- •Введение
- •Задачи дисциплины.
- •1.Основные понятия и определения теории надежности
- •1.1.Основные понятия и определения
- •1.2.2. Вероятность отказа элементов.
- •1.2.3 Функция надежности и функция распределения.
- •1.2.4.Вероятность безотказной работы системы.
- •1.2.5.Вероятность отказа системы q(t)
- •1.2.7.Частота отказов.
- •1.2.6.Условная вероятность безотказной работы в произвольный промежуток времени.
- •1.2.8.Средняя частота отказа (параметр потоотказов)
- •1.2.9.Интесивность отказов
- •1.2.10.Среднее время безотказной работы.
- •1.3. Критерий восстанавливаемости
- •1.3.1 Вероятность восстановления
- •1.3.3.Интесивность восстановления (параметр потока восстановления)
- •Например
- •1.5.2.Коэффициент готовности.
- •1.5.3.Коэфициент простоя.
- •1.5.4.Коэффициент стоимости эксплуатации.
- •С0 Покупная стоимость аппаратуры
- •2.Методы расчета надежности нерезервируемой аппаратуры.
- •2.1.Основные соотношения
- •2.1.1.Сушность расчета надежности.
- •2.1.2.Формула надежности при произвольном законе распределения времени исправной работы.
- •2.1.3 Экспоненциальный закон надежности.
- •2.2.Приближенные расчеты надежности.
- •2.2.1 Расчет надежности по среднегрупповым интенсивностям отказов элементов.
- •Учитывая большой разброс табличных данных идут по одному из путей
- •2.2.2.Расчет надежности с испытанием данных из опыта эксплуатации.
- •Достоинства метода Простота
- •Недостатки
- •2.2.3 Расчет надежности по интенсивностям отказа элементов испытанием коэффициента перерасчета.
- •2.3 Расчет надежности при подборе типов элементов.
- •2.4.Влиянеи режимов работы эксплуатации на надежность элементов.
- •2.5.Надежность типовых элементов.
- •2.5.1.Надежность резисторов.
- •2.5.2.Надежность конденсаторов
- •Причины отказов
- •Рекомендации по обеспечению надежности. С
- •2.5.3.Надежность реле.
- •2.5.4.Надежность полупроводниковых приборов.
- •Рф фактическая рассеиваемость на мощности на коллекторе
- •2.6.Уточненные расчеты надежности.
- •При этом препятствует что
- •Для расчета необходимо знать
- •2.7.Рачет надежности с учетом старения.
- •3.Обработка статистических данных и определение количественных характеристик надежности.
- •3.1.Построени графиков вероятности безотказной работы.
- •Определения числа отказов по теоретическому закону
- •Затем определить вероятность
- •3.2.Определения параметров распределения при экспоненциальном законе.
- •3.3.Определения численных характеристик для износовых отказов.
- •3.4.Определение доверительных интервалов.
- •Данная задача может решаться в двух вариантах
- •4.Контрольные испытания на надежность.
- •4.Идеальная оперативная характеристика
- •4.2.Реальная оперативная характеристика.
- •4.3.Контроль надежности по одному уровню.
- •4.4.Конторольная надежность по двум уровням.
- •4.5.Контроль надежности по методу последовательного анализа.
- •Рассмотрим условия приемки
- •По этим двум уравнениям строятся линии на графике
- •5.Резервирование.
- •5.1.Классификация систем резервирования.
- •Пример общего резервирования
- •Пример раздельного резервирования
- •Резервное решающим органом
- •5.2.Каличественные характеристики резервирования.
- •5.2.1.Нагруженный резерв.
- •5.3.Влияние системы обслуживания на эффективность резервирования.
- •5.4.Влияние времени безотказной работы на эффективность резервирования.
- •6.Элементы теория Марковских случайный процесс.
- •6.1.Вывод уравнения Колмогорова.
- •Предельные вероятности состояния.
