- •I. Строение веществ. 5
- •I. Строение веществ.
- •1. Межатомное взаимодействие.
- •2. Типы химических связей.
- •3. Кристаллическая структура твердых тел.
- •4. Дефекты кристаллических решеток.
- •4.1 Точечные дефекты решетки
- •4.2 Линейные дефекты кристаллической решетки.
- •4.3 Поверхностные дефекты кристаллической решетки.
- •4.4 Объёмные дефекты кристаллической решетки.
- •4.5 Энергетические дефекты кристаллической решетки.
- •5. Основы теории сплавов.
- •6. Диаграммы состояния сплавов и закономерности Курнакова.
- •7. Строение электронных зон. Проводники, диэлектрики и полупроводники.
- •II. Кристаллизация металлов
- •1. Самопроизвольная кристаллизация
- •2. Несамопроизвольная кристаллизация
- •3. Получение монокристаллов
- •4. Аморфное состояние металлов
- •5. Полиморфизм
- •III. Проводниковые материалы
- •1 Материалы высокой электропроводности.
- •2 Материалы высокого удельного сопротивления.
- •2.1 Сплавы на основе меди.
- •2.2 Никель-хромовые сплавы.
- •2.3 Железохромалюминиевые сплавы
- •2.4 Сплавы на основе благородных металлов.
- •3 Материалы электрических контактов
- •3.1 Зажимные контакты
- •3.2 Цельнометаллические контакты
- •3.3 Материалы разрывных контактов.
- •3.4 Материалы скользящих контактов.
- •IV. Магнитные материалы
- •1. Природа ферромагнетизма.
- •1.1. Доменная структура ферромагнетиков.
- •1.2. Кривая намагничивания
- •2. Основные классы магнитных материалов.
- •2.1. Промышленные магнитомягкие материалы
- •Электротехническая сталь
- •2.2 Магнитомягкие материалы для работы в слабых полях
- •2.3 Магнитомягкие материалы, предназначенные для работы в высокочастотных полях.
- •3. Магнитотвердые материалы
- •3.1 Промышленные магнитотвердые материалы.
- •3.2. Дисперсионно твердеющие сплавы
- •3.3 Деформируемые магнитотвердые материалы.
- •3.4 Магнитотвердые ферриты
- •3.5 Высококоэрцитивные магниты.
1. Природа ферромагнетизма.
Согласно гипотезе Ампера внутри атомов и молекул текут молекулярные токи, а следовательно, имеются магнитные диполи. По сути дела гипотеза Ампера блестяще подтвердилась, когда была понята электронная структура атома. Движение электронов вокруг ядер атомов является элементарными токами, создающими магнитные моменты.
Более строгое рассмотрение элементарных магнитных моментов свидетельствует о том, что у атома имеются магнитные моменты ядер, орбитальные магнитные моменты электронов и спиновые магнитные моменты электронов. Магнитные моменты ядер атомов ничтожно малы по сравнению с магнитными моментами электронов, поэтому их влиянием на магнитные свойства материалов можно пренебречь. Орбитальные магнитные моменты электронов также заметно меньше спиновых магнитных моментов. Поэтому магнитные свойства материалов в основном определяются спиновыми магнитными моментами электронов.
Согласно правилу Хунда заполнение электронных орбиталей производится таким образом, чтобы магнитный и механический моменты электронов были максимальны. У переходных металлов внутренние электронные орбитали (3d или 5f) заполнены не полностью. Поэтому у атомов таких элементом имеется значительный магнитный момент.
В том случае, когда внутренние орбитали атомов заполнены, не полностью происходит обмен электронами незаполненных орбиталей соседних атомов. При этом энергия атомов понижается на величину обменной энергии (Uобм). Величина обменной энергии зависит от квантовомеханической функции - обменного интеграла (А) и взаимной ориентации суммарных спиновых моментов соседних атомов:
Uобм = -А (s1s2) (3.2)
Обменное взаимодействие может привести к взаимной ориентации магнитных моментов соседних атомов. В зависимости от ориентации магнитных моментов соседних атомов все вещества делят на ферромагнетики, антиферромагнетики и парамагнетики. Рассмотрим влияние обменного взаимодействия на ориентацию магнитных моментов соседних атомов подробнее.
Обменный интеграл зависит от расстояния между соседними атомами (а) и от радиуса незаполненных орбиталей (r) или в обобщенном виде от отношения (а/r). Зависимость обменного интеграла от отношения а/r показана на рисунке 46.
Рис. 46. Зависимость
обменного интеграла (А) от расстояния
между атомами, отнесенного к радиусу
незаполненной электронной оболочки
(a/r).
Таким образом, для того чтобы вещество было ферромагнитным необходимо выполнение двух условий:
1). В состав материала должны входить атомы переходных металлов, обладающих большими магнитными моментами;
2). Отношение расстояния между атомами к радиусу незаполненных электронных оболочек должно превышать 3.