13. Статичні характеристики динистора.

Якщо напруга на диністорі досягне напруги вмикання , то робоча точка стрибком переходить зі стану А в . При зменшенні напруги робоча точка із В стрибком переходить у . Робочою ділянкою ВАХ є ділянка . При цьому спад напруги між анодом і катодом диністора невеликий, оскільки всі переходи зміщені в прямому напрямі. ля вимикання Д. необхідно зменшити прямий струм до значення, що не перевищує значення струму утримування (точка В), або подати на Д. напругу зворотної полярності. Після зміни полярності зовнішньої напруги переходи 1 і 3 зміщуються у зворотному напрямі, а перехід 2 залишається прямо зміщеним. ВАХ така сама, як і у звичайного діода для зворотного вмикання (ІV – область зворотного зміщення та V – область пробою структури).

14. Типи напівпровідників, що використовуються в електроніці.

Напівпровідниковими матеріалами називаються матеріали, які мають питомий опір(по-російські – удельное сопротивление) в межах ρ = 10 ⁻⁵ ÷ 10¹⁰ Ом · см, та займають по цьому показнику проміжне положення між металами (ρ = 10 ⁻⁶…10 ⁻⁵ Ом∙см) та діелектриками (ρ = 10¹⁰…10¹⁵ Ом∙см).

Напівпровідниковими властивостями володіють як неорганічні, так і органічні; кристалічні та аморфні, тверді та рідкі, немагнітні та магнітні матеріали.

При виготовленні НП, а також ІС найчастіше використовують такі напівпровідникові матеріали, як Ge – германій, Si – кремній та GaAs – арсенід галію.

15. Основні процеси в транзисторі. Умови функціонування біполярного транзистора.

Принцип дії БТ (бездрейфового) оснований на використанні наступних явищ:

1) інжекції неосновних носіїв в область бази;

2) переносу інжектованих носіїв через базу внаслідок дифузії;

3) екстракції носіїв із бази в колектор полем колекторного переходу.

Умови функціонування біполярного транзистора.

БT р-n-р типу	БT n-р-n типу
Умови інжекції спрямованої
Умови малої рекомбінації в базі БT.
Умови екстракції

16. Ємності р-п-переходу.

Величина об’ємних зарядів у переході та поблизу його границь змінюється із зміною напруги, прикладеної до переходу. Це відбувається тому, що в залежності від напруги змінюється ширина запірного шару, а також концентрація основних і неосновних носіїв поблизу границь переходу.

Наявність різних за знаком зарядів по різні боки границі дозволяє вважати, що перехід має електричну ємність. Розрізняють бар’єрну і дифузійну ємність (див. рис. 1).

Як видно з рис. 1 область об’ємного заряду являє собою подвійний шар протилежних по знаку нерухомих зарядів. Цей подвійний шар можна уподібнити обкладинкам площинного (по російські – плоского) конденсатора, зарядженого до потенціалу φ.

Якщо прикласти зовнішню зворотну напругу, різниці потенціалів між електронною та дірковою областями напівпровідника збільшується, що призводить до збільшення об’ємних зарядів в цих областях напівпровідника. Через те, що об’ємні заряди створюються нерухомими іонами атомів донорів та акцепторів, збільшення об’ємного заряду може бути пов’язано тільки з розширенням області об’ємного заряду. Іншими словами, при збільшенні зворотної напруги, прикладеної до переходу, збільшується область, збіднена рухомими носіями, збільшується δ.

Бар’єрна ємність.

Бар’єрна ємність, як і будь яка ємність площинного конденсатора, може бути подана у вигляді

(***)

де − ємність різкого переходу при U_зв = 0;

ε – відносна діелектрична проникненість р-n-переходу;

ε_о – діелектрична проникненість вакууму;

S – площа р-n-переходу.

Бар’єрна ємність буде тим більшою,

• чим більше концентрація рухомих носіїв заряду на межі області об’ємного заряду (отже, чим тонший шар області об’ємного заряду),

• і чим менше напруга на переході.

З виразу (***) видно, що з збільшенням прикладеної зворотної напруги бар’єрна ємність зменшується. Це відбувається тому, що збільшується ширина δ р-n-переходу.

Залежність С_бар = ƒ(U) називають вольт-фарадною характеристикою (див. рис. 1).