- •1. Электронные приборы как нелинейные сопротивления.
- •2. Характеристики газоразрядных (ионных) приборов.
- •3. Неоновая лампа, стабилитрон.
- •4. Тиратрон тлеющего разряда, тиратрон с накаленным катодом.
- •Тиратроны с накаливаемым катодом
- •5. Характеристики фотоэлектронных приборов.
- •6. Фотоэлементы.
- •7. Фоторезисторы.
- •8. Фотодиоды.
- •9. Нелинейные сопротивления на р-n переходах. Туннельный диод.
- •10. Обращенный диод, варикап.
- •11. Фототранзистор.
- •12. Тиристоры.
- •13. Нелинейные активные сопротивления, управляемые магнитным полем.
- •14. Эффект Холла.
- •15. Варисторы. Их вольт-амперные характеристики.
- •16. Терморезисторы и их вольт-амперные характеристики.
- •17. Свойства термисторов, их вольт-амперные характеристики.
- •18. Позисторы.
- •19. Электрическая дуга.
- •20. Нелинейные индуктивности и емкости.
- •21. Устройства на нелинейных индуктивностях.
- •22. Магнитный усилитель мощности
- •23. Характеристики ферромагнитных материалов.
- •24. Магнитомягкие и магнитотвердые материалы.
- •25. Потери, обусловленные гистерезисом и вихревыми токами.
- •26. Динамические петли гистерезиса.
- •27. Нелинейные конденсаторы – вариконды.
- •28. Антисегнетодиэлектрики.
- •29. Аппроксимация характеристик для мгновенных значений. Кусочно – линейная аппроксимация.
- •30. Аналитическая аппроксимация. Полиномиальная аппроксимация
- •31. Аппроксимация гистерезисной кривой.
- •32. Формирование нелинейных двухполюсников с заданными вах. Типичные нелинейности механических систем. Воспроизведение нелинейных зависимостей при использовании метода структурных моделей.
- •33. Формирование двухполюсников с заданными вах при использовании диодов и источников опорного напряжения.
- •34. Реализация вогнутых монотонных вах.
- •35. Реализация выпуклых монотонных вах.
- •36. Характеристики двухполюсников с туннельными диодами.
- •37. Встречные соединения двух туннельных диодов одинаковых с одинаковыми вах.
- •38. Многоступенчатые вах для средних за полпериода значений токов и напряжений.
- •39. Синтез нелинейных элементов с помощью новых схемных элементов. Свойства мутатора. Реализация мутаторов и их применения.
- •40. Синтез нелинейных элементов с помощью новых схемных элементов. Свойства и реализация скалоров. Некоторые применения нового элемента.
- •41. Синтез нелинейных элементов с помощью новых схемных элементов. Свойства и реализация рефлекторов и их применения.
- •42. Синтез нелинейных элементов с помощью новых схемных элементов. Свойства и реализация ротаторов и их применения.
- •43. Отрицательные дифференциальные параметры цепей. Причины образования отрицательных сопротивлений.
- •44. Методы получения отрицательных индуктивностей и емкостей.
- •45. Вах, вебер-амперные и кулон-вольтные характеристики s- и n-типов.
- •46. Возникновение падающих участков на характеристиках.
- •47. Двухполюсник с отрицательным входным сопротивлением.
- •48. Основы теории устойчивости. Виды устойчивости.
- •49. Исследование устойчивости в малом.
- •50. Исследование устойчивости в большом.
- •51. Исследование устойчивости по Ляпунову.
- •52. Фазовая плоскость, фазовые траектории.
13. Нелинейные активные сопротивления, управляемые магнитным полем.
Статической характеристикой сопротивления служит его ампервольтная характеристика i=f(u) (рис. 9.4).
Рис. 9.4. Статическая характеристика нелинейного активного сопротивления
Статическим параметром элемента являются:
статическая проводимость ,
статическое сопротивление ; .
Дифференциальный параметр или крутизна нелинейного сопротивления
.
Дифференциальное сопротивление
.
Крутизна может быть названа дифференциальной проводимостью. Как статическая так и дифференциальная проводимость является функциями приложенного напряжения (тока). В тех случаях, когда сопротивление питается заданным током удобно пользоваться характеристикой
u=f(i).
На практике широко применяются многие виды нелинейных резисторов, основанных на разных физических принципах и по разному конструктивно оформлены, их можно классифицировать по различным признакам.
По виду характеристик, сопротивления разделяются на симметричные и несимметричные. Примером симметричного нелинейного сопротивления может служить варистор (рис. 9.5.).
Рис. 9.5. Статическая характеристика варистора
В несимметричном активном элементе i(u)¹-i(-u) (рис. 9.4). Примером могут служить диоды.
Электрически управляемыми называются такие нелинейные активные элементы, ток через которые является функцией нескольких напряжений (или токов) называемых управляющими.
i=f(uГ,uy....iy),
где uГ - напряжение, приложенное к входным зажимам сопротивления, uy... iy - управляющие напряжения и токи.
Электронные лампы и транзисторы могут рассматриваться как управляемые нелинейные резисторы. Управляемые сопротивления должны описываться семейством характеристик. В связи с этим приходится пользоваться и семейством параметров, при определении которых в качестве независимой переменной (воздействия) принимают то или иное управляющие напряжение (ток). Например, для транзистора включенного по схеме ОЭ (рис. 9.6.) и характеризуемого системой g-параметров пользуются дифференциальными проводимостями.
Рис. 9.6. Транзистор, включенный по схеме ОЭ
при uК=const,
при uБ=const,
при uК=const,
при uБ=const.
Если вольтамперная характеристика нелинейного активного элемента имеет участок с отрицательной крутизной, то говорят, что элемент обладает отрицательным сопротивлением.
Большинство нелинейных активных элементов (в частности те, о которых шла речь выше) можно считать практически безинерционными.
К инерционным элементам может быть отнесен теристор.
14. Эффект Холла.
Эффект Холла, возникновение электродвижущей силы поперек проводника или полупроводника с током помещенного в магнитное поле, перпендикулярное проводнику. Электродвижущая сила возникает под углом в 90 к обоим направлениям: тока и магнитного поля. Эффект Холла - один из важнейших в группе гальваномагнитных явлений. Суть эффекта состоит в следующем: при протекании активного электрического тока через образец, к которому приложено магнитное поле, направленное перпендикулярно току (или имеющее такую составляющую), в образце возникает электрическое поле (ЭДС Холла), направленное перпендикулярно и току, и магнитному полю. Величина ЭДС Холла пропорциональна произведению тока и напряженности магнитного поля и зависит от свойств вещества, обычно учитываемых так называемой "постоянной Холла"