- •Ведение
- •1. Элементы биполярных интегральных схем
- •1.1.Биполярный полупроводниковый транзистор
- •1.1.1. Теория p-n-перехода в условиях равновесия
- •1.1.3. Вольт-амперная характеристика р - n-перехода
- •1.1.4. Качественный анализ работы биполярного транзистора
- •1.1.5. Статические характеристики транзистора в схеме с об
- •1.1.6. Статические характеристики в схеме с оэ
- •1.1.7. Статические параметры транзисторов
- •1.1.8. Биполярный транзистор как четырехполюсник
- •1.1.9. Особенности дрейфовых транзисторов
- •1.2. Интегральные резисторы
- •2. Полевые транзисторы на основе структур металл — диэлектрик –полупроводник (мдп)
- •2.1. Устройство мдп транзистора
- •2.2. Качественный анализ работы мдп транзистора
- •2.3. Уравнение для вольт-амперных характеристик мдп транзистора
- •Модуляция длины канала
- •Эффект подложки
- •Пробой в мдп транзисторах
- •2.4. Характеристики мдп транзистора
- •2.5. Статические параметры мдп транзистора Крутизна вольт-амперной характеристики
- •Внутреннее, или динамическое, сопротивление
- •Сопротивление затвора
- •2.6. Частотные свойства мдп транзистора
- •3. Соединения и контактные площадки
- •4. Базовые схемы логических элементов на биполярных и полевых транзисторах
- •5. Разработка топологии ис
- •6. Разработка фотошаблонов для производства имс
- •7. Технологический процесс
- •7.1. Эпитаксия кремния
- •Эпитаксия из газовой фазы
- •Легирование при эпитаксии
- •7.2. Формирование диэлектрических слоев
- •Маскирующие свойства слоев диоксида кремния
- •Термическое окисление кремния
- •Плазмохимическое окисление кремния
- •Покрытия из нитрида кремния
- •7.3. Диффузионное легирование в планарной технологии
- •7.4. Ионное легирование
- •7.5. Литографические процессы
- •7.6. Металлические слои
- •Методы распыления в вакууме
- •7.7. Основные этапы технологического цикла (Пример)
- •6. Разработка профильной схемы технологического маршрута имс.
- •7. Заключение.
- •8. Список цитируемой литературы.
- •Календарный план
- •Реферат
- •Примерный перечень тем курсовых проектов
- •Библиографический список
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
2. Полевые транзисторы на основе структур металл — диэлектрик –полупроводник (мдп)
Полевыми (униполярными) транзисторами называются полупроводниковые приборы, работа которых основана на управлении размерами токопроводящей области (канала) посредством изменения напряженности поперечного электрического поля. Проводимость канала в таких приборах определяется основными носителями заряда. В настоящее время известны две разновидности полевых транзисторов: транзисторы с управляющими р—n-переходами и транзисторы структурой металл — диэлектрик—полупроводник (МДП).
2.1. Устройство мдп транзистора
На рис. 2.1 схематически показано устройство МДП транзистора с каналом р-типа. В подложке из кремния п-типа путем диффузии создаются две сильнолегированные р-области. Одна из этих областей, от которой начинают движение, основные носители в канале, называется истоком; другая область, к которой движутся основные носители, называется стоком. На поверхности кремния между стоком и истоком расположен тонкий слой диэлектрика нанесенного тем или иным технологическим способом. Эта область называется затвором и является управляющим электродом. МДП транзистор часто называют транзистором с изолированным затвором.
В качестве диэлектрика в МДП транзисторе используют SiO2, Аl2O3, TiO2 и другие материалы. Однако наибольшее применение нашла двуокись кремния SiO2. МДП транзистор с диэлектриком из SiO2 исходной полупроводниковой пластины называется МОП транзистором (металл — окисел — полупроводник).
МДП транзисторы делятся на два вида: транзисторы с встроенными каналами и транзисторы с индуцированными каналами (рис. 2.2). В транзисторах со встроенными каналами канал между стоком и истоком создается технологическим путем. В транзисторах с индуцированными каналами канал наводится (индуцируется) под действием управляющего напряжения. Транзисторы с встроенными каналами могут работать в режимах обогащения и обеднения канала основными носителями, а транзисторы с индуцированными каналами работают только в режиме обогащения.
Рис. 2.1. Устройство МДП транзистора с каналом р-типа и изолированным затвором.
По типу проводимости каналов различают МДП транзисторы с каналами п- и р-типов. Исходный полупроводниковый материал, на котором изготавливается транзистор, называется подложкой. В отличие от биполярных транзисторов в полевых транзисторах ток в канале переносится основными носителями. Входное сопротивление полевых транзисторов превосходит входное сопротивление биполярных транзисторов и для МДП транзистора составляет 1010 —1014 Ом. Так как входные токи полевых транзисторов малы, то управление изменением тока в выходной цепи осуществляется входным напряжением. Усилительные свойства полевого транзистора характеризуются крутизной. Крутизна полевых транзисторов для большинства практических применений может считаться частотно-независимым параметром. Поэтому быстродействие электронных схем на полевых транзисторах ограничено в основном паразитными параметрами схемы.
Рис. 2.2. Типовые структуры полевых транзисторов: а) МДП транзистор с индуцированным каналом; б) МДП транзистор с встроенным каналом: Д — диэлектрик; М — металл; П — полупроводник