- •1. Определение электронных приборов. Классификация электронных приборов
- •2. Режимы и параметры электронных приборов
- •3.Электропроводность материалов.
- •4. Понятие электрохимического потенциала (уровня Ферми).
- •5.Собственная проводимость.
- •6.Примесная электропроводность полупроводниковых материалов.
- •7. Электрические переходы в полупроводниковых приборах
- •10. Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии
- •11.Обратное включение.
- •12. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода
- •13. Свойства p-n-перехода
- •14 Устройство и принцип действия полупровдниковых диодов.
- •15. Классификация полупроводниковых диодов.
- •16. Система условных обозначений диодов.
- •17. Выпрямительные диоды
- •18. Стабилитроны
- •19. Варикапы
- •20. Импульсные диоды
- •21. Диоды с накоплением заряда (днз).
- •22. Диоды с барьером Шотки.
- •23 Туннельные и обращённые диоды
- •25. Определение и устройство биполярного транзистора.
- •26. Классификация биполярных транзисторов.
- •27. Система обозначений транзисторов.
- •28. Режимы работы биполярного транзистора.
- •29. Схемы включения биполярного транзистора.
- •30. Принцип работы биполярного транзи стора.
- •31.Токи в биполярном транзисторе.
- •32. Формальная модель транзистора.
- •33.Системы параметров транзистора.
- •34. Статические характеристики биполярных транзисторов схеме с об
- •35. Влияние температуры на вах транзистора
- •36. Дифференциальные параметры транзистора.
- •37. Определение h-параметров транзистора по статическим вах.
- •38. Большой Сигнал Модель Эберса-Молла
- •39.Малосигнальная модель бт
- •40. Физические параметры транзистора.
- •41. Эквивалентные схемы замещения транзистора.
- •42. Работа биполярного транзистора в режиме усиления.
- •43. Частотные свойства транзистора.
- •44. Работа транзистора в импульсном режиме
- •45. Основные параметры
- •46. Область применения
- •47 Определение и классификация полевых транзисторов.
- •48. Устройство и обозначение полевых транзисторов.
- •49. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом.
- •50. Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп - транзисторы)
- •51. Статистические вольтамперные хар-и (вах) пол. Транзисторов.
- •52. Влияние температуры на вах полевых транзисторов.
- •54. Работа полевого транзистора в режиме усиления.
- •55. Частотные свойства полевых транзисторов.
- •56. Основные параметры полевых транзисторов.
- •57 Определение и классификация переключающих электронных приборов.
- •58. Устройство и обозначение тиристоров.
- •59 Диодные тиристоры.
- •60. Триодные тиристоры.
- •61. Симметричные тиристоры (симисторы).
- •62 Основные параметры транзисторов.
- •63 Однопереходные транзисторы.
- •64 Основные понятия оптоэлектроники.
- •65 Источники оптического излучения.
- •66 Светодиоды.
- •67 Приемники оптического излучения.
- •68 Фоторезисторы.
- •69 Фотодиоды.
- •70 Фототранзистор
- •71 Оптроны
- •72 Классификация приборов для отображения информации.
- •73 Электронно-лучевая трубка (элт).
- •78 Осциллографические трубки.
- •79 Индикаторные трубки.
- •80 Кинескопы.
- •81 Система обозначений элт.
- •82 Вакуумные люминесцентные индикаторы.
- •83Вакуумные накаливаемые индикаторы.
- •84 Газоразрядные индикаторные приборы.
- •85 Полупроводниковые индикаторы.
- •86 Жидкокристаллические индикаторы
- •87.Устройство и принцип действия приборов с зарядовой связью
- •88. На основе пзс, таким образом, можно строить сдвиговые регистры по-
- •89. Параметры приборов с зарядовой связью
- •91. Шумы электронных приборов и далее до 98.
70 Фототранзистор
Фототранзистором называют полупроводниковый управляемый оптическим излучением прибор с двумя взаимодействующими р-n-переходами.
Фототранзисторы, как и обычные транзисторы, могут иметь p-n-p- и n-p-n-структуру. Конструктивно фототранзистор выполнен так, что световой поток облучает область базы.
Входным сигналом фототранзистора является модулированный световой поток, а выходным – изменение напряжения на резисторе нагрузки в коллекторной цепи.
Напряжение питания на фототранзистор подают, как и на обычный БТ,
работающий в активном режиме, т.е. эмиттерный переход смещен в прямом на-
правлении, а коллекторный – в обратном. Однако он может работать и с отключенным выводом базы, а напряжение прикладывается между эмиттером и коллектором. Такое включение называется включением с плавающей базой и характерно только для фототранзисторов. При этом фототранзистор работает в активном режиме близко к границе отсечки. При Ф = 0 ток очень мал и равен темновому току:
![]()
ВАХ аналогичны выходным характеристикам БТ, включенного по схеме с ОЭ, где параметром является не ток базы, а световой поток, или фототок, при Iб=const
Основными параметрами фототранзистора являются:
– рабочее напряжение (10…15 В);
– темновой ток (до сотен микроампер);
– рабочий ток (до десятков миллиампер);
– максимально допустимая мощность рассеяния (до десятков ватт);
– статический коэффициент усиления фототока
– интегральная чувствительность
- граничная частота

71 Оптроны
Оптопара – оптоэлектронный полупроводниковый прибор, содержащий источник и приемник оптического излучения, оптически и конструктивно связанные между собой, и предназначенный для выполнения различных функциональных преобразований электрических и оптических сигналов. В интегральных оптоэлектронных схемах источником оптического излучения является инжекционный светодиод, обеспечивающий высокое быстродействие оптопары. Фотоприемниками могут быть: фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры.
Принцип действия оптопар основан на двойном преобразовании энергии.
Наиболее распространенные на практике оптопары можно описать, используя следующие параметры: входные параметры (параметры излучателя), выходные параметры (параметры фотоприемника), передаточные параметры (параметры передачи сигнала с входа на выход), параметры изоляции.
Основными параметрами для входной цепи оптопар являются:
Номинальный входной ток – значение тока, рекомендуемое для оптимальной эксплуатации оптопары, а также для снятия ее основных параметров.
Входное напряжение – падение напряжения на излучательном диоде при протекании номинального входного тока.
Входная емкость – емкость между входными выводами оптопары в номинальном режиме.
Максимальный входной ток – максимальное значение постоянного прямого тока, при котором сохраняется работоспособность оптопары.
Обратное входное напряжение – максимальное значение обратного напряжения любой формы (постоянное, импульсное, синусоидальное и др.), которое длительно выдерживает излучательный диод без нарушения нормальной работы.
Выходными параметрами оптопары являются:
Максимально допустимое обратное выходное напряжение – максимальное значение обратного напряжения любой формы, которое выдерживает фотоприемник без нарушения нормальной работы.
Максимально допустимый выходной ток – максимальное значение тока, протекающего через фотоприемник во включенном состоянии оптопары.
Ток утечки на выходе (темновой ток) – ток на выходе оптопары при Iвх=0 , заданном значении и полярности Uвых.
Выходное остаточное напряжение (напряжение насыщения– значение напряжения на включенном фоторезисторе или фототиристоре в режиме насыщения.
Выходная емкость – емкость на зажимах фотоприемника.
Эффективность передачи электрических сигналов со входа на выход оптрона определяется коэффициентом передачи по току Ki , т.е. отношением тока на выходе оптрон Iвых к вызвавшему его входному току Iвх : для статического режима
![]()
для динамического режима
![]()
Зависимость
называется передаточной характеристикой
и имеет нелинейный характер.
