- •1. Электронные приборы как нелинейные сопротивления.
- •2. Характеристики газоразрядных (ионных) приборов.
- •3. Неоновая лампа, стабилитрон.
- •4. Тиратрон тлеющего разряда, тиратрон с накаленным катодом.
- •Тиратроны с накаливаемым катодом
- •5. Характеристики фотоэлектронных приборов.
- •6. Фотоэлементы.
- •7. Фоторезисторы.
- •8. Фотодиоды.
- •9. Нелинейные сопротивления на р-n переходах. Туннельный диод.
- •10. Обращенный диод, варикап.
- •11. Фототранзистор.
- •12. Тиристоры.
- •13. Нелинейные активные сопротивления, управляемые магнитным полем.
- •14. Эффект Холла.
- •15. Варисторы. Их вольт-амперные характеристики.
- •16. Терморезисторы и их вольт-амперные характеристики.
- •17. Свойства термисторов, их вольт-амперные характеристики.
- •18. Позисторы.
- •19. Электрическая дуга.
- •20. Нелинейные индуктивности и емкости.
- •21. Устройства на нелинейных индуктивностях.
- •22. Магнитный усилитель мощности
- •23. Характеристики ферромагнитных материалов.
- •24. Магнитомягкие и магнитотвердые материалы.
- •25. Потери, обусловленные гистерезисом и вихревыми токами.
- •26. Динамические петли гистерезиса.
- •27. Нелинейные конденсаторы – вариконды.
- •28. Антисегнетодиэлектрики.
- •29. Аппроксимация характеристик для мгновенных значений. Кусочно – линейная аппроксимация.
- •30. Аналитическая аппроксимация. Полиномиальная аппроксимация
- •31. Аппроксимация гистерезисной кривой.
- •32. Формирование нелинейных двухполюсников с заданными вах. Типичные нелинейности механических систем. Воспроизведение нелинейных зависимостей при использовании метода структурных моделей.
- •33. Формирование двухполюсников с заданными вах при использовании диодов и источников опорного напряжения.
- •34. Реализация вогнутых монотонных вах.
- •35. Реализация выпуклых монотонных вах.
- •36. Характеристики двухполюсников с туннельными диодами.
- •37. Встречные соединения двух туннельных диодов одинаковых с одинаковыми вах.
- •38. Многоступенчатые вах для средних за полпериода значений токов и напряжений.
- •39. Синтез нелинейных элементов с помощью новых схемных элементов. Свойства мутатора. Реализация мутаторов и их применения.
- •40. Синтез нелинейных элементов с помощью новых схемных элементов. Свойства и реализация скалоров. Некоторые применения нового элемента.
- •41. Синтез нелинейных элементов с помощью новых схемных элементов. Свойства и реализация рефлекторов и их применения.
- •42. Синтез нелинейных элементов с помощью новых схемных элементов. Свойства и реализация ротаторов и их применения.
- •43. Отрицательные дифференциальные параметры цепей. Причины образования отрицательных сопротивлений.
- •44. Методы получения отрицательных индуктивностей и емкостей.
- •45. Вах, вебер-амперные и кулон-вольтные характеристики s- и n-типов.
- •46. Возникновение падающих участков на характеристиках.
- •47. Двухполюсник с отрицательным входным сопротивлением.
- •48. Основы теории устойчивости. Виды устойчивости.
- •49. Исследование устойчивости в малом.
- •50. Исследование устойчивости в большом.
- •51. Исследование устойчивости по Ляпунову.
- •52. Фазовая плоскость, фазовые траектории.
6. Фотоэлементы.
Фотоэлемент - фотоэлектрический электронный прибор с внешним фотоэффектом, предназначенный для преобразования световой энергии в электрическую. В фотоэлементах используется явление фотоэлектронной эмиссии, заключающееся в том, что при попадании света от постороннего источника на катод последний начинает излучать электроны, которые затем попадают на анод с положительным потенциалом. Фотоэлементы работают только в цепях постоянного тока. Для питания фотоэлемента необходим источник тока постоянного напряжения, величина которого указывается в справочнике. На практике в большинстве случаев в цепь фотоэлемента включается нагрузочное сопротивление. В зависимости от протекающего в цепи фотоэлемента тока (зависящего от интенсивности светового потока) на нагрузочном сопротивлении падает напряжение. Это напряжение подается во внешнюю цепь для дальнейшего усиления. Свойства, параметры и характеристики фотоэлементов зависят от свойств применяемого катода. В современных фотоэлементах применяются в основном два типа катодов - кислородно-цезисвый и сурьмяно-цезиевый.Фотоэлементы выпускаются двух типов — вакуумные и газонаполненные. В вакуумных фотоэлементах ток образуется только фотоэлектронами, а в газонаполненных фотоэлектронный ток еще и усиливается за счет ионизации газа, производимой фототоком. Газонаполненные фотоэлементы обладают большей чувствительностью, чем вакуумные, но менее стабильны в работе и обладают некоторой инерционностью. Основным параметром фотоэлемента является его чувствительность, определяемая отношением величины фототока к величине светового потока, вызвавшего его. Чувствительность измеряется в мка/лм. Фотоэлемент реагирует на интенсивность светового потока и его частоту, поэтому чувствительность его разделяется на интегральную (по интенсивности) и спектральную (по частоте). Интегральная чувствительность характеризует способность фотоэлемента реагировать на воздействие всего светового потока, содержащего световые колебания различных частот от ультрафиолетовых до инфракрасных. Спектральная чувствительность фотоэлемента характеризует его способность реагировать на световые колебания одной частоты. Незначительные сотрясения фотоэлемента приводят к возникновению микрофонного эффекта, поэтому во всех схемах и в особенности при большом усилении фотоэлементы необходимо амортизировать. В процессе эксплуатации фотоэлементов наблюдается явление утомляемости, выражающееся в том, что в фотоэлементах, обладающих относительно большой чувствительностью при малых и очень больших световых потоках, чувствительность быстро уменьшается во времени, доходя до 25% первоначальной величины. Для устранения: утомляемости фотоэлемент необходимо поместить в темноту на некоторое время, в течение которого чувствительность восстанавливается почти до 100%.
7. Фоторезисторы.
Фоторезистор — это полупроводниковый фотоэлектрический прибор, сопротивление которого изменяется под действием светового излучения. На рисунке. 1.7.1 показана схема включения фоторезистора и его характеристики. Фоторезисторы, как и другие фотоэлектрические приборы, характеризуются световой характеристикой, т.е. зависимостью фототока , протекающего через прибор от светового потока . Она нелинейная и это является недостатком фоторезистора. ВАХ фоторезистора линейны, а их наклон зависит от величины светового потока.
а) б) в)
Рисунок 1.7.1 Схема включения фоторезистора (а), световая характеристика (б)
вольт-амперная характеристика (в)
Фоторезисторы могут работать и на переменном токе. Фоторезисторы являются самыми простыми и дешевыми фотоэлектрическими приборами.