- •Составим уравнение, левые части которых прировняем к нулю
2.5.4.Надежность полупроводниковых приборов.
Полупроводниковые приборы чувствительны к перегрузкам как по I так и по U
Для германиевых диодов и транзисторов интенсивность лежит в интервале.
λо= ( 1.5 …… 3 ) * 10-6 1/ч
Для кремневых λо = 1*106 1/r
Для микромодулей и микросхем λо = 0.01 *10-6 1/ч
Отказы к полупроводниковых приборов бывают постепенно и внезапно для синелевых диодов характерны постепенные отказы. Для транзисторов чаще всего внезапные отказы, пробой коротким замыканием и реже всегообрыв обрыв, перегорание соединений.
Постепенно отказы в транзисторах характеризуются понижению Кус по току и ростом неуправляемого обратоного тока.
Полупроводниковые приборы чувствительны к перегрузкам, особенно точечные, они выходят из строя за тысячные доли секунд. Причина этих отказов малая тепловая инертность.
Причины перегрузок
-Переходные процессы
-Кратковременное повышения U
-Изменения параметров других приборов
КVTн = Рф / Рн (для транзисторов) |
(2.19) |
где
Рф фактическая рассеиваемость на мощности на коллекторе
Рн допустимая мощность, которая может рассеяна на коллекторе
Надежность полупроводниковых приборов также сильно зависит от температуры, так для германиевых диодов при температуре окружающей среды больше 20˚С предельно допустимая мощность, рассеиваемость на коллекторе определяется следующим образом.
Ркmax = 90˚С – t корпуса˚С / 2˚С/Вт |
(2.20) |
Кроме того, при повышении температуры растет Iобр он увеличивается в 2 раза на каждые 10˚С, то есть имеет экспоненциальное значение
Повышенная влажность приводит к коррозии. Попадание влажности на полупроводниковые материал, выводит прибор из строя, особенно сильно влияет на надежность радиации.
2.6.Уточненные расчеты надежности.
Производятся на последнем этапе проектирования. По готовым схемам определяется температура и электронная нагрузка на каждый элемент.
Сущность метода уточнения расчета с учетом режимов работы элементов состоит в том, что вместо средне групповых значений отказов в формулу подставляется интенсивность отказов λi(ν) зависящая от режимов работы и температуры элементов λi(ν) – определяется по формулам, таблицам или графикам
При этом препятствует что
1) Справедлив экспоненциальный. Закон надежности
2) Отказы элементов взаимно не зависящий
Для расчета необходимо знать
1) Режимы работы каждого элемента, то есть Кн и температуру
2) Количество элементов каждого типа
3) Интенсивность отказов элементов различных типов при соответствующих режимах λi(ν)
Расчет производиться по тем же формулам что и приблизительный расчет.
к Λ (ν) = ∑ Niλi(ν) i=1 |
(2.21) |
To = 1/ Λ (ν) |
(2.22) |
P(t) = e- Λ (ν)t |
(2.23) |
Расчет удобно производить покаскадно в следующем порядке.
1) Производиться разделение аппаратуры на блоки, узлы и каскады и на основании этого высчитывается структурная схема надежности
2) В каждом блоке производится детальный анализ элементов темповых режимов и определяется Кн элементов.
3) Определяется интенсивность отказов элементов при заданных режимах λi(ν)
4) Рассчитывается интенсивность отказов блоков по формулам
5) Определяется общая интенсивность отказов систем
6) Определяется остальные количественные характеристики надежности.
Пример1: расчет надежности RC – фильтра при различных режимов его работы
1).Кн = 1;t=80˚С →λ1(ν) = (2+2*10)*106 =22*106 1/r
2). Кн =0.5 ; t=40˚С → λ2(ν) = (0.9 +2*0.15)*106 = 1.2*10 1/r
Результаты сводятся в таблицу
Структурная схема надежности
Надежность увеличивается в 20 раз
Пример2 Определит вероятность безотказной работыв точении 10000 часов без учета и с учетом усл. работы тригера.
