- •1. Определение электронных приборов. Классификация электронных приборов
- •2. Режимы и параметры электронных приборов
- •3.Электропроводность материалов.
- •4. Понятие электрохимического потенциала (уровня Ферми).
- •5.Собственная проводимость.
- •6.Примесная электропроводность полупроводниковых материалов.
- •7. Электрические переходы в полупроводниковых приборах
- •10. Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии
- •11.Обратное включение.
- •12. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода
- •13. Свойства p-n-перехода
- •14 Устройство и принцип действия полупровдниковых диодов.
- •15. Классификация полупроводниковых диодов.
- •16. Система условных обозначений диодов.
- •17. Выпрямительные диоды
- •18. Стабилитроны
- •19. Варикапы
- •20. Импульсные диоды
- •21. Диоды с накоплением заряда (днз).
- •22. Диоды с барьером Шотки.
- •23 Туннельные и обращённые диоды
- •25. Определение и устройство биполярного транзистора.
- •26. Классификация биполярных транзисторов.
- •27. Система обозначений транзисторов.
- •28. Режимы работы биполярного транзистора.
- •29. Схемы включения биполярного транзистора.
- •30. Принцип работы биполярного транзи стора.
- •31.Токи в биполярном транзисторе.
- •32. Формальная модель транзистора.
- •33.Системы параметров транзистора.
- •34. Статические характеристики биполярных транзисторов схеме с об
- •35. Влияние температуры на вах транзистора
- •36. Дифференциальные параметры транзистора.
- •37. Определение h-параметров транзистора по статическим вах.
- •38. Большой Сигнал Модель Эберса-Молла
- •39.Малосигнальная модель бт
- •40. Физические параметры транзистора.
- •41. Эквивалентные схемы замещения транзистора.
- •42. Работа биполярного транзистора в режиме усиления.
- •43. Частотные свойства транзистора.
- •44. Работа транзистора в импульсном режиме
- •45. Основные параметры
- •46. Область применения
- •47 Определение и классификация полевых транзисторов.
- •48. Устройство и обозначение полевых транзисторов.
- •49. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом.
- •50. Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп - транзисторы)
- •51. Статистические вольтамперные хар-и (вах) пол. Транзисторов.
- •52. Влияние температуры на вах полевых транзисторов.
- •54. Работа полевого транзистора в режиме усиления.
- •55. Частотные свойства полевых транзисторов.
- •56. Основные параметры полевых транзисторов.
- •57 Определение и классификация переключающих электронных приборов.
- •58. Устройство и обозначение тиристоров.
- •59 Диодные тиристоры.
- •60. Триодные тиристоры.
- •61. Симметричные тиристоры (симисторы).
- •62 Основные параметры транзисторов.
- •63 Однопереходные транзисторы.
- •64 Основные понятия оптоэлектроники.
- •65 Источники оптического излучения.
- •66 Светодиоды.
- •67 Приемники оптического излучения.
- •68 Фоторезисторы.
- •69 Фотодиоды.
- •70 Фототранзистор
- •71 Оптроны
- •72 Классификация приборов для отображения информации.
- •73 Электронно-лучевая трубка (элт).
- •78 Осциллографические трубки.
- •79 Индикаторные трубки.
- •80 Кинескопы.
- •81 Система обозначений элт.
- •82 Вакуумные люминесцентные индикаторы.
- •83Вакуумные накаливаемые индикаторы.
- •84 Газоразрядные индикаторные приборы.
- •85 Полупроводниковые индикаторы.
- •86 Жидкокристаллические индикаторы
- •87.Устройство и принцип действия приборов с зарядовой связью
- •88. На основе пзс, таким образом, можно строить сдвиговые регистры по-
- •89. Параметры приборов с зарядовой связью
- •91. Шумы электронных приборов и далее до 98.
10. Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии
Если к p-n-переходу подключить источник напряжения, равновесное состояние нарушится, и в цепи будет протекать ток. Различают прямое и обратное включения p-n-перехода.
10.Прямое включение. Пусть внешнее напряжение приложено плюсом к p-области, а минусом – к n-области. При этом оно противоположно по знаку контактной разности потенциалов. Так как концентрация подвижных носителей в p-n-переходе значительно ниже, чем в p- и n-областях, сопротивление p-n-перехода значительно выше сопротивления p- и n-областей. Можно считать, что приложенное напряжение полностью падает на переходе. Основные носители будут двигаться к контакту, сокращая дефицит носителей в p-n-переходе и уменьшать сопротивление и толщину p-n-перехода. Поток основных носителей через контакт увеличится. Ток, протекающий через переход, в данном случае называется прямым, а напряжение, приложенное к переходу – прямым напряжением. Диффузия дырок через переход приводит к увеличению концентрации дырок за переходом. Возникающий при этом градиент концентрации дырок обусловливает диффузионное проникновение их в глубь n-области, где они являются неосновными носителями. Это явление называется инжекцией (впрыскиванием). Инжекция дырок не нарушает электрической нейтральности в n-области, т.к. она сопровождается поступлением из внешней цепи такого же количества электронов.
11.Обратное включение.
Если внешнее напряжение приложено плюсом к n-области, а минусом к – p-области, то оно совпадает по знаку с контактной разностью потенциалов В этом случае напряжение на переходе возрастает, и высота потенциального барьера становится выше, чем при отсутствии напряжения.
Направление результирующего тока противоположно направлению прямого тока, поэтому он называется обратным током, а напряжение, вызывающее обратный ток, называется обратным напряжением. Поле в переходе является ускоряющим лишь для неосновных носителей. Под действием этого поля концентрация неосновных носителей на границе перехода снижается и появляется градиент концентрации носителей заряда. Это явление называется экстракцией носителей.
Так как число неосновных носителей мало, ток экстракции через переход намного меньше прямого тока. Он практически не зависит от приложенного напряжения и является током насыщения.
Таким образом, p-n-переход обладает несимметричной проводимостью: проводимость в прямом направлении значительно превышает проводимость p-n-перехода в обратном направлении, что нашло широкое применение при изготовлении полупроводниковых приборов.
12. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода
Вольт-амперная характеристика p-n-перехода представляет собой зависимость тока через p-n-переход от величины и полярности приложенного напряжения.
13. Свойства p-n-перехода
При больших отрицательных напряжениях в р-n-переходе наблюдается резкий рост обратного тока. Это явление называют пробоем р-n-перехода. Пробой перехода возникает при достаточно сильном электрическом поле, когда неосновные носителя зарядов ускоряются настолько, что ионизируют атомы полупроводника. При ионизации создаются электроны и дырки, которые, разгоняясь, снова ионизируют атомы и т. д., в результате чего диффузионный ток через переход резко возрастает, а на вольт-амперной характеристике р-n-перехода в области больших отрицательных напряжений наблюдается скачок обратного тока. Следует отметить, что после пробоя переход выходит из строя только тогда, когда происходят необратимые изменения его структуры в случае чрезмерного перегрева, который наблюдается при тепловом пробое. Если же мощность, выделяющаяся на р-n- переходе, поддерживается на допустимом уровне, он сохраняет работоспособность и после пробоя. Такой пробой называют электрическим (восстанавливаемым).