- •1. Электронные приборы как нелинейные сопротивления.
- •2. Характеристики газоразрядных (ионных) приборов.
- •3. Неоновая лампа, стабилитрон.
- •4. Тиратрон тлеющего разряда, тиратрон с накаленным катодом.
- •Тиратроны с накаливаемым катодом
- •5. Характеристики фотоэлектронных приборов.
- •6. Фотоэлементы.
- •7. Фоторезисторы.
- •8. Фотодиоды.
- •9. Нелинейные сопротивления на р-n переходах. Туннельный диод.
- •10. Обращенный диод, варикап.
- •11. Фототранзистор.
- •12. Тиристоры.
- •13. Нелинейные активные сопротивления, управляемые магнитным полем.
- •14. Эффект Холла.
- •15. Варисторы. Их вольт-амперные характеристики.
- •16. Терморезисторы и их вольт-амперные характеристики.
- •17. Свойства термисторов, их вольт-амперные характеристики.
- •18. Позисторы.
- •19. Электрическая дуга.
- •20. Нелинейные индуктивности и емкости.
- •21. Устройства на нелинейных индуктивностях.
- •22. Магнитный усилитель мощности
- •23. Характеристики ферромагнитных материалов.
- •24. Магнитомягкие и магнитотвердые материалы.
- •25. Потери, обусловленные гистерезисом и вихревыми токами.
- •26. Динамические петли гистерезиса.
- •27. Нелинейные конденсаторы – вариконды.
- •28. Антисегнетодиэлектрики.
- •29. Аппроксимация характеристик для мгновенных значений. Кусочно – линейная аппроксимация.
- •30. Аналитическая аппроксимация. Полиномиальная аппроксимация
- •31. Аппроксимация гистерезисной кривой.
- •32. Формирование нелинейных двухполюсников с заданными вах. Типичные нелинейности механических систем. Воспроизведение нелинейных зависимостей при использовании метода структурных моделей.
- •33. Формирование двухполюсников с заданными вах при использовании диодов и источников опорного напряжения.
- •34. Реализация вогнутых монотонных вах.
- •35. Реализация выпуклых монотонных вах.
- •36. Характеристики двухполюсников с туннельными диодами.
- •37. Встречные соединения двух туннельных диодов одинаковых с одинаковыми вах.
- •38. Многоступенчатые вах для средних за полпериода значений токов и напряжений.
- •39. Синтез нелинейных элементов с помощью новых схемных элементов. Свойства мутатора. Реализация мутаторов и их применения.
- •40. Синтез нелинейных элементов с помощью новых схемных элементов. Свойства и реализация скалоров. Некоторые применения нового элемента.
- •41. Синтез нелинейных элементов с помощью новых схемных элементов. Свойства и реализация рефлекторов и их применения.
- •42. Синтез нелинейных элементов с помощью новых схемных элементов. Свойства и реализация ротаторов и их применения.
- •43. Отрицательные дифференциальные параметры цепей. Причины образования отрицательных сопротивлений.
- •44. Методы получения отрицательных индуктивностей и емкостей.
- •45. Вах, вебер-амперные и кулон-вольтные характеристики s- и n-типов.
- •46. Возникновение падающих участков на характеристиках.
- •47. Двухполюсник с отрицательным входным сопротивлением.
- •48. Основы теории устойчивости. Виды устойчивости.
- •49. Исследование устойчивости в малом.
- •50. Исследование устойчивости в большом.
- •51. Исследование устойчивости по Ляпунову.
- •52. Фазовая плоскость, фазовые траектории.
11. Фототранзистор.
Фототранзистор — фотоэлектронный прибор, имеющий трехслойную структуру, как обычный транзистор, в котором ток зависит от освещения базы. Схема включения фототранзистора показана на рисунке 1.7.3
Рисунок 1.7.3 Включения фототранзистора
Они имеют линейную световую характеристику, а выходные ВАХ аналогичны ВАХ обычного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, но в качестве параметра вместо тока базы выступает световой поток. Чувствительность фототранзисторов достигает 1 А/лм. Параметры фототранзисторов существенно зависят от температуры.
В качестве полупроводниковых излучателей света используются светоизлучающие диоды (светодиоды). Принцип действия светодиодов основан на излучении квантов света при прямом токе вследствие рекомбинации носителей заряда. Цвет излучения определяется материалом, из которого сделан фотодиод. Светодиоды работают при напряжении 2...5В и токе до 40мА на один диод. Они имеют весьма низкий КПД.
Основное применение светодиодов – устройства индикации.
На рисунок 1.7.4 приведена схема включения светодиода и его яркостная характеристика – зависимость яркости B от тока I.
Рисунок 1.7.5 Включение диода (а), яркостная характеристика (б
12. Тиристоры.
Тиристор - это полупроводниковый прибор, работающие в двух устойчивых состояниях – низкой проводимости (тиристор закрыт) и высокой проводимости (тиристор открыт). Кроме того, тиристор обладает односторонней проводимостью.
Конструктивно тиристор имеет три или более p-n – переходов и три вывода. Кроме анода и катода, в конструкции тиристора предусмотрен третий вывод (электрод), который называется управляющим.
Тиристор предназначен для бесконтактной коммутации (включения и выключения) электрических цепей. От других полупроводниковых элементов, которые также могут использоваться в качестве бесконтактных коммутаторов, тиристоры отличаются чрезвычайно высоким быстродействием (оно исчисляется всего десятками микросекунд) и способностью коммутировать токи весьма значительной величины (вплоть до 1000 А).
Классифицируются:
1) по числу внешних электродов:
- двухэлектродные – динисторы
как и обычные выпрямительные диоды имеют анод и катод;
с увеличением прямого напряжения при определенном значении Ua=Uвкл динистор открывается.
- трехэлектродные – тиристоры (тринисторы)
имеют дополнительный управляющий электрод; Uвкл изменяется током управления, протекающим через УЭ.
2) по типу ВАХ:
- несимметричные – пропускают ток только в одном направлении, т.е обладающие односторонней проводимостью
- симметричные – проводят ток в обоих направлениях
3) по значению прямого тока:
- маломощные Iпр £ 0,3А
- средней мощности 0,3А< Iпр £10А
- большой мощности Iпр >10А.
Перевод тиристора из закрытого состояния в открытое при положительном напряжении на аноде (прямом включении) может быть осуществлён тремя способами:
1) повышение приложенного напряжении вплоть до напряжения переключения – включение по аноду – динисторы;
2) подачей положительного напряжения на управляющий электрод относительно катода, т.е. воздействием на цепь управления – тиристоры;
3) облучение световым поток определённой области – фототиристоры и оптронные тиристоры.
Перевод тиристора в закрытое состояние можно получить:
1) уменьшением прямого тока до некоторого минимального значения, называемого током удержания Iуд; при питании тиристора от источника переменного тока это происходит естественным путём при переходе напряжения анод-катод через нуль;
2) подачей напряжения обратной полярности;
3) подачей управляющего импульса обратной полярности – только для запираемых тиристоров (рис. 27).
Рисунок 27 – УГО запираемого тиристора и диаграммы его работы
Рисунок 28 – ВАХ динистора и диаграммы его работы
В отличии от динистора, который открывается только при определенном напряжении между анодом и катодом, у тиристора это напряжение можно регулировать током управления с помощью управляющего электрода (рис. 29)
В цепях переменного и импульсных токов это позволяет изменять время открытого состояния тиристора, а значит и время протекания тока через нагрузку. Это позволяет регулировать мощность, выделяемую в нагрузке.
Рисунок 29 – ВАХ тиристора
Рисунок 30 – Структура и внешние цепи тиристора