
- •Кр №3 «Медицинская электроника»
- •1.Электробезопасность при работе с электромедицинской аппаратурой. Методы обеспечения безопасности
- •2.Характеристика защиты электромедицинской аппаратуры (основные степени и классы защиты от поражения электрическим током)
- •3.Надёжность медицинской аппаратуры. Основные категории надёжности. Классификация медицинской аппаратуры по надёжности
- •4. Электрический импульс и импульсный ток. Виды импульсов
- •Импульсный сигнал и его характеристики.
- •Токи Ледюка.
- •Синусоидально-модулированный ток
- •Дифференцирующая ячейка.
- •Интегрирующая ячейка.
- •Получение ддт
- •5. Шкала электромагнитных волны
- •6.Использование электромагнитных полей в физиотерапии (увч - терапия, диатермия, дарсонвализация). Механизм действия на организм.
- •Принцип диатермии
- •Принцип индуктотермии.
- •7, 8. Механизм действия постоянного магнитного поля на организм. Механизм термического и атермического действия полей свч на организм
- •9. Блок-схема диагностического прибора, работающего в масштабе реального времени. Назначение отдельных блоков
- •10. Электроды. Основные требования к электродам. Классификация
- •Эквивалентная схема входной цепи диагностического прибора.
- •1. Электроды для кратковременного применения. Эти электроды используются в кабинетах функциональной диагностики:
- •Эквивалентная схема входной цепи диагностического прибора.
- •12. Датчики медико-биологической информации
- •Классификация датчиков
- •13. Основные метрологические характеристики датчиков и методы их определения.
- •Амплитудная характеристика датчика
- •Принцип определения времени реакция датчика.
- •14. Физические принципы работы термисторных, термоэлектрических, пьезоэлектрических, тензорезисторных, индуктивных, емкостных и индукционных датчиков.
- •15. Устройство и принцип действия датчиков температуры (термисторный и термоэлектрический датчики). Их преимущества и недостатки. Температурный коэффициент сопротивления термисторных датчиков.
- •17.Устройство и принцип действия датчиков параметров системы дыхания (контактный датчик, датчик из углеродистой резины, турбинный датчик, датчик оксигемографа).
- •Датчик из углеродистой резины
- •Датчик оксигемографа
- •18.Датчики тканевого обмена веществ (катионочувствительный и микроспектро-фотометрический датчики). Катионочувствительный датчик
- •Микроспектрофотометрическии датчик
- •19. Виды физиологических сигналов и их характеристики. Назначение усилителя биоэлектрических сигналов. Основные требования к усилителям.
- •Виды физиологических сигналов и их характеристики.
- •20. Основные метрологические характеристики усилителей. Искажения в усилителях: виды, их происхождение, способы устранения. Временные зависимости с искажениями и без искажений.
- •Амплитудная характеристика усилителя
- •Частотные характеристики усилителя постоянного (а) и усилителя переменного (б) тока.
- •Эквивалентная схема входной цепи диагностического прибора
- •21. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Обозначение транзисторов на схемах.
- •Обозначение транзисторов на электрических схемах
- •21. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Обозначение транзисторов на схемах.
- •22.Устройство и принцип действия полевого транзистора. Его преимущество.
- •23.Схема усилительного каскада на транзисторе. Назначение отдельных элементов усилительного каскада. Многокаскадное усиление.
- •Многокаскадное усиление
- •24. Согласование входного и выходного сопротивлений усилительных каскадов.
- •25. Требования к уор. Метрологические характеристики аналоговых уор и методы их определения.
- •Амплитудная характеристика уор.
- •26. Аналоговые уор. Классификация, устройство, принцип действия, метрологические характеристики различных аналоговых уор.
- •27. Дискретные уор. Классификация, устройство, принцип действия, метрологические характеристики различных уор.
- •Сигнализирующие устройства
- •Принтеры
- •28. Комбинированные уор. Классификация, устройство и принцип действия, метрологические характеристики различных уор.
- •30. Системы обработки медико-биологической информации. Основные требования, способы обработки. Классификация автоматических методов обработки.
