28. Статичні характеристики транзистора для схеми з загальною базою, їх особливості.

Кожна схема вмикання T. характеризується двома сім’ями статичних характеристик, які визначають співвідношення між струмами в колах електродів транзистора і напругами, що прикладені до цих електродів. Такими характеристиками є: вхідні , вихідні . Ці характеристики є незалежними і звичайно використовуються на практиці. Вони можуть бути побудовані за даними розрахунку або експерименту для кожної схеми вмикання.

Вхідні статичні характеристики для схеми з ЗБ показані на мал.1 при . При − характеристика подібна прямій вітці вольт-амперної характеристики діода.

При характеристика зміщується (зсувається) уверх, що пояснюється розширенням колекторного переходу та зменшенням ширини бази. В цьому випадку при збільшується градієнт концентрації дірок у базі . Це супроводжується збільшенням струму емітера.

Вихідні характеристики T. в схемі ЗБ при показані на мал.2.

Характеристика при є характеристикою колекторного р-n-переходу, зміщеного у зворотному напрямку. При цьому . Зі збільшенням струму емітера згідно з рівнянням . Як видно з графіка, при струм може досягати значної величини і практично не змінюється зі збільшенням .

Статичні характеристики визначають співвідношення струмів в колах електродів транзистора від напруг на цих електродах.

Зміна колекторної напруги від нуля до достатньо великих значень зворотної напруги лише у слабкому ступені впливає на струм колектора, тому що КП збирає усі дірки, які досягають до нього незалежно від величини напруги . Невелике збільшення колекторного струму при збільшенні пояснюється тим, що при цьому розширюється КП, зменшується ширина бази і незначно збільшується . При відбувається пробій колекторного переходу і колекторний струм різко зростає. Такий режим роботи є неприпустимим. На мал.2 бачимо дві області: активний режим ( коли колекторний перехід зміщений у зворотному напрямку); режим насичення ( , коли колекторний перехід зміщений у прямому напрямку; струм колектора зменшується до нуля). Це пояснюється тим, що виникає прямий струм КП який спрямовано назустріч струму зв’язаному з .

29. По яких ознаках класифікують уніполярні транзистори? Поясніть принцип дії польового транзистора із затвором у вигляді р-n переходу.

В залежності від типу провідності польовий транзистор може бути з p-каналом і n-каналом.

Існує 2 типи польових транзисторів:

1) Польовий транзистор з керуючим переходом

a. Польовий транзистор з керуючим pn-переходом

b. Польовий транзистор з керуючим переходом Шотки

2) Польовий транзистор зі структурою метал-діелектрик-напівпровідник / МДП-транзистор /. Найчастіше в якості діелектрика використовуються оксиди. Окремий випадок - метал-оксид-напівпровідник / МОП-транзистор/.

У ПТ з об’ємним каналом площа поперечного перерізу каналу змінюється за рахунок зміни площі збідненого шару зворотно ввімкненого р-n переходу. На мал.1 ПТ ввімкнений за схемою з ЗВ.

На р-n-перехід (затвор – витік) подається зворотна напруга . При її збільшенні глибина d збідненого шару (заштрихована область – область об’ємного заряду) збільшується, а струмопровідний переріз 2у каналу зменшується. При цьому збільшується опір каналу, а отже, зменшується вихідний струм транзистора. Оскільки напруга прикладена до р-n переходу у зворотному напрямку, струм дуже малий і практично не залежить від керуючої напруги. Напругу між затвором і витоком, при якій струм стоку = 0, називають напругою відсічки польового транзистора .

Ширина р-n переходу залежить також від струму, що протікає через канал. Якщо , наприклад, , то струм , протікаючи через канал, створить по довжині останнього спад напруги, яка виявляється запірною для переходу затвор – канал. Це приводить до збільшення ширини р-n переходу і відповідно до зменшення перерізу і провідності каналу, причому ширина р-n переходу збільшується по мірі наближення до області стоку, де буде мати місце найбільший спад напруги, викликаний струмом на опорі каналу . Так, якщо вважати, що опір T. визначається тільки опором каналу, то біля краю р-n переходу, зверненого до витоку, буде діяти напруга , а біля краю, зверненого до стоку, − напруга . При малих значеннях і малому транзистор поводить себе як лінійний опір. По мірі зростання канал все більше звужується у стокового краю.

Отже, напруга відсічки, визначена при малій напрузі < чисельно дорівнює напрузі насичення при = 0, а напруга насичення при визначеній напрузі на затворі дорівнює різниці напруги відсічки і напруги затвор – витік.