал.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f(ε,T)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

εF

 

 

ε

 

Рис. 2.5. Функция распределения Ферми-Дирака

f (ε,T ) при T = 0 (сплошная

линия) и kBT = μ 10 (пунктирная линия)

 

 

 

Число электронов в состояниях с энергиями, принадлежащими интервалу [ε; ε + dε], равно удвоенному (с учетом спина) произведению f (ε,T ) на число состояний g(ε)dε в этом интервале. Следо-

вательно, полное число электронов Nel = 2

f (ε,T )g(ε)dε. Это со-

 

−∞

15

 

отношение неявно определяет μ как функцию T. В отличие от случая T = 0, верхний предел интегрирования равен бесконечности, так как при T 0 электроны могут с конечной вероятностью f (ε,T ) занимать энергетические уровни с ε > εF. Вычисление

интеграла дает

 

 

 

π

2

 

kBT

2

μ(T ) ≈ εF

1

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12

 

εF

 

 

 

 

 

 

при kBT << εF , см. рис. 2.6. Так как обычно εF ~ 1 эВ, то неравенство kBT << εF справедливо даже при T ~ 1000 К. Заметим, что μ уве-

личивается с ростом T – в отличие от свободного трехмерного электронного газа.

μ

εF

 

 

 

 

0

kBT

εF

Рис. 2.6. Температурная зависимость химического потенциала μ одномерного свободного электронного газа при kBT << εF

Полную энергию E одномерного свободного электронного газа при T 0 можно найти, заметив, что энергия электронов в состояниях из интервала [ε; ε + dε] равна произведению ε на число элек-

16

тронов 2 f (ε,T )g (ε)dε во всех этих состояниях. Тогда

E(T ) = 2 εg(ε) f (ε,T )dε, и мы получим:

−∞

E(T ) E0 1+ π42 kεBFT 2 .

Зависимость E(T) приведена на рис. 2.7.

E

E0

0 kBT

εF

Рис. 2.7. Температурная зависимость полной энергии E одномерного свободного электронного газа при kBT << εF

17

3. Свободный двумерный электронный газ. Плотность состояний. Энергия Ферми. Химический потенциал. Полная энергия

Электронные свойства ряда двумерных наноструктур (например, квантовых ям) можно качественно (а иногда и количественно) описать в рамках модели свободного двумерного электронного газа. Будем считать, что двумерная наноструктура имеет форму квадрата с размерами L ×L (здесь L – макроскопический размер), а ее толщина равна нулю. Электроны занимают область 0 < x, y < L, причем их потенциальная энергия в этой области U(x,y) = 0, то есть они являются свободными. Решение уравнения Шредингера

 

=

2

 

2

Ψ(x2 , y)

 

2

Ψ(x2 , y)

 

 

 

 

+

 

= εΨ(x, y)

 

 

 

 

 

2m

 

x

 

 

y

 

 

имеет вид (с учетом нормировки квадрата модуля волновой функции на единицу):

 

G

1

GG

G

=2kG2

 

=2 (kx2 + ky2 )

 

ΨG

(ρ) = L

exp(ikρ); ε(k) =

 

=

 

,

2m

2m

k

 

 

 

 

 

 

где ρG = xeGx + yeGy

 

 

 

 

 

– двумерный радиус-вектор, k = kxeGx + ky eGy – дву-

мерный волновой вектор электрона (он является “квантовым числом”, определяющим вид волновой функции и закона дисперсии), m – эффективная масса электрона.

Периодические граничные условия по обоим направлениям,

ΨG

(x, y) = ΨG

(x + L, y) = ΨG

(x, y + L) , приводят к дискретности

k

k

k

 

компонент волнового вектора kx = 2πn1/L, ky = 2πn2/L, где n1 и n2

целые числаG . ЭнергетическийG спектр является квазинепрерывным:

εn1n2 = ε(k) = =2k2 / 2m = (=2 / 2m)(2π/ L)2 (n12 + n22 ). Заметим, что для другого вида граничных условий (например, периодических по оси x и антипериодических по оси y) допустимые значения волнового вектора и энергии будут другими, но их плотность (в обратном и энергетическом пространстве, соответственно) останется такой же.

Если в системе имеется макроскопическое число электронов

Nel >>1, то при нулевой температуре они занимают состояния с

G G

энергией ε(k) ==2k2 / 2m ≤εF , где εF ==2k F2 /2m – энергия Ферми, 18

kFG – волновой вектор Ферми.

При этом заняты все состояния с

| k |kF , а состояния с | k |> kF

свободны. Поверхность Ферми, оп-

ределяемая условием ε(k) F

(то есть | k |= kF ), имеет вид окруж-

ности с радиусом kF, см. рис. 3.1. В двумерной системе поверхность Ферми называют обычно контуром Ферми.

ky

kF

0 kx

Рис. 3.1. При T = 0 электроны в двумерном свободном электронном газе занимают состояния с волновым вектором kG kF

С учетом того, что в состоянии с данным k могут находиться два электрона (со спином “вверх” и “вниз”), получим для полного числа электронов:

Nel = G

 

 

2 =

∫∫

dk

x

 

dky

2

=

L2

 

 

∫∫ dkx dky 2,

 

)

k k

(2π)

2

G

k

,k

(|k|k

F

G

 

 

 

 

 

x

y

 

 

|k|kF

 

 

 

 

 

 

 

 

|k|kF

где k = 2π/L. Переходя в полярные координаты и вычисляя интеграл, имеем для концентрации электронов: n = Nel L2 = kF2 2π. Как

и в одномерном свободном электронном газе, концентрация электронов увеличивается с ростом kF, но по другому закону, см. рис. 3.2.

19

kF

0

n

Рис. 3.2. Зависимость концентрации электронов n в двумерном свободном электронном газе от волнового вектора Ферми kF

Для плотности электронных состояний g(ε) двумерного свобод-

ного электронного газа получим:

=2kG2

 

 

 

 

g(ε) = δ(ε −εn ) = δ(ε −

2

m

 

 

 

) = L

 

 

θ(ε),

2m

2π=

2

n

kG

 

 

 

см. рис. 3.3.

g(ε)

 

0

ε

Рис. 3.3. Плотность электронных состояний двумерного свободного электронного газа с законом дисперсии ε(kG) = =2kG2 / 2m

20

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]