- •31. Назначение, блок-схема, принципиальная схема и принцип действия аналогового интегратора.
- •Блок-схема аналогового интегратора.
- •Принципиальная схема аналогового интегратора.
- •Временная диаграмма работы аналогового интегратора
- •32. Назначение, блок схема, принципиальная схема и принцип действия дискретного интегратора
- •Блок-схема дискретного интегратора.
- •Временная диаграмма работы дискретного интегратора.
- •33. Частотные анализаторы (электрические фильтры). Метрологические характеристики, классификация.
- •34. Устройство и принцип действия пассивного электрического фильтра. Амплитудно-частотная характеристика полосового фильтра. Методика отыскания полосы прозрачности фильтра.
- •Принципиальная схема пассивного электрического фильтра.
- •Амплитудно-частотная характеристика полосового электрического фильтра.
- •35. Специальные методы обработки информации.
- •Типичный вид экг
23.Схема усилительного каскада на транзисторе. Назначение отдельных элементов усилительного каскада. Многокаскадное усиление.
Усилители биологических сигналов на транзисторах структурно состоят из соединенных в цепочки элементарных звеньев, которые получили название - усилительные каскады. Основой каждого каскада является усилительный прибор - транзистор.
В основе работы транзистора лежит свойство р-n - перехода. Эта структура образуется на границе раздела полупроводников с различным типом проводимости. К полупроводникам относятся материалы с удельным сопротивлением, р = 10-5 - 10-8 Ом • м.
При контакте двух полупроводников на границе их раздела образуется зона объемного заряда за счет диффузии основных носителей в зоны с противоположной проводимостью.
Структура р-n - перехода приведена на рисунке:
Схема полупроводникового диода.
В области объемного заряда образуется поле напряженностью Ер-n, и при этом протекают три тока: ток диффузии (за счет градиента концентраций), ток рекомбинации и ток дрейфа основных носителей заряда. Основными носителями тока в р-полупроводнике являются дырки, а в n-полупроводнике - электроны. В условиях равновесного состояния перехода суммарная составляющая токов равна нулю.
При приложении внешнего поля (Еист) оно либо суммируется с полем объемного заряда, или вычитается из него в зависимости от полярности. Такие включения называются соответственно прямым и обратным.
При обратном включении Еобщ = Еист + Ер-n зона объемного заряда расширяется, и ток через прибор равен нулю. При прямом включении Еобщ — Еист • Ер-n, и через р-n - переход течет ток.
Многокаскадное усиление
Если транзистор включать по определенной схеме вместе с сопротивлениями и емкостями, то получится усилительный каскад. Существуют три схемы включения: с общим эмиттером (ОЭ), общей базой (ОБ) и общим коллектором (ОК).
Наиболее распространен каскад с ОЭ:
Схема усилителя с большим эмиттером
В этой схеме сопротивления R1 и R2 являются делителем напряжения и за счёт только одного коллекторного источника питания создают необходимое напряжение между базой и эмиттером.
C1 и С2 - разделительные конденсаторы. Они не пропускают постоянную составляющую входного и выходного напряжения, так как данный усилитель служит для усиления только переменных токов. RK - сопротивление коллекторной нагрузки. Для увеличения коэффициента усиления и получения наилучших параметров используется последовательное включение одиночных каскадов. Такие усилители называются многокаскадными. Для многокаскадного усилителя коэффициент усиления равен произведению коэффициентов усиления каждого отдельного каскада: Кус = Kyc1 • Кус2 .
24. Согласование входного и выходного сопротивлений усилительных каскадов.
По закону Ома: Iвх = Е / (Rэ-к + Rвх).
Тогда: Uвх = Iвх • Rвх = Е• Rвх/( Rэ-к + Rвх). Из последней формулы видно, что если Rвх → ∞ то Uвх → Е. Для усилителей Rвх должно быть не менее 100 МОм. Для того чтобы не шунтировать следующие за усилителем блоки диагностического прибора, сопротивление выхода усилителя должно быть примерно равным сопротивлению входа следующего блока диагностического прибора.