
- •1. Определение электронных приборов. Классификация электронных приборов
- •2. Режимы и параметры электронных приборов
- •3.Электропроводность материалов.
- •4. Понятие электрохимического потенциала (уровня Ферми).
- •5.Собственная проводимость.
- •6.Примесная электропроводность полупроводниковых материалов.
- •7. Электрические переходы в полупроводниковых приборах
- •10. Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии
- •11.Обратное включение.
- •12. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода
- •13. Свойства p-n-перехода
- •14 Устройство и принцип действия полупровдниковых диодов.
- •15. Классификация полупроводниковых диодов.
- •16. Система условных обозначений диодов.
- •17. Выпрямительные диоды
- •18. Стабилитроны
- •19. Варикапы
- •20. Импульсные диоды
- •21. Диоды с накоплением заряда (днз).
- •22. Диоды с барьером Шотки.
- •23 Туннельные и обращённые диоды
- •25. Определение и устройство биполярного транзистора.
- •26. Классификация биполярных транзисторов.
- •27. Система обозначений транзисторов.
- •28. Режимы работы биполярного транзистора.
- •29. Схемы включения биполярного транзистора.
- •30. Принцип работы биполярного транзи стора.
- •31.Токи в биполярном транзисторе.
- •32. Формальная модель транзистора.
- •33.Системы параметров транзистора.
- •34. Статические характеристики биполярных транзисторов схеме с об
- •35. Влияние температуры на вах транзистора
- •36. Дифференциальные параметры транзистора.
- •37. Определение h-параметров транзистора по статическим вах.
- •38. Большой Сигнал Модель Эберса-Молла
- •39.Малосигнальная модель бт
- •40. Физические параметры транзистора.
- •41. Эквивалентные схемы замещения транзистора.
- •42. Работа биполярного транзистора в режиме усиления.
- •43. Частотные свойства транзистора.
- •44. Работа транзистора в импульсном режиме
- •45. Основные параметры
- •46. Область применения
- •47 Определение и классификация полевых транзисторов.
- •48. Устройство и обозначение полевых транзисторов.
- •49. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом.
- •50. Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп - транзисторы)
- •51. Статистические вольтамперные хар-и (вах) пол. Транзисторов.
- •52. Влияние температуры на вах полевых транзисторов.
- •54. Работа полевого транзистора в режиме усиления.
- •55. Частотные свойства полевых транзисторов.
- •56. Основные параметры полевых транзисторов.
- •57 Определение и классификация переключающих электронных приборов.
- •58. Устройство и обозначение тиристоров.
- •59 Диодные тиристоры.
- •60. Триодные тиристоры.
- •61. Симметричные тиристоры (симисторы).
- •62 Основные параметры транзисторов.
- •63 Однопереходные транзисторы.
- •64 Основные понятия оптоэлектроники.
- •65 Источники оптического излучения.
- •66 Светодиоды.
- •67 Приемники оптического излучения.
- •68 Фоторезисторы.
- •69 Фотодиоды.
- •70 Фототранзистор
- •71 Оптроны
- •72 Классификация приборов для отображения информации.
- •73 Электронно-лучевая трубка (элт).
- •78 Осциллографические трубки.
- •79 Индикаторные трубки.
- •80 Кинескопы.
- •81 Система обозначений элт.
- •82 Вакуумные люминесцентные индикаторы.
- •83Вакуумные накаливаемые индикаторы.
- •84 Газоразрядные индикаторные приборы.
- •85 Полупроводниковые индикаторы.
- •86 Жидкокристаллические индикаторы
- •87.Устройство и принцип действия приборов с зарядовой связью
- •88. На основе пзс, таким образом, можно строить сдвиговые регистры по-
- •89. Параметры приборов с зарядовой связью
- •91. Шумы электронных приборов и далее до 98.
66 Светодиоды.
Светодиод – полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения, при смещении p-n-перехода в прямом направлении.
При
приложении прямого напряжения пр
U к p-n-переходу происходит диффузионный
перенос носителей через переход.
Увеличивается инжекция дырок в n-область,
а электронов – в р-область. Прохождение
тока через p-n-переход в прямом направлении
сопровождается рекомбинацией
инжектированных неосновных носителей
заряда. Рекомбинация происходит
как в самом p-n-переходе, так и в
примыкающих к переходу слоях, ширина
которых определяется диффузионными
длинами Ln и Lp. В большинстве полупроводников
рекомбинация осуществляется через
примесные центры (ловушки) вблизи
середины запрещенной зоны и сопровождается
выделением тепловой энергии – фонона.
В ряде случаев процесс рекомбинации
сопровождается выделением кванта
света – фотона.
Излучательная способность светодиода характеризуется:
внутренней квантовой эффективностью (или внутренним квантовым выходом), определяемой отношением числа генерируемых фотонов к числу инжектированных в активную область носителей заряда за один и тот же промежуток времени.
внешней квантовой эффективностью излучения (квантовым выходом), определяемой отношением числа фотонов, испускаемых диодом во внешнее пространство, к числу инжектируемых носителей через р-n-переход.
Основными характеристиками светодиодов являются: ВАХ, яркостная, спектральная.
Параметры светодиодов.
Сила света– световой поток, приходящийся на единицу телесного угла в заданном направлении,
Яркость излучения – отношение силы света к площади светящейся поверхности.
Постоянное прямое напряжение – падение напряжения на диоде при заданном токе (2…4 В).
Цвет свечения или длина волны, соответствующая максимальному световому потоку.
Максимально допустимый постоянный прямой ток определяет максимальную яркость излучения.
Максимальное допустимое постоянное обратное напряжение (единицы вольт).
Быстродействие излучающего диода определяется инерционностью возникновения из-
лучения при подаче прямоугольного импульса прямого тока.
Диапазон температур окружающей среды при которых светодиод сохраняет свою работоспособность.
67 Приемники оптического излучения.
Фотоприемники – это оптоэлектронные приборы, предназначенные для преобразования энергии оптического излучения в электрическую энергию.
Функции фотоприемников могут выполнять:
фоторезисторы,
фотодиоды,
фототранзисторы,
фототиристоры и т.д.
Для получения максимального преобразования оптического излучения в электрический сигнал
необходимо согласовывать спектральные характеристики фотоизлучателей и фотоприемников.
Работа фотоприемников основана на одном из трех видов фотоэлектрических явлений:
внутреннем фотоэффекте – изменении электропроводности вещества при его освещении;
внешнем фотоэффекте – испускании веществом электронов под действием света (используется в вакуумных и газонаполненных фотоэлементах);
фотоэффекте в запирающем слое – возникновении ЭДС на границе двух материалов под действием света.