- •Мікросмужкові випромінювачі
- •Удк 621.391.67 План нмв 2012 р.
- •Схвалено
- •І Розрахунок мікросмужкових випромінювачів та антен
- •1 Смужкові лінії передавання
- •1.1 Термінологія, означення й розрахункові формули
- •1.2 Вибір основних геометричних параметрів сл
- •2 Елементи мікросмужкових антен
- •2.1 Мікросмужкові випромінювачі
- •2.2 Мсв прямокутного типу
- •2.2.1 Конструкція мсв
- •2.2.2 Еквівалентна схема мсв
- •2.2.3 Вхідний опір мсв
- •Облік втрат у мсв і коефіцієнт корисної дії.
- •2.2.5 Характеристика направленості мсв
- •3 Розрахунок параметрів мікросмужкових випромінювачів
- •4 Вплив допусків і розкиду параметрів матеріалу на характеристики мсв.
- •Іі Расчет микрополосковых излучателей и антенн
- •1 Полосковые линии передачи
- •2 Элементы микрополосковых антенн
- •2.1 Микрополосковые излучатели
- •2.2 Мпи прямоугольного типа
- •2.2.1 Конструкция мпи
- •2.2.2 Эквивалентная схема мпи.
- •2.2.3 Входное сопротивление мпи
- •2.2.4 Учет потерь в мпи и коэффициент полезного действия.
- •2.2.5 Характеристика направленности мпи
- •3 Расчет параметров микрополосковых излучателей.
- •4 Влияние допусков и разброса параметров материала на характеристики мпи.
- •6 Список рекомендованої літератури
2.2.3 Входное сопротивление мпи
Входное сопротивление излучателя определяется соотношением
, (8)
где
(9)
–
входное сопротивление отрезка
эквивалентной двухпроводной линии
длиной
нагруженной на сопротивление торцевой
щели
;
(10)
–
входное
сопротивление отрезка эквивалентной
двухпроводной линии, длиной
,
нагруженной на
,
а
– индуктивное сопротивление штыря.
В
приведенных формулах
−
волновое сопротивление ПЛ (без учета
потерь),
– постоянная распространения квази-Т
волны
– смещение точки питания вдоль
оси
относительно средней точки.
Из-за наличия емкостной реактивной составляющей сопротивления щелей резонансный размер МПИ выбирают несколько меньше значения, определяемого формулой (*).
Проводимость излучения каждой из торцевых щелей может быть представлена в виде суммы
, (11)
где
величины
и
определяются,
например, соотношениями
;
. (12)
где
волновое
число диэлектрика подложки.
Входное сопротивление МПИ в резонансном режиме при питании штырем существенно зависит от расположения штыря (положения точки питания). Смещение точки питания относительно середины излучателя позволяет получить нужное значение входного сопротивления МПИ на резонансной частоте и осуществить согласование.
При питании МПИ полосковой линией со стороны одной из торцевых щелей (рис. 9) входное сопротивление также определяется выражениями (8), (9) и (10).
Рисунок 9 – Возбуждение МПИ полосковой линией.
Так же, как и в предыдущем случае, нужное значение входного сопротивления получают путем смещения точки питания, как показано на рис. 11.
2.2.4 Учет потерь в мпи и коэффициент полезного действия.
При
проектировании МПА
важным моментом
является учет всех видов потерь. Мощность
,
подводимую к излучателю можно представить
в виде суммы мощностей
,
где
и
– мощности, излучаемые через торцевые
щели, затрачиваемые, соответственно,
на возбуждение пространственных и
поверхностных (распространяющихся
в подложке) волн,
и
– мощности, излучаемые через боковые
щели и имеющие тот же смысл,
– мощность тепловых потерь в
диэлектрике подложки,
мощность потерь в металле. Этим величинам
соответствуют проводимости
, (14)
отнесенные к току в точке питания. Расчет величин, входящих в (14), достаточно сложен (см. например, [3] , с. 98). С точностью, пригодной для инженерных расчетов, можно для определения слагаемых в (14) воспользоваться графиками, приведенными на рис. 10.
Рис.10 – Зависимость проводимостей МПИ от толщины подложки
Эффективность МПИ может быть определена по нескольким критериям.
Во-первых, по излученной мощности пространственных волн основной поляризации (излучение щелей 1 и 3). Коэффициент полезного действия (КПД) по этому параметру определяется соотношением
. (15)
Во-вторых, по всей излученной (как пространственными, так и поверхностными волнами) мощности
. (16)
Соответствующие потери в децибелах можно выразить через КПД с помощью формул
;
.
(17)
Очевидно,
что величины
и,
соответственно,
наиболее полно характеризуют эффективность
МПИ, так как. при их расчете «полезной»
считается только
,
а все остальные величины относят к
«потерям».
На рис. 11 приведены графики, иллюстрирующие зависимости КПД и рабочей полосы частот МПИ от толщины диэлектрической подложки (параметры графиков соответствуют рис. 10).
На рис.
12 приведены графики зависимости потерь
от толщины подложки
и
.
С помощью этих графиков можно
ориентировочно
выбрать оптимальную (с точки зрения
эффективности МПИ) толщину подложки,
а с помощью графиков рис. 11 − оценить
значения КПД и рабочей полосы.
Рисунок 11 – Влияние толщины подложки на КПД прямоугольного МПИ
На
резонансной частоте мощности потерь
в металле
и мощность потерь в диэлектрике
подложки
можно рассчитать с помощью следующих
приближенных формул:
,
,
где
– относительная диэлектрическая
проницаемость материала подложки,
– тангенс угла диэлектрических потерь
материала подложки,
– тангенс угла потерь металла.
Рисунок 12 – Зависимости потерь в МПИ от толщины подложки
При этом распределение тока при резонансе аппроксимировалось функцией
.
