- •1. Определение электронных приборов. Классификация электронных приборов
- •2. Режимы и параметры электронных приборов
- •3.Электропроводность материалов.
- •4. Понятие электрохимического потенциала (уровня Ферми).
- •5.Собственная проводимость.
- •6.Примесная электропроводность полупроводниковых материалов.
- •7. Электрические переходы в полупроводниковых приборах
- •10. Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии
- •11.Обратное включение.
- •12. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода
- •13. Свойства p-n-перехода
- •14 Устройство и принцип действия полупровдниковых диодов.
- •15. Классификация полупроводниковых диодов.
- •16. Система условных обозначений диодов.
- •17. Выпрямительные диоды
- •18. Стабилитроны
- •19. Варикапы
- •20. Импульсные диоды
- •21. Диоды с накоплением заряда (днз).
- •22. Диоды с барьером Шотки.
- •23 Туннельные и обращённые диоды
- •25. Определение и устройство биполярного транзистора.
- •26. Классификация биполярных транзисторов.
- •27. Система обозначений транзисторов.
- •28. Режимы работы биполярного транзистора.
- •29. Схемы включения биполярного транзистора.
- •30. Принцип работы биполярного транзи стора.
- •31.Токи в биполярном транзисторе.
- •32. Формальная модель транзистора.
- •33.Системы параметров транзистора.
- •34. Статические характеристики биполярных транзисторов схеме с об
- •35. Влияние температуры на вах транзистора
- •36. Дифференциальные параметры транзистора.
- •37. Определение h-параметров транзистора по статическим вах.
- •38. Большой Сигнал Модель Эберса-Молла
- •39.Малосигнальная модель бт
- •40. Физические параметры транзистора.
- •41. Эквивалентные схемы замещения транзистора.
- •42. Работа биполярного транзистора в режиме усиления.
- •43. Частотные свойства транзистора.
- •44. Работа транзистора в импульсном режиме
- •45. Основные параметры
- •46. Область применения
- •47 Определение и классификация полевых транзисторов.
- •48. Устройство и обозначение полевых транзисторов.
- •49. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом.
- •50. Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп - транзисторы)
- •51. Статистические вольтамперные хар-и (вах) пол. Транзисторов.
- •52. Влияние температуры на вах полевых транзисторов.
- •54. Работа полевого транзистора в режиме усиления.
- •55. Частотные свойства полевых транзисторов.
- •56. Основные параметры полевых транзисторов.
- •57 Определение и классификация переключающих электронных приборов.
- •58. Устройство и обозначение тиристоров.
- •59 Диодные тиристоры.
- •60. Триодные тиристоры.
- •61. Симметричные тиристоры (симисторы).
- •62 Основные параметры транзисторов.
- •63 Однопереходные транзисторы.
- •64 Основные понятия оптоэлектроники.
- •65 Источники оптического излучения.
- •66 Светодиоды.
- •67 Приемники оптического излучения.
- •68 Фоторезисторы.
- •69 Фотодиоды.
- •70 Фототранзистор
- •71 Оптроны
- •72 Классификация приборов для отображения информации.
- •73 Электронно-лучевая трубка (элт).
- •78 Осциллографические трубки.
- •79 Индикаторные трубки.
- •80 Кинескопы.
- •81 Система обозначений элт.
- •82 Вакуумные люминесцентные индикаторы.
- •83Вакуумные накаливаемые индикаторы.
- •84 Газоразрядные индикаторные приборы.
- •85 Полупроводниковые индикаторы.
- •86 Жидкокристаллические индикаторы
- •87.Устройство и принцип действия приборов с зарядовой связью
- •88. На основе пзс, таким образом, можно строить сдвиговые регистры по-
- •89. Параметры приборов с зарядовой связью
- •91. Шумы электронных приборов и далее до 98.
19. Варикапы
В варикапах используется зависимость барьерной емкости p-n-перехода от обратного напряжения. Они делятся на подстроечные, или варикапы, и умножительные, или варакторы. Варикапы используются для изменения резонансной частоты колебательных систем. Варакторы применяются для умножения частоты.
