28. Антисегнетодиэлектрики.

1) Антисегнетоэлектрики, диэлектрики, имеющие спонтанно-поляризованные элементарные ячейки, направления спонтанной поляризации в которых антипараллельны (в отличие от сегнетоэлектриков, обладающих макроскопической спонтанной поляризацией). Диэлектрические аномалии, наблюдаемые в антисегнетоэлектриках, аналогичны аномалиям при сегнетоэлектрических переходах: для них характерно заметное изменение диэлектрической проницаемости при фазовом переходе, а также двойные петли гистерезиса.

В антисегнетоэлектриках при фазовых переходах исходные параэлектрические ячейки становятся поляризованными, но возникающее при этом «двойникование» на микроуровне (возникновение новых сверхструктурных элементарных ячеек) делает кристалл даже микроскопически неполяризованным: электрически нейтральная сверхструктурная ячейка антисегнетоэлеткрика образуется двумя элементарными ячейками. Чередующиеся диполи таких кристаллов ориентируются антипараллельно друг другу (подобно магнитным моментам в антиферромагнетике).

Фазовые переходы и доменная структура антисегнетоэлектриков оказывают существенное влияние на их поляризационные, пиро-, пьезоэлектрические, оптические и упругие свойства. В слабых полях антисегнетоэлектрики поляризуются как линейные диэлектрики. В отсутствии внешних воздействий антисегнетоэлеткрики пироэлектрическим эффектом не обладают.

Также как и сегнетоэлектрики, антисегнетоэлектрики различаются по механизму возникновения в них спонтанной поляризации. Антисегнетоэлектриком типа смещения является цирконат свинца PbZrO₃, а антисегнетоэлектриком с упорядочивающимися элементами структуры является дигидрофосфат аммония NН₄H₂PО₄.

2) Сегнетоэлектриками называют вещества, диэлектрическая проницаемость которых является функцией напряжённости электрического поля. Название «сегнетоэлектрики» им присвоено потому, что впервые это свойство было обнаружено у кристаллов сегнетовой соли. Они, подобно ферромагнитным веществам, обладают гистерезисом. Сегнетодиэлектриками заполняют пространство между обкладками вариконда (нелинейный конденсатор)

29. Аппроксимация характеристик для мгновенных значений. Кусочно – линейная аппроксимация.

Кусочно – линейная аппроксимация.

Данный метод основан на приближенной замене реальной плавно изменяющейся вольт-амперной характеристики i = f(u) отрезками прямых линий с различными наклонами. На рис. 3.3 показана аппроксимированная характеристика, содержащая два линейных участка.. Рис. 3.3

Аппроксимация вольт-амперной характеристики нелинейного преобразователя отрезками прямых линий Математически эту аппроксимированную характеристику можно записать в виде (Формула), где U0 — напряжение отсечки; S — крутизна характеристики, имеющая размерность проводимости (См или А / В). На рис. 3.3 методом проекций построены импульсы тока, получаемые при воздействии гармонического колебания с большой амплитудой. При разложении импульсов в ряд Фурье постоянная составляющая и амплитуды нескольких первых гармоник также близки друг к другу. Иными словами, при больших сигналах кусочно-линейная аппроксимация дает достаточную точность расчетов. При малых сигналах точность падает, и результаты могут быть неверными. Таким образом, метод кусочно-линейной аппроксимации обычно применяется при анализе процессов нелинейных преобразований в случае больших амплитуд входных сигналов.