- •1. Определение электронных приборов. Классификация электронных приборов
- •2. Режимы и параметры электронных приборов
- •3.Электропроводность материалов.
- •4. Понятие электрохимического потенциала (уровня Ферми).
- •5.Собственная проводимость.
- •6.Примесная электропроводность полупроводниковых материалов.
- •7. Электрические переходы в полупроводниковых приборах
- •10. Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии
- •11.Обратное включение.
- •12. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода
- •13. Свойства p-n-перехода
- •14 Устройство и принцип действия полупровдниковых диодов.
- •15. Классификация полупроводниковых диодов.
- •16. Система условных обозначений диодов.
- •17. Выпрямительные диоды
- •18. Стабилитроны
- •19. Варикапы
- •20. Импульсные диоды
- •21. Диоды с накоплением заряда (днз).
- •22. Диоды с барьером Шотки.
- •23 Туннельные и обращённые диоды
- •25. Определение и устройство биполярного транзистора.
- •26. Классификация биполярных транзисторов.
- •27. Система обозначений транзисторов.
- •28. Режимы работы биполярного транзистора.
- •29. Схемы включения биполярного транзистора.
- •30. Принцип работы биполярного транзи стора.
- •31.Токи в биполярном транзисторе.
- •32. Формальная модель транзистора.
- •33.Системы параметров транзистора.
- •34. Статические характеристики биполярных транзисторов схеме с об
- •35. Влияние температуры на вах транзистора
- •36. Дифференциальные параметры транзистора.
- •37. Определение h-параметров транзистора по статическим вах.
- •38. Большой Сигнал Модель Эберса-Молла
- •39.Малосигнальная модель бт
- •40. Физические параметры транзистора.
- •41. Эквивалентные схемы замещения транзистора.
- •42. Работа биполярного транзистора в режиме усиления.
- •43. Частотные свойства транзистора.
- •44. Работа транзистора в импульсном режиме
- •45. Основные параметры
- •46. Область применения
- •47 Определение и классификация полевых транзисторов.
- •48. Устройство и обозначение полевых транзисторов.
- •49. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом.
- •50. Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп - транзисторы)
- •51. Статистические вольтамперные хар-и (вах) пол. Транзисторов.
- •52. Влияние температуры на вах полевых транзисторов.
- •54. Работа полевого транзистора в режиме усиления.
- •55. Частотные свойства полевых транзисторов.
- •56. Основные параметры полевых транзисторов.
- •57 Определение и классификация переключающих электронных приборов.
- •58. Устройство и обозначение тиристоров.
- •59 Диодные тиристоры.
- •60. Триодные тиристоры.
- •61. Симметричные тиристоры (симисторы).
- •62 Основные параметры транзисторов.
- •63 Однопереходные транзисторы.
- •64 Основные понятия оптоэлектроники.
- •65 Источники оптического излучения.
- •66 Светодиоды.
- •67 Приемники оптического излучения.
- •68 Фоторезисторы.
- •69 Фотодиоды.
- •70 Фототранзистор
- •71 Оптроны
- •72 Классификация приборов для отображения информации.
- •73 Электронно-лучевая трубка (элт).
- •78 Осциллографические трубки.
- •79 Индикаторные трубки.
- •80 Кинескопы.
- •81 Система обозначений элт.
- •82 Вакуумные люминесцентные индикаторы.
- •83Вакуумные накаливаемые индикаторы.
- •84 Газоразрядные индикаторные приборы.
- •85 Полупроводниковые индикаторы.
- •86 Жидкокристаллические индикаторы
- •87.Устройство и принцип действия приборов с зарядовой связью
- •88. На основе пзс, таким образом, можно строить сдвиговые регистры по-
- •89. Параметры приборов с зарядовой связью
- •91. Шумы электронных приборов и далее до 98.
29. Схемы включения биполярного транзистора.
В зависимости от того, какой из выводов транзистора является общим для входной и выходной цепи, различают три схемы включения транзистора: с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) и с общим коллектором (ОК). На рис. 2 показаны полярности внешних источников напряжения и направления токов транзистора, соответствующие активному режиму работы, для трех схем включения.
а б в
30. Принцип работы биполярного транзи стора.
31.Токи в биполярном транзисторе.
Ток коллектора, вызванный инжекцией основных носителей через эмиттерный переход, называют управляемым током коллектора Iк упр = MIэ, где M = h21Б < 1 называют статическим коэффициентом передачи тока эмиттера. Часто h21б обозначают как . Значения h21Б лежат в диапазоне 0,950,999.
Кроме управляемого тока коллектора Iк упр через коллекторный переход протекает обратный неуправляемый ток Iкб0, обусловленный экстракцией собственных неосновных носителей базы (дырок) и коллектора (электронов):
Iк = h21БIэ + Iкб0. (1)
Обратный ток коллекторного перехода Iкб0 совпадает по направлению с управляемым током коллектора Iк упр, а в цепи базы Iкб0 противоположен току рекомбинации Iб = Iб рек – Iкб0. Величина Iкб0 для германиевых транзисторов составляет десятки миллиампер, а кремниевых транзисторов – сотни наноампер, причем сильно зависит от температуры,
Из принципа работы видно, что Iэ разветвляется на ток базы Iб и коллекторный ток Iк
Iэ = Iб + Iк. (2)
Это выражение называют внутренним уравнением транзистора.
Связь между выходным током Iк и входным током Iб транзистора, включенного по схеме с ОЭ, можно получить из (1) и (2):
,
где – статический коэффициент передачи тока базы (другое обозначение); – начальный (сквозной) ток транзистора. Коэффициентh21Э принимает значения десяткисотни. Поэтому транзистор, включенный по схеме с ОЭ, является хорошим усилителем тока.