R1,R2 – сопротивление МЛТ–0.5–620 Ом
R3,R4 – МЛТ – 0.25 – 3.3 кОм
R5,R6 – МЛТ – 0.25 – 10 кОм
С1,С2 – слюденной конденсатор
Un – 20В
VT1,Vt2 – МП 40 , Рн = 100мВт
Un = 12В
Есm = 6В
Решение
1.определение Кн элементов
Iк = Un – ΔUVT2 / 620 =(12 – 0.5)/620 = 20*10-3 A
К R1R н = Рф / Рн = I2к * R22 / 0,5 = (20 * 10-3)2*620/ 0.5 = 0.5
I=12–0,5/(R1 R2)=(12–0,5)/(620+3300)=3,5*10-3 A
К R3R4н = I2 R3/0,25 = 0.16
КR5R6н =0,1
К С1С2н = Uф/Uн = 12 / 20 = 0.6
К VT1VT2н = Рф/Рн =(20 * 10-3 А * 0.5 В)/ 100 * 10-3 Вт = 0.1
Тепловой расчет определяется t˚C элементов
Обозначение в схеме |
Тип элемента |
N i |
Кн |
t˚C |
α1 |
λ1(ν)*10-6 |
Niλi(ν)10-6 |
λо 10-6 |
R1 R2 |
МЛТ-0.5-620 Ом |
2 |
0,5 |
25 |
0,45 |
0,23 |
0,46 |
0,5 |
R3 R4 |
МЛТ-0.25-3.3 кОм |
2 |
0,5 |
25 |
0,25 |
0,1 |
0,2 |
0,4 |
R5 R6 |
МЛТ-0,25-10кОм |
2 |
0,5 |
25 |
0,1 |
0,175 |
0,07 |
0,14 |
С1 С2 |
КСО1 |
2 |
0,5 |
25 |
0,6 |
0,208 |
0,25 |
0,5 |
VT1 VT2 |
МП- 40 |
2 |
0,5 |
25 |
0,1 |
0,2 |
0,92 |
1,84 |
Определить интенсивность отказа триггера без учета условий эксплуатаций.
1. Λт1 (ν) = ( 2*0.5 +2*0.4+2*0.4+2*1.2+2*4.6) * 106 = 14.2 * 106 1/ч
2. Λт2 (ν) = ( 0.46+0.2+0.14+0.50+1.84) = 3.14 * 106 1/ч
-14.2*10-6*10-4
1.Р (10000) = е = 0,8694
-3.14 * 10-6* 104
2.Р(10000) = е = 0.9704
Наработка на отказ.
То1 = 1 / λ(ν) = 7042 ч
То2 = 31847 ч
Опыт эксплуатации аппаратуры показывает, что при достаточно высокой частоте включения происходит повышение интенсивности отказов. Интенсивность отказов можно определить
λ(ν) = λр(ν)+ λцn
где
λр(ν) интенсивность отказов при непрерывной работ аппаратуры
λц интенсивность отказов на 1 цикл включения
n средняя частота включения в час
λр(ν) = λоα1α2
Если при определенных характеристиках надежность системы на интервале t окажется, что часть этого времени находится в выключенном состоянии, то есть tхр=t-tр ,то необходимо учитывать, что в выключенном состоянии интенсивность λхр меньше интенсивности отказов λ(ν)
Учитывая работу хранения и выключения аппаратуры, вероятность безотказной работы системы или элемента можно определить из следующего выражения.
P(t) = exp [-λp(ν) tp (1+α*z+φ*N*/tp)]
где
α = λхр| λp(ν); φ = λц| λp(ν) ; z = Txp / tp
где
λхр интенсивность отказов аппаратуры в выключенном состоянии
для полупроводниковых приборов λхр = (0.01 ÷0.1)
N* обшее число включений за рассмотренный промежуток t
