Библиографический список

1. Курносов А.И. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / А.И. Курносов, В.В. Юдин. М.: Высш. шк., 1986.

2. Ефимов И.Е. Микроэлектроника. учеб. пособие для вузов/ И.Е.Ефимов, И.Я.Козырь, Ю.И. Горбунов. М.: Высш. шк. 1986. 464 с.

3. Пичугин И.Г. Технология полупроводниковых приборов/ И.Г. Пичугин, Ю.М. Таиров. М.: Высш. шк., 1984.

4. Чистяков Ю.Д. Физико-химические основы технологии микроэлектроники/ Ю.Д. Чистяков, Ю.П. Райнова. М.: Металлургия, 1979.

5. Черняев В.Н. Физико-химические основы технологии РЭА/ В.Н. Черняев. М.: Высш. шк., 1987.

6. Парфенов С.Д. Технология микросхем/ С.Д.Парфенов. М.: Высш. шк., 1986.

7. Коледов Л.А. Технология и конструирование микросхем, микропроцессоров и микросборок/ Л.А. Коледов. М.: Радио и связь, 1989.

8. Технология СБИС/ под ред. С. Зи М.: Мир. 1983

9. Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы/ В.В. Пасынков, Л.К.Чиркин. °М.: Высшая школа, 1987.

10. Кремневые планарные транзисторы/ под ред. Я.А. Федотова М.: Сов. Радио. 1973, 335 с.

11. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров/ В.Н. Черняев М.: Радио и связь, 1987.

12. Плазменная технология в производстве СБИС/ под ред. П. Айнспурка, Д. Брауна, пер. с англ. под ред. Е.С. Машковой. М.: Мир, 1987.

13. Риссел Х. Ионная имплантация/ Х. Риссел, И. Руге, пер с нем. под ред. М.И. Гусева. М.: Наука, 1983.

14. Валиев К.А. Физические основы субмикронной литографии/ К.А. Валиев, А.В. Раков. М.: Радио и связь, 1985.

15. Тилл У. Интегральные схемы. Материалы. Приборы. Изготовление./ У. Тилл, Дж. Лаксон, пер. с англ. под ред. М.В. Гальперина. М.: Мир, 1988.

16. Сугано Т. Введение в микроэлектронику/ Т. Сугано, Т. Икомо, Е. Такзиси. М.: МИР, 1989.

17. Березин А.С. Технология и конструирование интегральных микросхем/ А.С. Березин, О.Р. Мочалкина. М.: Радио и связь, 1992.

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ 3

1. ЭЛЕМЕНТЫ БИПОЛЯРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ 6

1.1. Биполярный полупроводниковый транзистор 6

1.1.1. Теория p-n-перехода в условиях равновеси 6

1.1.2. p-n-переход в неравновесных условиях 10

1.1.3. Вольт-амперная характеристика р - n-перехода 12

1.1.4. Качественный анализ работы биполярного транзистора 14

1.1.5. Статические характеристики транзистора в схеме с ОБ 17

1.1.6. Статические характеристики в схеме с ОЭ 19

1.1.7. Статические параметры транзисторов 22

1.1.8. Биполярный транзистор как четырехполюсник. 24

1.1.9. Особенности дрейфовых транзисторов 25

1.2. Интегральные резисторы 27

2. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ СТРУКТУР

МЕТАЛЛ — ДИЭЛЕКТРИК – ПОЛУПРОВОДНИК (МДП) 31

2.1. Устройство МДП транзистора 31

2.2. Качественный анализ работы МДП транзистора 33

2.3. Уравнение для вольт-амперных характеристик

МДП транзистора 39

2.4. Характеристики МДП транзистора 46

2.5. Статические параметры МДП транзистора 48

2.6. Частотные свойства МДП транзистора 49

3. СОЕДИНЕНИЯ И КОНТАКТНЫЕ ПЛОЩАДКИ 50

4. БАЗОВЫЕ СХЕМЫ ЛОГИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ НА БИПОЛЯРНЫХ

И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ 52

5. РАЗРАБОТКА ТОПОЛОГИИ ИМС 60

6. РАЗРАБОТКА ФОТОШАБЛОНОВ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ИС 71

7. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС 80

7.1 Эпитаксия кремния 81

7.2 Формирование диэлектрических слоев 85

7.3 Диффузионное легирование в планарной технологии 93

7.4 Ионное легирование 98

7.5 Литографические процессы 100

7.6 Металлические слои 103

7.7. Основные этапы технологического цикла (пример) 106

8. СТРУКТУРА И СОДЕРЖАНИЕ КУРСОВОГО ПРОЕКТА 111

ЗАКЛЮЧЕНИЕ 113

ПРИЛОЖЕНИЕ 1 114

ПРИЛОЖЕНИЕ 2 118

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 120

Учебное издание

Коротков Леонид Николаевич

Сысоев Олег Иванович

МИКРОЭЛЕКТРОНИКА:

КУРСОВОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ

В авторской редакции

Компьютерный набор Л.Н. Короткова

Подписано к изданию 18.11.2011.

Объем данных 2,1 МБ

ФГБОУВПО "Воронежский государственный технический

университет"