- •1. Определение электронных приборов. Классификация электронных приборов
- •2. Режимы и параметры электронных приборов
- •3.Электропроводность материалов.
- •4. Понятие электрохимического потенциала (уровня Ферми).
- •5.Собственная проводимость.
- •6.Примесная электропроводность полупроводниковых материалов.
- •7. Электрические переходы в полупроводниковых приборах
- •10. Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии
- •11.Обратное включение.
- •12. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода
- •13. Свойства p-n-перехода
- •14 Устройство и принцип действия полупровдниковых диодов.
- •15. Классификация полупроводниковых диодов.
- •16. Система условных обозначений диодов.
- •17. Выпрямительные диоды
- •18. Стабилитроны
- •19. Варикапы
- •20. Импульсные диоды
- •21. Диоды с накоплением заряда (днз).
- •22. Диоды с барьером Шотки.
- •23 Туннельные и обращённые диоды
- •25. Определение и устройство биполярного транзистора.
- •26. Классификация биполярных транзисторов.
- •27. Система обозначений транзисторов.
- •28. Режимы работы биполярного транзистора.
- •29. Схемы включения биполярного транзистора.
- •30. Принцип работы биполярного транзи стора.
- •31.Токи в биполярном транзисторе.
- •32. Формальная модель транзистора.
- •33.Системы параметров транзистора.
- •34. Статические характеристики биполярных транзисторов схеме с об
- •35. Влияние температуры на вах транзистора
- •36. Дифференциальные параметры транзистора.
- •37. Определение h-параметров транзистора по статическим вах.
- •38. Большой Сигнал Модель Эберса-Молла
- •39.Малосигнальная модель бт
- •40. Физические параметры транзистора.
- •41. Эквивалентные схемы замещения транзистора.
- •42. Работа биполярного транзистора в режиме усиления.
- •43. Частотные свойства транзистора.
- •44. Работа транзистора в импульсном режиме
- •45. Основные параметры
- •46. Область применения
- •47 Определение и классификация полевых транзисторов.
- •48. Устройство и обозначение полевых транзисторов.
- •49. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом.
- •50. Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп - транзисторы)
- •51. Статистические вольтамперные хар-и (вах) пол. Транзисторов.
- •52. Влияние температуры на вах полевых транзисторов.
- •54. Работа полевого транзистора в режиме усиления.
- •55. Частотные свойства полевых транзисторов.
- •56. Основные параметры полевых транзисторов.
- •57 Определение и классификация переключающих электронных приборов.
- •58. Устройство и обозначение тиристоров.
- •59 Диодные тиристоры.
- •60. Триодные тиристоры.
- •61. Симметричные тиристоры (симисторы).
- •62 Основные параметры транзисторов.
- •63 Однопереходные транзисторы.
- •64 Основные понятия оптоэлектроники.
- •65 Источники оптического излучения.
- •66 Светодиоды.
- •67 Приемники оптического излучения.
- •68 Фоторезисторы.
- •69 Фотодиоды.
- •70 Фототранзистор
- •71 Оптроны
- •72 Классификация приборов для отображения информации.
- •73 Электронно-лучевая трубка (элт).
- •78 Осциллографические трубки.
- •79 Индикаторные трубки.
- •80 Кинескопы.
- •81 Система обозначений элт.
- •82 Вакуумные люминесцентные индикаторы.
- •83Вакуумные накаливаемые индикаторы.
- •84 Газоразрядные индикаторные приборы.
- •85 Полупроводниковые индикаторы.
- •86 Жидкокристаллические индикаторы
- •87.Устройство и принцип действия приборов с зарядовой связью
- •88. На основе пзс, таким образом, можно строить сдвиговые регистры по-
- •89. Параметры приборов с зарядовой связью
- •91. Шумы электронных приборов и далее до 98.
72 Классификация приборов для отображения информации.
По принципу светопередачи:
– активные; – пассивные.
По физическим эффектам:
– накаливаемые, – газоразрядные, – жидкокристаллические.
По способу воспроизведения:
– знакосинтезирующие; – знакогенерирующие.
Все многообразие приборов для отображения информации можно разделить на три основные группы:
– электронно-лучевые приборы; – электросветовые приборы;
– оптоэлектронные индикаторы.
Электронно-лучевые приборы:
– приборы, преобразующие элек-ий сигнал в видимое изображение (осцил-ие трубки, трубки индикаторных устройств, кинескопы;
– приборы, преобразующие электрические сигналы в электрические
– приборы, преобразующие невидимое изображение в видимое
Электросветовые приборы:
– приборы, преобразующие электрическую энергию в энергию оптического излучения в узком диапазоне длин волн на основе высокотемпературного свечения и электролюминесценции (люминесцентные индикаторы);
– приборы, преобразующие электрическую энергию в энергию оптического излучения в узком диапазоне длин волн на основе газоразрядного излучения (газоразрядные индикаторы).
Оптоэлектронные индикаторы:
– приборы, модулирующие интенсивность оптического излучения за счет изменения его амплитуды, фазы, длины волны, плоскости поляризации, направления распространения (жидкокристал-лические индикаторы, TFT матрицы, PVA матрицы и др.)
73 Электронно-лучевая трубка (элт).
Электронно-лучевыми приборами называют такие электровакуумные приборы, в которых для получения изображения используется узкий направленный пучок электронов.
Общие конструктивные элементы ЭЛТ:
– электронный прожектор, необходимый для создания и фокусировки луча;
– отклоняющаяся система;
– экран, принимающий электронный луч.
74 Устройство и схема питания ЭЛТ.
75 Электронные прожекторы ЭЛТ.
76 Отклоняющие системы ЭЛТ.
77 Экран ЭЛТ и его параметры.
1. Потенциал экрана – величина напряжения, обеспечивающая равновесие заряда на экране;
2. Цвет свечения – определяется спектральной характеристикой люминофора при его возбуждении.
3. Яркость свечения – определяется силой света, излучаемой единицей площади равномерно светящейся поверхности экрана в направлении наблюдателя:
A и n – коэффициенты, зависящие от свойств люминофора; плотность тока луча; разность потенциалов между катодом и экраном; минимальный потенциал экрана, при котором появляется свечение.
4. Светоотдача – определяется отношением силы света, излуча-емой люминофором нормально к поверхности экрана, к мощности электронного луча, падающего на экран в направлениинаблюдателя
5. Разрешающая способность – определяет свойство ЭЛТ воспроизводить детали изображения.
6. Длительность послесвечения – время, в течение которого яркость свечения уменьшается до 1 % или до уровня яркости фона, при прекращении электронной бомбардировки:
Очень короткое – до 10 мкс;
Короткое послесвечение – 10 мкс – 10 мс;
Среднее послесвечение – 10 мс – 0,1 с;
Длительное послесвечение – 0,1 с – 16 с;
Очень длительное послесвечение – свыше 16 с.