Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
1983.pdf
Скачиваний:
37
Добавлен:
07.01.2021
Размер:
2.43 Mб
Скачать

Степень уменьшения интенсивности проходящего излучения зависит от длины волны. Наблюдаемый цвет является дополнительным к поглощенному. Степень поглощения излучения на том или ином участке спектра зависит от вида и концентрации поглощающего вещества. Таким образом, можно количественно определить любое растворимое окрашенное вещество. Методы химического анализа, основанные на измерении поглощения излучения в видимой области спектра, называют колориметрией. Количественно поглощение излучения описывается законом Бера (рис. 20).

5.7. Аппаратура, применяемая при фотоэлектроколориметрии

Фотоэлектрические устройства для измерения селективного поглощения излучения, в которых для выделения длины волны

проходят в приборе от лампы накаливанияИчерез оптическую систему, светофильтр, кювету с раствором и попадают на селеновый фотоэлемент, включенный в цепь микроамперметра.

применяются светофильтры, называются фотоэлектроколориметрами (ФЭК).

На практике метод фотоэлектроколориметрииД применяется при исследовании силикатных систем, в частности для определения

Принцип действия ФЭК заключается в следующем. Световые лучи

содержания двуокиси кремниябА(SiO2), окиси алюминия (Al2O3), окиси железа (Fe2O3) в анал з руемых веществах.

Электронная м кроскопия. При исследовании строительных материалов пр ход тся зучать мельчайшие частицы: кристаллы,

гелевидные Счастицыи, размер которых соизмерим с размером нескольких молекул. Такие частицы нельзя увидеть в оптический микроскоп, а только в электронный. Высокая разрешающая способность электронных микроскопов (ЭМ) объясняется использованием в них электронных лучей, волны которых во много раз короче волн видимого света. Современные ЭМ имеют полезное увеличение до 300 тыс. раз, что позволяет видеть частицы размером 3…5 А .

ЭМ бывают просвечивающие, отражательные, эмиссионные, зеркальные, растровые, теневые. Они отличаются друг от друга источниками свободных электронов, характером воздействия электронного пучка с веществом. ЭМ по разрешающей способности делятся на три класса: первый класс – разрешение 0,5…1,5 нм, второй

– 2…3 нм, третий – 5…15 нм.

Методы исследования. Различают прямые и косвенные методы исследования.

40

Прямые методы применимы при исследовании объектов, которые можно получить в виде мелких частиц или тонких слоев порядка 10-5 мм (субмикрокристаллы, коллоиды, глины, дымы и другие). К прямым методам относятся светопольный и темнопольный способы работы на просвет.

Рис. 21. Схема образования тени при косом напылении металлом

Косвенные методы (исследование способом реплик) широко распространены в электронной микроскопии; при этом исследуется не сам объект, а копия (слепок) с его рельефа – отпечаток, реплика.

Контрастность рельефа реплик обычно невелика, что снижает четкость

изображения деталей поверхности и разрешениеИ

ЭМ. Контрастность

реплик повышают путем оттенения деталей их

рельефа металлами

(золото, хром), напыляемыми на поверхность под углом (рис. 21).

 

 

Д

Напыление позволяет сильно повысить контрастность реплик [15].

 

А

5.8. Растровая скан рующая электронная микроскопия

 

б

 

Растровый ЭМ (РЭМ) – прибор, в основу работы которого

положен телевизионныйипринцип развертки тонкого пучка электронов

С

 

 

на поверхности непрозрачного исследуемого образца (рис. 22). Пучок электронов, падающий на поверхность образца, взаимодействует с веществом, следствием чего является возникновение целого ряда физических явлений.

С помощью растровых ЭМ можно получить два изображения:

1)распределение химических элементов по поверхности образца;

2)микрорельеф поверхности образца. Получение изображения осуществляется с помощью специальных парных детекторов отраженных электронов.

41

 

4

 

 

 

 

 

 

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

3

 

 

 

 

 

6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 22. Схема РЭМ: 1 – образец; 2 – ЭМ-линзы;

 

3 – отклоняющая система; 4 – источник электронов;

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

И

 

– электронно-лучевая трубка; 6 – генератор;

 

 

 

7 – усилитель сигнала; 8 – детектор

Образец

І

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Д

состоит из нескольких частей разного химического

состава. Образец ІІ химически однороден. При вычитании выходных сигналов будет исключатьсяАвлияние химического состава вещества и полученная линия ІІА-Б даст изображение микрорельефа поверхности. При сложении сигнала б(линия І +Б ) будет исключаться влияние рельефа поверхности и получаемое изображение будет характеризовать неравномерность химическогои состава вещества.

Большим досто нством РЭМ является чрезвычайная глубина резкости, достигающаяС 0,6…0,8 мм. Это позволяет изучать методом РЭМ поверхность масс вных объектов. Исследуемый образец не требует какой-либо специальной подготовки: он помещается в прибор в том состоянии, которое необходимо по замыслу опыта.

В этом способе используется пучок электронов, длина волны которых в 100 раз меньше длины волны видимого света. На практике в электронном микроскопе получают размеры частиц до 4 А увеличение размера частиц до 4 А, увеличение в 200 тыс. раз.

Различают электронные микроскопы:

1)просвечивающего типа;

2)отражательные;

3)эмиссионные;

4)растровые;

5)теневые.

42

По разрешающей способности электронные микроскопы делятся на классы: 1-й класс – 0,5 – 1,5 нм – просвечивающего типа; 2-й класс

– 2 – 3 нм – просвечивающего типа; 3-й класс – 5 – 15 нм – растровые. Первые электронные микроскопы (прежде всего 1-го класса)

используют для изучения тончайших объектов. Микроскопы 3-го класса применяют для изучения структуры тонких порошков, тонкопористой структуры твердого тела.

Просвечивающие микроскопы включают в себя колонку,

содержащую электронную пушку, электронные линзы, экран и камеру с фотопластинками, а также блок питания (до 60 кВ) и вакуумную систему (до 10-4 мм ртутного столба). Сущность метода: пучок электронов, вырабатываемых пушкой, фокусируется ЭМ линзами и

направляется на объект.

Электроны, попадающие

на объект,

 

 

 

 

 

 

И

 

рассеиваются им и в итоге на фотопластинке получают изображение

объекта.

Подготовка

 

объектов

к

изучению

называется

препарированием.

 

 

 

Д

 

 

 

 

 

 

 

Для выделения объекта излучения используют парные

детекторы (рис. 23).

 

а

А

б

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

б

 

 

 

 

IA

 

 

 

 

 

 

IB

 

 

 

 

 

 

 

С

 

 

 

 

 

 

 

II

A

 

 

 

 

 

 

иIA-B

 

 

 

 

 

IIB

 

 

 

 

 

IIA+B

IIA-B

Рис. 23. Парные детекторы: а – плоская поверхность, разный химический состав; б – рельеф,

одинаковый химический состав

Различают прямые методы изучения объектов и косвенные. К прямым относятся метод порошков и метод суспензий. В первом методе изучают порошки, волокна, тонкие слои, для них метод препарирования – нанесение и укрепление металлической сетки.

43

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]