68 Фоторезисторы.

Фоторезистором называют полупроводниковый фотоэлектрический прибор с внутренним фотоэффектом, в котором используется явление фотопроводимости, т.е. изменение электрической проводимости полупроводника под действием оптического излучения.

Фоторезистор обладает начальной проводимостью, которую называют темновой

q – заряд электрона; n0 , p0 – концентрация подвижных носителей заряда в полупроводнике в равновесном состоянии,µ – подвижность электронов и дырок соответственно.

Под действием света в полупроводнике генерируются избыточные подвижные носители заряда, концентрация которых увеличивается на величину ∆n и ∆p, а проводимость полупроводника

изменяется на величину называемую фотопроводимостью.

При изменении яркости освещения изменяется фотопроводимость полупроводника. Увеличение проводимости полупроводника при освещении фоторезистора приводит к возрастанию тока в цепи. Разность токов при наличии и отсутствии освещения называют световым током, или фототоком.

Характеристики и параметры фоторезистора.

• ВАХ I=f(U)

• Световая I=f(Ф) при U<=const

• Спектральная S=f(длины волны)

Параметрами фоторезистора являются:

Темновое сопротивление – сопротивление фоторезистора при отсутствии освещения

Удельная интегральная чувствительность – отношение фототока к произведению светового потока на приложенное напряжение:

Граничная частота – это частота синусоидального сигнала, модулирующего световой поток, при котором чувствительность фоторезистора уменьшается в √2 раз по сравнению с чувствительностью при немодулированном потоке

Температурный коэффициент фототока – коэффициент, показывающий изменение фототока при изменении температуры и постоянном световом потоке.

Рабочие напряжение – номинальное напряжение между электродами фоторезистора.

69 Фотодиоды.

Фотодиодом называют полупроводниковый фотоэлектрический прибор, в котором используется внутренний фотоэффект.

Фотодиоды могут работать в одном из двух режимов:

без внешнего источника электрической энергии;

с внешним источником электрической энергии.

Схема включения фотодиода в вентильном режиме.

При отсутствии светового потока на границе p-n-перехода создается контактная разность потенциалов. Через переход навстречу друг другу протекают два тока дрейфовый и дифузионный , которые уравновешивают друг друга.

При освещении p-n-перехода фотоны, проходя в толщу полупроводника, сообщают части валентных электронов энергию, достаточную для перехода их в зону проводимости, т.е. за счет внутреннего фотоэффекта генерируются дополнительные пары электрон-дырка.

Под действием контактной разности потенциалов неосновные носители заряда n-области (дырки) переходят в р-область, а неосновные носители заряда р-области (электроны) – в n-область. Дрейфовый ток получает дополнительное приращение, называемое фототоком. Дрейф неосновных носителей приводит к накоплению избыточных дырок в р-области, а электронов – в n-области. Это приводит к созданию на зажимах фотодиода при разомкнутой

внешней цепи разности потенциалов, называемой фотоЭДС.

Вфотодиодном, или фотопреобразовательном, режиме работы последовательно с фотодиодом включается внешний источник энергии, смещающий диод в обратном направлении. При отсутствии светового потока под действием обратного напряжения через фотодиод протекает обычный начальный обратной ток, который называют темновым.

При освещении фотодиода кванты света выбивают электроны из валентных связей полупроводника. Увеличивается поток неосновных носителей заряда через р-n-переход.

Основные характеристики Фотодиода

• ВАХ I=f(U) Ф const

• Спектральный S=f(длина волны)

• Частотная Sит=f(f)

Параметрами фотодиодов являются:

• Темновой ток

• Рабочее напряжение

• Интегральная чувствительность

• Граничная частота