Основными специальными параметрами варикапов являются:
номинальная емкость Св, измеренная при заданном обратном напряжении Uобр;
коэффициент перекрытия по емкости – отношение емкостей варикапа при двух заданных значениях обратного напряжения;
сопротивление потерь rп – суммарное активное сопротивление, включающее сопротивление кристалла, контактных соединений и выводов;
добротность – отношение реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте переменного сигнала к сопротивлению потерь;
температурный коэффициент емкости – отношение относительного изменения емкости к вызывавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды.
Кроме рассмотренных диодов выпускаются туннельные диоды, диоды Ганна, лавинно-пролетные диоды, успешно работающие в диапазоне сверхвысоких частот (0,3…300 ГГц), а также фото- и излучательные диоды, используемые в фотоэлектрических и оптоэлектронных приборах и в качестве светоиндикаторных устройств.
20. Импульсные диоды
Предназначены для работы в цифровых и других устройствах импульсной техники. Обозначаются так же, как и выпрямительные, имеют малую длительность переходных процессов. От выпрямительных диодов отличаются малыми емкостями p-n-перехода (доли пикофарад) и рядом параметров, определяющих переходные характеристики диода. Уменьшение емкостей достигается за счет уменьшения площади p-n-перехода, поэтому допустимые мощности рассеяния у них невелики (3040 мВт).
На работу импульсных диодов влияют эффекты накопления и рассасывания носителей заряда. При воздействии на диод коротких по времени импульсов начинает сказываться инерционность процессов рассасывания носителей и перезаряда его емкости. Время установления сопротивления прямовключенного p-n-перехода диода tуст определяется инжекцией носителей заряда, их диффузионным перемещением в глубь базы, которое уменьшает объемное сопротивление базы диода до своего стационарного состояния. После окончания прямоугольного импульса при обратном включении p-n-перехода первоначально резко увеличивается величина обратного тока вследствие интенсивного рассасывания неравновесных носителей с последующим его экспоненциальным уменьшением до стационарного значения теплового тока I0.Время восстановления обратного сопротивления перехода tвос до своего нормального значения определяется по формуле
,гдеvдр и vрек – скорости дрейфа и рекомбинации носителей в структуре, определяющие скорость рассасывания носителей, W – протяженность структуры диода между его выводами. Скорость дрейфа носителей зависит от напряженности поля, сравнительно невелика и имеет свой предел vнас. Для уменьшения tвос необходимо уменьшить объем полупроводниковой структуры и увеличить скорость рекомбинации неосновных носителей, что достигается технологией изготовления импульсных диодов: введением в исходный материал нейтральных примесей, чаще всего золота (Au), для создания так называемых "ловушек" – центров рекомбинации.Параметры импульсных диодов те же, что и у высокочастотных диодов. Кроме того, к ним добавляются специфические параметры:
общая емкость диода Сд (десятые долиединицы пикофарад);
максимальное импульсное прямое напряжение Uпр макс и;
максимально допустимый импульсный ток Iпр макс и;
время установления прямого напряжения tуст – интервал времени от момента подачи импульса прямого тока на диод до достижения заданного прямого напряжения (доли наносекунддоли микросекунд);
время обратного восстановления диода tвос – время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения (доли наносекунд доли микросекунд).
Для уменьшения tвос применяют специальные разновидности импульсных диодов: диоды с барьером Шотки (ДБШ), диоды с накоплением заряда (ДНЗ). В ДБШ переход выполнен на основе выпрямляющего контакта металл-полупроводник, в котором работа выхода из металла больше, чем работа выхода из полупроводника. У этих диодов не затрачивается время на накопление и рассасывание зарядов в базе, их быстродействие зависит только от скорости процесса перезаряда барьерной емкости. Конструктивно ДБШ выполняются в виде пластины низкоомного кремния, на которую нанесена высокоомная эпитаксиальная пленка с электропроводностью того же типа. На поверхность пленки вакуумным напылением нанесен слой металла. Инерционность ДБШ в основном определяется емкостью выпрямляющего контакта, которая может быть меньше 0,01 пФ.
ДНЗ – используется для формирования коротких прямоугольных импульсов. Это достигается за счет неравномерного легироания области диода. Для изготовления таких диодов применяются меза- и эпитаксиальная технология.