- •Глава 1. Строение и свойства материалов
- •1.1. Кристаллические и аморфные тела
- •1.2. Элементы кристаллографии
- •1.2.1. Кристаллическая решетка
- •1.2.2. Кристаллографические плоскости
- •1.2.3. Анизотропия
- •1.3. Влияние типа связи на структуру и свойства кристаллов
- •1.3.1. Взаимодействие частиц в кристаллах
- •1.3.2. Молекулярные кристаллы
- •1.3.3. Ковалентные кристаллы
- •1.3.4. Металлические кристаллы
- •1.3.5. Ионные кристаллы
1.3. Влияние типа связи на структуру и свойства кристаллов
1.3.1. Взаимодействие частиц в кристаллах
Частицы в кристалле сближаются на определенное расстояние, которое обеспечивает кристаллу наибольшую термодинамическую стабильность. Это расстояние d0 определяется равенством сил притяжения и отталкивания между частицами, при этом достигается минимум энергии связи, что и делает кристалл термодинамически стабильным.
б
Природа сил отталкивания имеет электростатических характер, это взаимодействие одноимённых зарядов – электронных орбиталей друг с другом и соседних атомных ядер. Силы отталкивания проявляются при сильном сближении частиц и растут интенсивнее, чем силы притяжения (рис. 1.8).
Рис. 1.8. Изменение силы (а) и энергии взаимодействия (б) при сближении атомов в кристалле.
Тип связи, возникающий между частицами в кристалле, определяется их электронным строением. Энергия связи для различных кристаллов приведена ниже:
Кристалл |
Аг СН4 |
Алмаз SiC |
LiF NaCl |
Fe Na |
Энергия, кДж/моль |
7,5 10 |
750 1180 |
1000 750 |
390 110 |
Тип связи |
Молекулярная |
Ковалентная |
Ионная |
Металлическая |
Она определяет температуру плавления, модуль упругости, температурный коэффициент линейного расширения и др.
При сближении атомов в металлическом кристалле энергетические подуровни превращаются в зоны, которые, перекрываясь, делают возможным обмен и обобществление валентных электронов. Плотность заполнения электронами валентных зон определяет электрические и тепловые свойства кристаллов.
Наличие незаполненных подуровней в валентной зоне металлических кристаллов обуславливает их высокую электрическую проводимость.
При полном заполнении валентной зоны переход электронов возможен только в том случае, если они сумеют преодолеть зону запрещенных энергий и перейдут в зону более высоких энергий, имеющую свободные подуровни. Для такого перехода электрону необходима большая энергия. Кристаллы с такой электронной структурой по своим электрическим свойствам относятся к полупроводникам или диэлектрикам.
Все кристаллы в зависимости от природы связи подразделяют на молекулярные, ковалентные, металлические и ионные. Однако такое разделение условно, так как в некоторых случаях может действовать не один тип связи, а несколько.
1.3.2. Молекулярные кристаллы
Кристаллы, в которых преобладает молекулярная связь, возникающая между любыми частицами (ионами, атомами, молекулами), называют молекулярными. Для многих кристаллов она мала по сравнению с другими, более прочными связями.
Рис. 1.10. Кристаллическая решетка йода (пространственное изображение)
В кристаллах инертных газов эта связь единственная, а следовательно, она определяет структуру и свойства кристаллов.
Известно, что аргон, так же как и другие инертные газы, может переходить в жидкое и даже твердое состояние при очень низких температурах.
Атомы инертных газов имеют полностью достроенные энергетические уровни, а поэтому при сближении атомов обмен электронами невозможен. Возникновение сил притяжения между атомами объясняют их мгновенной поляризацией при сближении (рис. 1.9).
Аналогичные связи действуют между молекулами с насыщенными связями в кристаллах двухатомных газов Н2, N2, Сl2, существование которых возможно лишь при очень низких температурах; в кристаллах J2, Н2О, СО2, а также в кристаллах СH4 и других органических веществ — при нормальных условиях.
Силы Ван-дер-Ваальса между частицами не имеют направленного характера, так как мгновенный диполь образуется с каждым из соседних атомов. В результате атомы, стремясь увеличить число соседей в кристаллической решетке, укладываются наиболее компактным образом. Типичной решеткой для инертных газов является ГЦК.
Кристалл йода имеет ромбическую гранецентрированную решетку (рис. 1.10).
Рис 1.11. Кристаллическая решётка алмаза и графита
Энергия связи сил Ван-дер-Ваальса невелика, поэтому молекулярные кристаллы имеют низкие температуры плавления и легко возгоняются Молекулярные кристаллы — диэлектрики, так как кристалл построен и: электрически нейтральных атомов (молекул), у которых энергетические зоны полностью достроены.